IEC 60747-4:2007
(Main)Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
Provides requirements for the following categories of discrete devices: variable capacitance diodes and snap-off diodes, mixer diodes and detector diodes, avalanche diodes, gunn diodes,bipolar transistors and field-effect transistors. This second edition cancels and replaces the first edition, published in 1991, its amendments 1, 2 and 3 (1993, 1999 and 2001, respectively), and constitutes a technical revision.
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
Donne les exigences pour les catégories suivantes de dispositifs discrets: diodes à capacité variable et diodes à retour rapide, diodes mélangeuses et diodes détectrices, diodes à avalanche, diodes à effet gunn, transistors bipolaires et transistors à effet de champ. Cette deuxième édition annule et remplace la première édition, publiée en 1991, et ses amendements 1, 2 et 3 (1993, 1999 et 2001, respectivement) dont elle constitue une révision technique.
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IEC 60747-4
Edition 2.0 2007-08
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 4: Microwave diodes and transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
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IEC 60747-4
Edition 2.0 2007-08
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NORME
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Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 4: Microwave diodes and transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
PRICE CODE
INTERNATIONALE
XF
CODE PRIX
ICS 31.080.10 / 31.080.30 ISBN 2-8318-9262-7
– 2 – 60747-4 © IEC:2007
CONTENTS
FOREWORD.6
1 Scope.8
2 Normative references .8
3 Variable capacitance, snap-off diodes and fast-switching schottky diodes .8
3.1 Variable capacitance diodes.8
3.1.1 General .8
3.1.2 Terminology and letter symbols .9
3.1.3 Essential ratings and characteristics.9
3.1.4 Measuring methods .12
3.2 Snap-off diodes, Schottky diodes .39
3.2.1 General .39
3.2.2 Terminology and letter symbols .39
3.2.3 Essential ratings and characteristics.39
3.2.4 Measuring methods .41
4 Mixer diodes and detector diodes .48
4.1 Mixer diodes used in radar applications.48
4.1.1 General .48
4.1.2 Terminology and letter symbols .48
4.1.3 Essential ratings and characteristics.48
4.1.4 Measuring methods .50
4.2 Mixer diodes used in communication applications.69
4.2.1 General .69
4.2.2 Terminology and letter symbols .69
4.2.3 Essential ratings and characteristics.69
4.2.4 Measuring methods .71
4.3 Detector diodes .71
5 Impatt diodes.71
5.1 Impatt diodes amplifiers .71
5.1.1 General .71
5.1.2 Terms and definitions .71
5.1.3 Essential ratings and characteristics.74
5.2 Impatt diodes oscillators.77
6 Gunn diodes .77
6.1 General .77
6.2 Terms and definitions .78
6.3 Essential ratings and characteristics .78
6.4 Measuring methods .78
6.4.1 Pulse breakdown voltage.78
6.4.2 Threshold voltage.79
6.4.3 Resistance .80
7 Bipolar transistors .81
7.1 General .81
7.2 Terms and definitions .81
7.3 Essential ratings and characteristics .84
60747-4 © IEC:2007 – 3 –
7.3.1 General .84
7.3.2 Limiting values (absolute maximum rating system) .84
7.4 Measuring methods .87
7.4.1 General .87
7.4.2 DC characteristics .89
7.4.3 RF characteristics.89
7.5 Verifying methods .103
7.5.1 Load mismatch tolerance (Ψ ) .103
L
7.5.2 Source mismatch tolerance (Ψ ).107
S
7.5.3 Load mismatch ruggedness (Ψ ) .111
R
8 Field-effect transistors.112
8.1 General .112
8.2 Terms and definitions .112
8.3 Essential ratings and characteristics .115
8.3.1 General .115
8.3.2 Limiting values (absolute maximum rating system) . 116
8.4 Measuring methods .117
8.4.1 General .117
8.4.2 DC characteristics .118
8.4.3 RF characteristics.124
8.5 Verifying methods .135
8.5.1 Load mismatch tolerance (Ψ ).135
L
8.5.2 Source mismatch tolerance (Ψ ) .135
S
8.5.3 Load mismatch ruggedness (Ψ ).135
R
9 Assessment and reliability – specific requirements .135
9.1 Electrical test conditions.135
9.2 Failure criteria and failure-defining characteristics for acceptance tests . 135
9.3 Failure criteria and failure-defining characteristics for reliability tests . 135
9.4 Procedure in case of a testing error.135
Figure 1 – Equivalent circuit.12
Figure 2 – Circuit for the measurement of reverse current I .12
R
Figure 3 – Circuit for the measurement of forward voltage V .13
F
Figure 4 – Circuit for the measurement of capacitance C .14
tot
Figure 5 – Circuit for the measurement of effective quality factor .15
Figure 6 – Circuit for the measurement of series inductance .17
Figure 7 – Circuit for the measurement of thermal resistance R .18
th
Figure 8 – Circuit for the measurement of transient thermal impedance Z .19
th
Figure 9 – Waveguide mounting.21
Figure 10 – Equivalent circuit of mounted diode.
