Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

Gives standards for the following categories of discrete devices: variable capacitance diodes and snap-off diodes, mixer diodes and detector diodes, avalanche diodes, gunn diodes, bipolar transistor and field-effet transistors.

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Quatrième partie: Diodes et transistors hyperfréquences

Donne les normes pour les catégories suivantes de dispositifs discrets: diodes à capacité variable et diodes à retour rapide, diodes mélangeuses et diodes détectrices, diodes à avalanche, diodes à effet gunn, transistors bipolaires et transistors à effet de champ.

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25-Sep-2001
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DELPUB - Deleted Publication
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23-Aug-2007
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IEC 60747-4:1991+AMD1:1993+AMD2:1999 CSV - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave devices Released:9/26/2001 Isbn:2831857503
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Standards Content (Sample)


NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-4
INTERNATIONAL
Edition 1.2
STANDARD
2001-09
Edition 1:1991 consolidée par les amendements 1:1993 et 2:1999
Edition 1:1991 consolidated with amendments 1:1993 and 2:1999
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets –
Partie 4:
Dispositifs hyperfréquences
Semiconductor devices –
Discrete devices –
Part 4:
Microwave devices
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-4:1991+A1:1993+A2:1999

Numérotation des publications Publication numbering

Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are

sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.

Editions consolidées Consolidated editions

Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its

CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1
exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,

respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and

base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
Informations supplémentaires Further information on IEC publications
sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
nibles dans le Catalogue des publications de la CEI available in the IEC Catalogue of publications
(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
également disponibles par l’intermédiaire de: is also available from the following:
• Site web de la CEI (www.iec.ch) • IEC Web Site (www.iec.ch)
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
Le catalogue en ligne sur le site web de la CEI The on-line catalogue on the IEC web site
(www.iec.ch/catlg-f.htm) vous permet de faire des (www.iec.ch/catlg-e.htm) enables you to search
recherches en utilisant de nombreux critères, by a variety of criteria including text searches,
comprenant des recherches textuelles, par comité technical committees and date of publication. On-
d’études ou date de publication. Des informations line information is also available on recently
en ligne sont également disponibles sur les issued publications, withdrawn and replaced
nouvelles publications, les publications rempla- publications, as well as corrigenda.
cées ou retirées, ainsi que sur les corrigenda.
• IEC Just Published
• IEC Just Published
Ce résumé des dernières publications parues
This summary of recently issued publications
(www.iec.ch/JP.htm) est aussi disponible par
(www.iec.ch/JP.htm) is also available by email.
courrier électronique. Veuillez prendre contact
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avec le Service client (voir ci-dessous) pour plus
below) for further information.
d’informations.
• Service clients
• Customer Service Centre
Si vous avez des questions au sujet de cette

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publication ou avez besoin de renseignements
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supplémentaires, prenez contact avec le Service
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Email: custserv@iec.ch
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Tél: +41 22 919 02 11
Tel: +41 22 919 02 11
Fax: +41 22 919 03 00
Fax: +41 22 919 03 00
.
NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-4
INTERNATIONAL
Edition 1.2
STANDARD
2001-09
Edition 1:1991 consolidée par les amendements 1:1993 et 2:1999
Edition 1:1991 consolidated with amendments 1:1993 and 2:1999
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets –
Partie 4:
Dispositifs hyperfréquences
Semiconductor devices –
Discrete devices –
Part 4:
Microwave devices
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CODE PRIX
Commission Electrotechnique Internationale
CW
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For price, see current catalogue

