IEC 60747-5-1:1997

NORME
CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-5-1
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
1997-08
Dispositifs discrets à semiconducteurs
et circuits intégrés –
Partie 5-1:
Dispositifs optoélectroniques –
Généralités
Discrete semiconductor devices
and integrated circuits –
Part 5-1:
Optoelectronic devices –
General
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-5-1:1997
Numéros des publications Numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from the 1st January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. issued with a designation in the 60000 series.
Publications consolidées Consolidated publications
Les versions consolidées de certaines publications de Consolidated versions of some IEC publications
la CEI incorporant les amendements sont disponibles. including amendments are available. For example,
Par exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 edition numbers 1.0, 1.1 and 1.2 refer, respectively, to
indiquent respectivement la publication de base, la the base publication, the base publication
publication de base incorporant l’amendement 1, et la incorporating amendment 1 and the base publication
publication de base incorporant les amendements 1 incorporating amendments 1 and 2.
et 2.
Validité de la présente publication Validity of this publication
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept under
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état constant review by the IEC, thus ensuring that the
actuel de la technique. content reflects current technology.
Des renseignements relatifs à la date de Information relating to the date of the reconfirmation of
reconfirmation de la publication sont disponibles dans the publication is available in the IEC catalogue.
le Catalogue de la CEI.
Les renseignements relatifs à ces révisions, à l'établis- Information on the revision work, the issue of revised
sement des éditions révisées et aux amendements editions and amendments may be obtained from
peuvent être obtenus auprès des Comités nationaux de IEC National Committees and from the following
la CEI et dans les documents ci-dessous: IEC sources:
• Bulletin de la CEI • IEC Bulletin
• Annuaire de la CEI • IEC Yearbook
Accès en ligne* On-line access*
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
Publié annuellement et mis à jour régulièrement Published yearly with regular updates
(Accès en ligne)* (On-line access)*
Terminologie, symboles graphiques Terminology, graphical and letter
et littéraux symbols
En ce qui concerne la terminologie générale, le lecteur For general terminology, readers are referred to
se reportera à la CEI 60050: Vocabulaire Electro- IEC 60050: International Electrotechnical Vocabulary
technique International (VEI). (IEV).
Pour les symboles graphiques, les symboles littéraux For graphical symbols, and letter symbols and signs
et les signes d'usage général approuvés par la CEI, le approved by the IEC for general use, readers are
lecteur consultera la CEI 60027: Symboles littéraux à referred to publications IEC 60027: Letter symbols to
utiliser en électrotechnique, la CEI 60417: Symboles be used in electrical technology, IEC 60417: Graphical
symbols for use on equipment. Index, survey and
graphiques utilisables sur le matériel. Index, relevé et
compilation des feuilles individuelles, et la CEI 60617: compilation of the single sheets and IEC 60617:
Symboles graphiques pour schémas. Graphical symbols for diagrams.
Publications de la CEI établies par IEC publications prepared by the same
le même comité d'études technical committee
L'attention du lecteur est attirée sur les listes figurant The attention of readers is drawn to the end pages of
à la fin de cette publication, qui énumèrent les this publication which list the IEC publications issued
publications de la CEI préparées par le comité by the technical committee which has prepared the
d'études qui a établi la présente publication. present publication.
* Voir adresse «site web» sur la page de titre. * See web site address on title page.