...
IEC 60747-4 ®
Edition 2.1 2017-01
CONSOLIDATED VERSION
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
colour
inside
Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 4: Microwave diodes and transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
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Edition 2.1 2017-01
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Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 4: Microwave diodes and transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
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ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
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IEC 60747-4 ®
Edition 2.1 2017-01
CONSOLIDATED VERSION
REDLINE VERSION
VERSION REDLINE
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Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 4: Microwave diodes and transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
– 2 – IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV
IEC 2017
CONTENTS
FOREWORD . 6
1 Scope . 8
2 Normative references . 8
3 Variable capacitance, snap-off diodes and fast-switching schottky diodes . 8
3.1 Variable capacitance diodes . 8
3.1.1 General . 8
3.1.2 Terminology and letter symbols . 9
3.1.3 Essential ratings and characteristics . 9
3.1.4 Measuring methods . 12
3.2 Snap-off diodes, Schottky diodes . 39
3.2.1 General . 39
3.2.2 Terminology and letter symbols . 39
3.2.3 Essential ratings and characteristics . 39
3.2.4 Measuring methods . 41
4 Mixer diodes and detector diodes . 48
4.1 Mixer diodes used in radar applications . 48
4.1.1 General . 48
4.1.2 Terminology and letter symbols . 48
4.1.3 Essential ratings and characteristics . 48
4.1.4 Measuring methods . 50
4.2 Mixer diodes used in communication applications . 69
4.2.1 General . 69
4.2.2 Terminology and letter symbols . 69
4.2.3 Essential ratings and characteristics . 69
4.2.4 Measuring methods . 71
4.3 Detector diodes . 71
5 Impatt diodes. 71
5.1 Impatt diodes amplifiers . 71
5.1.1 General . 71
5.1.2 Terms and definitions . 71
5.1.3 Essential ratings and characteristics . 74
5.2 Impatt diodes oscillators . 77
6 Gunn diodes . 77
6.1 General . 77
6.2 Terms and definitions . 78
6.3 Essential ratings and characteristics . 78
6.4 Measuring methods . 78
6.4.1 Pulse breakdown voltage V . 78
(BR)
6.4.2 Threshold voltage . 79
6.4.3 Resistance . 80
7 Bipolar transistors . 81
7.1 General . 81
7.2 Terms and definitions . 81
7.3 Essential ratings and characteristics . 84
7.3.1 General . 84
7.3.2 Limiting values (absolute maximum rating system) . 84
IEC 2017
7.4 Measuring methods . 87
7.4.1 General . 87
7.4.2 DC characteristics . 89
7.4.3 RF characteristics . 89
7.5 Verifying methods . 103
7.5.1 Load mismatch tolerance (Ψ ) . 103
L
7.5.2 Source mismatch tolerance (Ψ ) . 106
S
7.5.3 Load mismatch ruggedness (Ψ ). 110
R
8 Field-effect transistors . 111
8.1 General . 111
8.2 Terms and definitions . 111
8.3 Essential ratings and characteristics . 114
8.3.1 General . 114
8.3.2 Limiting values (absolute maximum rating system) . 115
8.4 Measuring methods . 116
8.4.1 General . 116
8.4.2 DC characteristics . 117
8.4.3 RF characteristics . 123
8.5 Verifying methods .
...
Questions, Comments and Discussion
Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.