IEC 62373:2006

NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-07
Essai de stabilité de température en polarisation
pour transistors à effet de champ métal-oxyde-
semiconducteur (MOSFET)
Bias-temperature stability test for metal-oxide,
semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 62373:2006
Numérotation des publications Publication numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
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Editions consolidées Consolidated editions
Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its
CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1
exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
Informations supplémentaires Further information on IEC publications
sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
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(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
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comprenant des recherches textuelles, par comité technical committees and date of publication. On-
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ligne sont également disponibles sur les nouvelles issued publications, withdrawn and replaced
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ainsi que sur les corrigenda.
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NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-07
Essai de stabilité de température en polarisation
pour transistors à effet de champ métal-oxyde-
semiconducteur (MOSFET)
Bias-temperature stability test for metal-oxide,
semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

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International Electrotechnical Commission
МеждународнаяЭлектротехническаяКомиссия
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– 2 – 62373  CEI:2006
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS.4
INTRODUCTION.8

1 Domaine d’application .10
2 Termes et définitions .10
3 Equipement d'essai .14
3.1 Equipement .14
3.2 Exigences de manipulation.14
4 Echantillonnage d'essai .16
4.1 Echantillon .16
4.2 Encapsulation.16
4.3 Circuit de protection les DES.16
5 Procédure .18
5.1 Mesure initiale et mesure du point de lecture .18
5.2 Essai.18
5.3 Notes pour MOSFET de champ .20
5.4 Jugement .22

Annexe A (informative) Essai de fiabilité au niveau de la plaquette (WRL).24

Bibliographie.26

Figure 1 – Courbe V -I explicative de V .12
GS DS th-ex
Figure 2 – Connexion entre les électrodes MOSFET et les bornes externes .16
Figure 3 – Exemple de circuit de protection contre les DES .18
Figure 4 – Circuit d’essai BT MOSFET (Nch) .20

62373  IEC:2006 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD.5
INTRODUCTION.9

1 Scope.11
2 Terms and definitions .11
3 Test equipment.15
3.1 Equipment.15
3.2 Requirement for handling .15
4 Test sample.17
4.1 Sample.17
4.2 Packaging .17
4.3 ESD protection circuit.17
5 Procedure .19
5.1 Initial measurement and read point measurement.19
5.2 Test.19
5.3 Notes for field MOSFET .21
5.4 Judgment .23

Annex A (informative) Wafer level reliability test (WLR test).25

Bibliography.27

Figure 1 – V -I curve to explain V .13
GS DS th-ex
Figure 2 – Connection between MOSFET electrodes and external terminals .17
Figure 3 – Example of ESD protection circuit .19
Figure 4 – MOSFET BT test circuit (Nch) .21

– 4 – 62373  CEI:2006
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
____________
ESSAI DE STABILITÉ DE TEMPÉRATURE EN POLARISATION
POUR TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP
MÉTAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR (MOSFET)

AVANT-PROPOS
1) La Commission Electrotechnique Internationale (CEI) est une organisation mondiale de normalisation
composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a
pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les
domaines de l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI – entre autres activités – publie des Normes
internationales, des Spécifications techniques, des Rapports techniques, des Spécifications accessibles au
public (PAS) et des Guides (ci-après dénommés "Publication(s) de la CEI"). Leur élaboration est confiée à des
comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le sujet traité peut participer. Les
organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent
également aux travaux. La CEI collabore étroitement avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO),
selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible, un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux de la CEI
intéressés sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les Publications de la CEI se présentent sous la forme de recommandations internationales et sont agréées
comme telles par les Comités nationaux de la CEI. Tous les efforts raisonnables sont entrepris afin que la CEI
s'assure de l'exactitude du contenu technique de ses publications; la CEI ne peut pas être tenue responsable
de l'éventuelle mauvaise utilisation ou interprétation qui en est faite par un quelconque utilisateur final.
4) Dans le but d'encourager l'uniformité internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent, dans toute la
mesure possible, à appliquer de façon transparente les Publications de la CEI dans leurs publications
nationales et régionales. Toutes divergences entre toutes Publications de la CEI et toutes publications
nationales ou régionales correspondantes doivent être indiquées en termes clairs dans ces dernières.
5) La CEI n’a prévu aucune procédure de marquage valant indication d’approbation et n'engage pas sa
responsabilité pour les équipements déclarés conformes à une de ses Publications.
6) Tous les utilisateurs doivent s'assurer qu'ils sont en possession de la dernière édition de cette publication.
7) Aucune responsabilité ne doit être imputée à la CEI, à ses administrateurs, employés, auxiliaires ou
mandataires, y compris ses experts particuliers et les membres de ses comités d'études et des Comités
nationaux de la CEI, pour tout préjudice causé en cas de dommages corporels et matériels, ou de tout autre
dommage de quelque nature que ce soit, directe ou indirecte, ou pour supporter les coûts (y compris les frais
de justice) et les dépenses découlant de la publication ou de l'utilisation de cette Publication de la CEI ou de
toute autre Publication de la CEI, ou au crédit qui lui est accordé.
8) L'attention est attirée sur les références normatives citées dans cette publication. L'utilisation de publications
référencées est obligatoire pour une application c
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