NORME
CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-5-1
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
1997-08
Dispositifs discrets à semiconducteurs
et circuits intégrés –
Partie 5-1:
Dispositifs optoélectroniques –
Généralités
Discrete semiconductor devices
and integrated circuits –
Part 5-1:
Optoelectronic devices –
General
 IEC 1997 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
Aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni No part of this publication may be reproduced or utilized in
utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun any form or by any means, electronic or mechanical,
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U
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– 2 – 60747-5-1 © CEI:1997
SOMMAIRE
Pages
AVANT-PROPOS . 4
Articles
1 Domaine d'application. 6
2 Références normatives. 6
3 Concepts physiques. 6
3.1 Rayonnement (électromagnétique); radiation (électromagnétique). 6
3.2 Rayonnement optique. 6
3.3 Rayonnement visible. 6
3.4 Rayonnement infrarouge . 6
3.5 Rayonnement ultraviolet . 8
3.6 Lumière . 8
3.7 Effet photoélectrique. 8
4 Types de dispositifs . 8
4.1 Dispositif optoélectronique à semiconducteurs. 8
4.2 Photoémetteur à semiconducteurs. 8
4.3 Laser à semiconducteurs. 8
4.4 Diode électroluminescente. 8
4.5 Diode émettrice en infrarouge. 9
4.6 Dispositif photosensible (à semiconducteurs). 10
4.7 Récepteur photoélectrique (à semiconducteurs). 10
4.8 Photorésistance (à semiconducteurs), cellule photoconductrice . 10
4.9 Photopile, cellule photovoltaïque. 10
4.10 Photodiode. 10
4.11 Phototransistor. 10
4.12 Photothyristor. 10
4.13 Photocoupleur, optocoupleur. 10
5 Termes généraux. 10
5.1 Axe optique. 10
5.2 Accès optique (d'un dispositif optoélectronique à semiconducteurs) . 10
5.3 Gaine (optique). 18
6 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques . 20
6.1 Généralités. 20
6.2 Photoémetteurs. 22
6.3 Dispositifs photosensibles. 40
6.4 Photocoupleurs, optocoupleurs. 46
Annexe A – Index de références croisées . 56

60747-5-1 © IEC:1997 – 3 –
CONTENTS
Page
FOREWORD . 5
Clause
1 Scope. 7
2 Normative references. 7
3 Physical concepts. 7
3.1 (Electromagnetic) radiation. 7
3.2 Optical radiation. 7
3.3 Visible radiation. 7
3.4 Infrared radiation. 7
3.5 Ultraviolet radiation.
3.5 Light. 9
3.6 Photoelectric effect. 9
4 Types of devices. 9
4.1 Semiconductor optoelectronic device . 9
4.2 Semiconductor photoemitter. 9
4.3 Semiconductor laser. 9
4.4 Light-emitting diode (LED) . 9
4.5 Infrared-emitting diode (IRED) . 9
4.6 (Semiconductor) photosensitive device . 11
4.7 (Semiconductor) photoelectric detector . 11
4.8 (Semiconductor) photoresistor, photoconductive cell. 11
4.9 Photoelement, photovoltaic cell. 11
4.10 Photodiode. 11
4.11 Phototransistor. 11
4.12 Photothyristor. 11
4.13 Photocoupler, optocoupler . 11
5 General terms. 11
5.1 Optical axis. 11
5.2 Optical port (of a semiconductor optoelectronic device). 11
5.3 (Optical) cladding. 19
6 Terms related to ratings and characteristics. 21
6.1 General. 21
6.2 Photoemitters. 23
6.3 Photosensitive devices. 41
6.4 Photocouplers, optocouplers. 47
Annex A – Cross references index . 57

– 4 – 60747-5-1 © CEI:1997
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
__________
DISPOSITIFS DISCRETS À SEMICONDUCTEURS
ET CIRCUITS INTÉGRÉS –
Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques –
Généralités
AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation composée
de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a pour objet de
favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les domaines de l'électricité
et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes Internationales. Leur élaboration
est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le sujet traité peut
participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en liaison avec la CEI,
participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement avec l'Organisation Internationale de Normalisation
(ISO), selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques, représentent, dans la mesure
du possible un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés sont
représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les Comités nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière.
5) La CEI n’a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d’approbation et sa responsabilité
n’est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme à l’une de ses normes.
6) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Norme internationale peuvent faire
l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour responsable de
ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 60747-5-1 a été établie par le sous-comité 47C: Dispositifs
optoélectroniques, d'affichage et d'imagerie, du comité d’études 47 de la CEI: Dispositifs à
semiconducteurs.
Cette première édition remplace partiellement la deuxième édition de la CEI 60747-5 (1992) et
constitue une révision technique. (Voir également annexe A: Index des références croisées).
Elle doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1, la CEI 62007-1 et la CEI 62007-2.
Le texte de cette norme est issu en partie de la CEI 60747-5 (1992) et en partie des
documents suivants:
FDIS Rapport de vote
47C/173/FDIS 47C/186/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l'approbation de cette norme.
L'annexe A est donnée uniquement à titre d'information.