– 2 – 60747-4  CEI:1991+A1:1993

+A2:1999
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS .6

CHAPITRE I: GÉNÉRALITÉS
1 Note d'introduction.10

2 Domaine d'application.10

3 Symboles littéraux .10
CHAPITRE II: DIODES À CAPACITÉ VARIABLE, DIODES À RETOUR RAPIDE
ET DIODES SCHOTTKY DE COMMUTATION RAPIDE
SECTION 1: DIODES À CAPACITÉ VARIABLE
1 Généralités.12
2 Terminologie et symboles littéraux .12
3 Valeurs limites et caractéristiques essentielles.12
4 Méthodes de mesure .20
SECTION 2: DIODES À RETOUR RAPIDE, DIODES SCHOTTKY
1 Généralités.74
2 Terminologie et symboles littéraux .74
3 Valeurs limites et caractéristiques essentielles.76
4 Méthodes de mesure .80
CHAPITRE III: DIODES MÉLANGEUSES ET DIODES DÉTECTRICES
SECTION 1: DIODES MÉLANGEUSES UTILISÉES DANS LES APPLICATIONS RADAR
1 Généralités.96
2 Terminologie et symboles littéraux .96
3 Valeurs limites et caractéristiques essentielles.96

4 Méthodes de mesure . 100
SECTION 2: DIODES MÉLANGEUSES UTILISÉES EN TRANSMISSION
1 Généralités. 140
2 Terminologie et symboles littéraux . 140
3 Valeurs limites et caractéristiques essentielles. 140
4 Méthodes de mesure . 144

60747-4  IEC:1991+A1:1993 – 3 –

+A2:1999
CONTENTS
FOREWORD.7

CHAPTER I: GENERAL
1 Introductory note.11

2 Scope.11

3 Letter symbols .11
CHAPTER II: VARIABLE CAPACITANCE, SNAP-OFF DIODES
AND FAST-SWITCHING SCHOTTKY DIODES
SECTION 1: VARIABLE CAPACITANCE DIODES
1 General .13
2 Terminology and letter symbols.13
3 Essential ratings and characteristics .13
4 Measurement methods .21
SECTION 2: SNAP-OFF DIODES, SCHOTTKY DIODES
1 General .75
2 Terminology and letter symbols.75
3 Essential ratings and characteristics .77
4 Measurement methods .81
CHAPTER III: MIXER DIODES AND DETECTOR DIODES
SECTION 1: MIXER DIODES USED IN RADAR APPLICATIONS
1 General .97
2 Terminology and letter symbols.97
3 Essential ratings and characteristics .97

4 Measurement methods . 101
SECTION 2: MIXER DIODES USED IN COMMUNICATION APPLICATIONS
1 General . 141
2 Terminology and letter symbols. 141
3 Essential ratings and characteristics . 141
4 Measurement methods . 145

– 4 – 60747-4  CEI:1991+A1:1993

+A2:1999
SECTION 3: DIODES DÉTECTRICES
(A l'étude.)
CHAPITRE IV: DIODES IMPATT
SECTION 1: DIODES IMPATT POUR APPLICATIONS EN AMPLIFICATEUR

1 Généralités. 146

2 Terminologie et symboles littéraux . 146

3 Valeurs limites et caractéristiques essentielles. 152
SECTION 2: DIODES IMPATT POUR APPLICATIONS EN OSCILLATEUR
(A l'étude.)
CHAPITRE V: DIODES GUNN
1 Généralités (à l'étude). 160
2 Terminologie et symboles littéraux . 160
3 Valeurs limites et caractéristiques essentielles (à l'étude) . 160
4 Méthodes de mesure . 160
CHAPITRE VI: TRANSISTORS BIPOLAIRES
(A l'étude.)
CHAPITRE VII: TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP
1 Généralités. 168
2 Terminologie et symboles littéraux . 168
3 Valeurs limites et caractéristiques essentielles. 174
4 Méthodes de mesure . 178
CHAPITRE VIII: RÉCEPTION ET FIABILITÉ – EXIGENCES SPÉCIFIQUES
1 Conditions pour les essais électriques. 214
2 Critères de défaillance et caractéristiques définissant la défaillance

pour les essais de réception . 214

3 Critères de défaillance et caractéristiques définissant la défaillance
pour les essais de fiabilité. 214
4 Procédure à suivre dans le cas d'une erreur d'essai . 214
Tableau 1.216
Tableau 2.218

60747-4  IEC:1991+A1:1993 – 5 –

+A2:1999
SECTION 3: DETECTOR DIODES
(Under consideration.)
CHAPTER IV: IMPATT DIODES
SECTION 1: IMPATT DIODES AMPLIFIERS

1 General .
...

Questions, Comments and Discussion

Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.