60747-5-1 © IEC:1997 – 5 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION
__________
DISCRETE SEMICONDUCTOR DEVICES
AND INTEGRATED CIRCUITS –
Part 5-1: Optoelectronic devices –
General
FOREWORD
1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of the IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, the IEC publishes International Standards. Their preparation is
entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may
participate in this preparatory work. International, governmental and non-governmental organizations liaising
with the IEC also participate in this preparation. The IEC collaborates closely with the International Organization
for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the two
organizations.
2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters express, as nearly as possible, an
international consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation
from all interested National Committees.
3) The documents produced have the form of recommendations for international use and are published in the form
of standards, technical reports or guides and they are accepted by the National Committees in that sense.
4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC International
Standards transparently to the maximum extent possible in their national and regional standards. Any
divergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearly
indicated in the latter.
5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with one of its standards.
6) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this International Standard may be the subject
of patent rights. The IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
International Standard IEC 60747-5-1 has been prepared by subcommittee 47C:
Optoelectronic, display and imaging devices, of IEC technical committee 47: Semiconductor
devices.
This first edition replaces partially the second edition of IEC 60747-5 (1992) and constitutes a
technical revision (see also annex A: Cross references index).
It should be read jointly with IEC 60747-1 and IEC 62007-1 and IEC 62007-2.
The text of this standard is based partially on IEC 60747-5 (1992) and partially on the following
documents:
FDIS Report on voting
47C/173/FDIS 47C/186/RVD
Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on
voting indicated in the above table.
Annex A is for information only.

– 6 – 60747-5-1 © CEI:1997
DISPOSITIFS DISCRETS À SEMICONDUCTEURS
ET CIRCUITS INTÉGRÉS –
Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques –
Généralités
1 Domaine d'application
Cette partie de la CEI 60747 a pour sujet la terminologie propre aux dispositifs opto-
électroniques à semiconducteurs.
2 Références normatives
Les documents normatifs suivants contiennent des dispositions qui, par suite de la référence
qui y est faite, constituent des dispositions valables pour la présente partie de la CEI 60747.
Au moment de la publication, les éditions indiquées étaient en vigueur et les parties prenantes
aux accords fondés sur la présente partie de la CEI 60747 sont invitées à rechercher la
possibilité d'appliquer les éditions les plus récentes des documents normatifs indiqués ci-
après. Les membres de la CEI et de l'ISO possèdent le registre des Normes internationales en
vigueur.
CEI 60050(731):1991, Vocabulaire Electrotechnique International (VEI) – Chapitre 731:
Télécommunications par fibres optiques
CEI 60050(845):1987, Vocabulaire Electrotechnique International (VEI) – Chapitre 845:
Eclairage
CEI 60664-1:1992, Coordination de l'isolement des matériels dans les systèmes (réseaux) à
basse tension – Partie 1: Principes, prescriptions et essais
3 Concepts physiques
3.1 Rayonnement (électromagnétique); radiation (électromagnétique) (VEI 845-01-01)
1) Emission ou transport d'énergie sous forme d'ondes électromagnétiques avec les photons
associés.
2) Ces ondes électromagnétiques ou ces photons.
3.2 Rayonnement optique (VEI 845-01-02)
Rayonnement électromagnétique dont les longueurs d'onde sont comprises entre le domaine
de transition vers les rayons X (≈1 nm) et le domaine de transition vers les ondes
radioélectriques (≈1 nm).
3.3 Rayonnement visible (VEI 845-01-03)
Rayonnement optique susceptible de produire directement une sensation visuelle.
NOTE – Il n'y a pas de limites précises pour le domaine spectral du rayonnement visible; ces limites dépendent du
flux énergétique disponible et de la sensibilité de l'observateur. La limite inférieure est prise généralement entre
360 nm et 400 nm et la limite supérieure entre 760 nm et 830 nm.

60747-5-1 © IEC:1997 – 7 –
DISCRETE SEMICONDUCTOR DEVICES
AND INTEGRATED CIRCUITS –
Part 5-1: Optoelectronic devices –
General
1 Scope
This part of IEC 60747 deals with the terminology relating to the semiconductor optoelectronic
devices.
2 Normative references
The following normative documents contain provisions which, through reference in this text,
constitute provisions of this part of IEC 60747. At the time of publication, the editions indicated
were valid. All normative documents are subject to revision, and parties to agreements based
on this part of IEC 747 are encouraged to investigate the possibility of applying the most recent
editions of the normative documents indicated below. Members of IEC and ISO maintain
registers of currently valid International Standards.
IEC 60050(731),1991, International Electrotechnical Vocabulary (IEV) – Chapter 731: Optical
fibre communication
IEC 60050(845):1987, International Electrotechnical Vocabulary (IEV) – Chapter 845: Lighting
IEC 60664-1:1992, Insulation coordination for equipment within low-voltage systems – Part 1:
Principles, requirements and tests
3 Physical concepts
3.1 (Electromagnetic) radiation (IEV 845-01-01)
1) Emission or transfer of energy in the form of electromagnetic waves with the associated
photons.
2) These electromagnetic waves or these photons.
3.2 Optical radiation (IEV 845-01-02)
Electromagnetic radiation of wavelengths lying between the region of transition to X-rays
(≈1 nm) and the region of transition to radio waves (≈1 nm).
3.3 Visible radiation (IEV 845-01-03)
Any optical radiation capable of causing a visual sensation directly.
NOTE – There are no precise limits for the spectral range of visible radiation since they depend upon the amount of
radiant power available and the responsivity of the observer. The lower limit is generally taken between 360 nm and
400 nm and the upper limit between 760 nm and 830 nm.

– 8 – 60747-5-1 © CEI:1997
3.4 Rayonnement infrarouge (VEI 845-01-04, spécialisé)
Rayonnement optique dont les longueurs d'onde sont supérieures à celles du rayonnement
visible.
3.5 Rayonnement ultraviolet (VEI 845-01-05, spécialisé)
Rayonnement optique dont les longueurs d'onde sont inférieures à celles du rayonnement
visible.
3.6 Lumière (VEI 845-01-06, sans la note 2 qui n'est pas appropriée)
3.6.1 Lumière perçue (voir VEI 845-02-17)
3.6.2 Rayonnement visible (voir VEI 845-01-03)
NOTE – Le concept 2 est parfois employé pour des rayonnements optiques s'étendant en dehors du domaine
visible, mais cet usage n'est pas recommandé.
3.7 Effet photoélectrique (extrait de VEI 845-05-33: récepteur photoélectrique)
Interaction entre le rayonnement optique et la matière résultant de l'absorption de photons et
de la libération consécutive de porteurs de charges mobiles, produisant ainsi une tension ou un
courant électrique, ou un changement de résistance électrique, en excluant tout phénomène
électrique produit par des changements de température.
4 Types de dispositifs
4.1 Dispositif optoélectronique à semiconducteurs
1) Dispositif à semiconducteurs qui émet ou détecte ou est sensible à un rayonnement optique
cohérent ou non cohérent.
2) Dispositif à semiconducteurs qui utilise un tel rayonnement pour son fonctionnement
interne.
4.2 Photoémetteur à semiconducteurs
Dispositif optoélectronique à semiconducteurs qui convertit directement l'énergie électrique en
énergie optique rayonnante.
4.3 Laser à semiconducteurs
4.3.1 Diode laser (à semiconducteurs)
Diode à semiconducteurs qui émet un rayonnement optique cohérent par une émission
stimulée résultant de la recombinaison d'électrons libres et de trous lorsqu'elle est excitée par
un courant électrique de valeur supérieure au courant de seuil de la diode.
NOTE – La diode laser est montée sur une embase ou dans un boîtier avec ou sans moyen de couplage (par
exemple, lentille, fibre amorce).
4.3.2 Module à diode laser
Module qui comprend avec la diode laser un moyen pour la stabilisation optique et/ou
thermique automatique du flux énergétique.
4.4 Diode électroluminescente
Diode à semiconducteurs, autre qu'un laser à semiconducteurs, capable d'émettre un
rayonnement visible lorsqu'elle est excitée par un courant électrique.

60747-5-1 © IEC:1997 – 9 –
3.4 Infrared radiation (IEV 845-01-04, specialized)
Optical radiation for which the wavelengths are longer than those for visible radiation.
3.5 Ultraviolet radiation (IEV 845-01-05, specialized)
Optical radiation for which the wavelengths are shorter than those for visible radiation.
3.6 Light (IEV 845-01-06, without note 2 which is not relevant)
3.6.1 Perceived light (see IEV 845-02-17)
3.6.2 Visible radiation (see IEV 845-01-03)
NOTE – Concept 2 is sometimes used for optical radiation extending outside the visible range, but this usage is not
recommended.
3.7 Photoelectric effect (from IEV 845-05-33: photoelectric detector)
Interaction between optical radiation and matter resulting in the absorption of photons and the
consequent generation of mobile charge carriers, thereby generating an electric potential or
current, or a change in electrical resistance, excluding electrical phenomena caused by
temperature changes.
4 Types of devices
4.1 Semiconductor optoelectronic device
1) A semiconductor device that emits or detects or that is responsive to coherent or non-
coherent optical radiation.
2) A semiconductor device that utilizes such radiation for its internal purposes.
4.2 Semiconductor photoemitter
A semiconductor optoelectronic device that directly converts electric energy into optical radiant
energy.
4.3 Semiconductor laser
4.3.1 (Semiconductor) laser diode
A semiconductor diode that emits coherent optical radiation through stimulated emission
resulting from the recombination of free electrons and holes when excited by an electric current
that exceeds the threshold current of the diode.
NOTE – The laser diode is mounted on a submount or in a package with or without coupling means (e.g. lens,
pigtail).
4.3.2 Laser-diode module
A module containing, together with the laser diode, means for an automatic optical and/or
thermal stabilization of the radiant output power.
4.4 Light-emitting diode (LED)
A semiconductor diode, other than a semiconductor laser, capable of emitting visible radiation
when excited by an electric current.

– 10 – 60747-5-1 © CEI:1997
4.5 Diode émettrice en infrarouge
Diode à semiconducteurs, autre qu'un laser à semiconducteurs, capable d'émettre un
rayonnement en infrarouge lorsqu'elle est excitée par un courant électrique.
4.6 Dispositif photosensible (à semiconducteurs)
Dispositif à semiconducteurs qui utilise l'effet photoélectrique pour détecter un rayonnement
optique.
4.7 Récepteur photoélectrique (à semiconducteurs)
Dispositif à semiconducteurs qui utilise l'effet photoélectrique pour recevoir un rayonnement
optique.
4.8 Photorésistance (à semiconducteurs), cellule photoconductrice
(VEI 845-05-37, spécialisé)
Récepteur photoélectrique à semiconducteurs qui utilise la variation de la conductivité
électrique produite par l'absorption d'un rayonnement optique.
4.9 Photopile, cellule photovoltaïque (VEI 845-05-38)
Récepteur photoélectrique qui utilise la force électromotrice produite par l'absorption d'un
rayonnement optique.
4.10 Photodiode (VEI 845-05-39)
Récepteur photoélectrique dans lequel un courant photoélectrique est produit par l'absorption
d'un rayonnement optique au voisinage d'une jonction PN entre les semiconducteurs, ou d'une
jonction entre un semiconducteur et un métal.
4.11 Phototransistor
Transistor dans lequel le courant produit par l'effet photoélectrique au voisinage de la jonction
émetteur-base joue le rôle de courant de base qui est amplifié.
4.12 Photothyristor
Thyristor qui est conçu pour être déclenché par un rayonnement optique.
4.13 Photocoupleur, optocoupleur
Dispositif optoélectronique à semiconducteurs conçu pour le transfert de signaux électriques
par l'utilisation d'un rayonnement optique, afin d'assurer un couplage ainsi que l'isolement
électrique entre l'entrée et la sortie.
5 Termes généraux
5.1 Axe optique
Ligne autour de laquelle le diagramme principal de rayonnement ou de sensibilité est centré.
NOTE – Sauf spécification contraire, l'axe optique coïncide avec la direction du rayonnement maximal ou de la
sensibilité maximale.
60747-5-1 © IEC:1997 – 11 –
4.5 Infrared-emitting diode (IRED)
A semiconductor diode other than a semiconductor laser capable of emitting infrared radiation
when excited by an electric current.
4.6 (Semiconductor) photosensitive device
A semiconductor device that utilizes the photoelectric effect for detection of optical radiation.
4.7 (Semiconductor) photoelectric detector
A semiconductor device that utilizes the photoelectric effect for detection of optical radiation.
4.8 (Semiconductor) photoresistor, photoconductive cell (IEV 845-05-37, specialized)
A semiconductor photoelectric detector that utilizes the change of electric conductivity
produced by the absorption of optical radiation.
4.9 Photoelement, photovoltaic cell (IEV 845-05-38)
A photoelectric detector that utilizes the electromotive force produced by the absorption of
optical radiation.
4.10 Photodiode (IEV 845-05-39)
A photoelectric detector in which a photocurrent is generated by absorption of optical radiation
in the neighbourhood of a PN junction between the semiconductors, or of a junction between a
semiconductor and a metal.
4.11 Phototransistor
A transistor in which the current produced by the photoelectric effect in the neighbourhood of
the emitter-base junction acts as base current, which is amplified.
4.12 Photothyristor
A thyristor that is designed to be triggered by optical radiation.
4.13 Photocoupler, optocoupler
A semiconductor optoelectronic device designed for the transfer of electrical signals by utilizing
optical radiation to provide coupling with electrical isolation between the input and the output.
5 General terms
5.1 Optical axis
A line about which the principal radiation or sensitivity pattern is centered.
NOTE – Unless otherwise stated, the optical axis coincides with the direction of maximum radiation or sensitivity.

– 12 – 60747-5-1 © CEI:1997
5.2 Accès optique (d'un dispositif optoélectronique à semiconducteurs)
Configuration géométrique référencée à un plan extérieur ou une surface extérieure du
dispositif et destinée à spécifier le rayonnement optique émis par un dispositif émetteur ou
reçu par un dispositif récepteur.
NOTE – La configuration géométrique doit être spécifiée par le fabricant à l'aide de paramètres géométriques, par
exemple:
– position, forme et taille de la zone émettrice ou réceptrice,
– angle d'émission ou de réception,
– autres paramètres, tels que: ouverture numérique de la fibre optique,
– orientation de l'axe optique.
Exemples:
Signification des annotations dans les figures:
α = angle d'émission
= accès optique de diamètre D
Réf. = lieu de référence pour la définition de l'accès optique.
Exemple I:  Dispositifs avec fibre amorce (émetteur ou récepteur)
Figure 1a – Dispositif avec fibre amorce nue

60747-5-1 © IEC:1997 – 13 –
5.2 Optical port (of a semiconductor optoelectronic device)
A geometrical configuration, referenced to an external plane or surface of the device, that is
used to specify the optical radiation emitted from an emitting device or accepted by a detecting
device.
NOTE – The geometrical configuration shall be specified by the manufacturer by means of geometrical information,
e.g.:
– location, shape and size of the area of emission or acceptance,
– angle of emission or acceptance,
– other parameters, e.g. numerical aperture of optical fibre,
– orientation of optical axis.
Examples:
Signification of annotations in the figures:
α = emission of acceptance angle
= optical port with diameter D
Ref. = reference locus for the definition of the optical port.
Example I: Devices with pigtail (emitter or detector)
Figure 1a – Device with bare fibre pigtail

– 14 – 60747-5-1 © CEI:1997
Figure 1b – Dispositif avec fibre amorce et connecteur
Exemple II: Dispositifs avec boîtier (émetteur ou récepteur) et sans fibre amorce
Figure 2a – Dispositif avec fenêtre, mais sans lentille

60747-5-1 © IEC:1997 – 15 –
Figure 1b – Device with fibre pigtail connector attached
Example II: Packaged devices (emitter or detector), without pigtail
Figure 2a – Device with window, but without lens

– 16 – 60747-5-1 © CEI:1997
d = épaisseur de la fenêtre
W
α = angle d’ouverture
n = indice de réfraction du matériau de la fenêtre
ΔL = distance entre la face arrière de la fenêtre et le plan de la pastille
Figure 2b – Récepteur avec fenêtre, mais sans lentille (pastille référencée)
Figure 2c – Récepteur avec lentille

60747-5-1 © IEC:1997 – 17 –
d = window thickness
W
α = aperture angle
n = refractive index of window material
ΔL = distance between window back plane and chip plane
Figure 2b – Detector with window, but without lens (chip referenced)
Figure 2c – Detector with lens

– 18 – 60747-5-1 © CEI:1997
Figure 2d – Diode émettrice en infrarouge avec accès optique
non situé sur la fenêtre extérieure du boîtier
Figure 3 – Dispositifs sans boîtier (émetteur ou récepteur) et sans fibre amorce

60747-5-1 © IEC:1997 – 19 –
Figure 2d – IRED with optical port that is not located on the output window of the package
Figure 3 – Non-packaged devices (emitter or detector) without pigtail

– 20 – 60747-5-1 © CEI:1997
5.3 Gaine (optique) (VEI 731-02-05)
Région d'une fibre optique constituée d'une substance diélectrique entourant le coeur.
6 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques
6.1 Généralités
6.1.1 Temps de commutation
NOTE – Les valeurs limites spécifiées inférieure et supérieure mentionnées dans les définitions 6.1.1.1 à 6.1.1.6
sont généralement égales à 10 % et 90 % respectivement de l'amplitude des impulsions (voir figure 4).
6.1.1.1 Temps de retard à l'établissement t
d(on)
Intervalle de temps entre la valeur spécifiée inférieure sur le front avant de l'impulsion appliquée
à l'entrée et la valeur spécifiée inférieure sur le front avant de l'impulsion de sortie.
6.1.1.2 Temps de croissance t
r
Intervalle de temps entre la valeur spécifiée inférieure et la valeur spécifiée supérieure sur le
front avant de l'impulsion de sortie.
6.1.1.3 Temps d'établissement t
on
Intervalle de temps entre la valeur spécifiée inférieure sur le front avant de l'impulsion appliquée
à l'entrée et la valeur spécifiée supérieure sur le front avant de l'impulsion de sortie.
t = t + t
on d(on) r
6.1.1.4 Temps de retard à la coupure t
d(off)
Intervalle de temps entre la valeur spécifiée supérieure sur le front arrière de l'impulsion
appliquée à l'entrée et la valeur spécifiée supérieure sur le front arrière de l'impulsion de
sortie.
NOTE – Si le temps de retard à la coupure est dû principalement au temps de décroissance (relatif aux porteurs de
charges) (par exemple dans le transistor de sortie d'un photocoupleur), on utilise le terme «temps de décroissance»
t
avec le symbole littéral .
s
6.1.1.5 Temps de décroissance t
f
Intervalle de temps entre la valeur spécifiée supérieure et la valeur spécifiée inférieure sur le
front arrière de l'impulsion de sortie.
6.1.1.6 Temps de coupure t
off
Intervalle de temps entre la valeur spécifiée supérieure sur le front arrière de l'impulsion
appliquée à l'entrée et la valeur spécifiée inférieure sur le front arrière de l'impulsion de sortie.
t = t + t
off d(off) f
60747-5-1 © IEC:1997 – 21 –
5.3 (Optical) cladding (IEV 731-02-05)
That dielectric material of an optical fibre surrounding the core.
6 Terms related to ratings and characteristics
6.1 General
6.1.1 Switching times
NOTE – The specified lower and upper limit values referred to in concepts 6.1.1.1 to 6.1.1.6 are usually 10 % and
90 % of the amplitude of the pulses (see figure 4).
6.1.1.1 Turn-on delay time t
d(on)
The time interval between the lower specified value on the leading edge of the applied input
pulse and the lower specified value on the leading edge of the output pulse.
6.1.1.2 Rise time t
r
The time interval between the lower specified value and the upper specified value on the
leading edge of the output pulse.
6.1.1.3 Turn-on time t
on
The time interval between the lower specified value on the leading edge of the applied input
pulse and the upper specified value on the leading edge of the output pulse.
t = t + t
on d(on) r
6.1.1.4 Turn-off delay time t
d(off)
The time interval between the upper specified value on the trailing edge of the applied input
pulse and the upper specified value on the trailing edge of the output pulse.
NOTE – If the turn-off delay time is mainly due to carrier storage (e.g. in the output transistor of a photocoupler),
t
the term "(carrier) storage time" and the letter symbol are in use.
s
6.1.1.5 Fall time t
f
NOTE – The time interval between the upper specified value and the lower specified value on the trailing edge of
the output pulse.
6.1.1.6 Turn-off time t
off
The time interval between the upper specified value on the trailing edge of the applied input
pulse and the lower specified value on the trailing edge of the output pulse.
t = t + t
off d(off) f
– 22 – 60747-5-1 © CEI:1997
Figure 4 – Temps de commutation
6.2 Photoémetteurs
6.2.1 Flux énergétique, flux lumineux
6.2.1.1 Flux énergétique (d'un photoémetteur) φ
e
Flux énergétique émis à partir de l'accès optique du dispositif.
6.2.1.2 Flux lumineux (d'un photoémetteur) φ
v
Flux lumineux émis à partir de l'accès optique du dispositif.
6.2.2 Efficacités
6.2.2.1 Efficacité d'un flux énergétique η , η
e
efficacité énergétique
(d'une diode émettrice en infrarouge ou d'une diode laser)
Quotient du flux énergétique émis φ par le courant direct I :
e F
η = φ / I
e e F
60747-5-1 © IEC:1997 – 23 –
Figure 4 – Switching times
6.2 Photoemitters
6.2.1 Radiant power, luminous flux
6.2.1.1 Radiant power (of a photoemitter) φ
e
The radiant power emitted from the optical port of the device.
6.2.1.2 Luminous flux (of a photoemitter) φ
v
The luminous flux emitted from the optical port of the device.
6.2.2 Efficacies
6.2.2.1 Radiant power efficacy η , η
e
radiant efficacy
(of an infrared-emitting diode or a laser diode)
The quotient of the emitted radiant power φ , by the forward current I :
e F
η = φ / I
e e F
– 24 – 60747-5-1 © CEI:1997
NOTE – S'il n'existe pas de risque d'ambiguïté, en particulier avec le terme défini dans le VEI 845-01-54:
«rendement énergétique» η = φ / (I ⋅ V ), le terme «efficacité d'un flux énergétique» peut être abrégé en
e e F F
«efficacité énergétique» ou «efficacité». Cela est pratiquement toujours possible.
6.2.2.2 Efficacité d'une intensité énergétique η
ei
(d'une diode émettrice en infrarouge ou d'une diode laser)
Quotient de l'intensité énergétique émise I par le courant direct I :
e F
η = I / I
ei e F
6.2.2.3 Efficacité d'un flux lumineux η
v
efficacité lumineuse
(d'une diode électroluminescente)
Quotient du flux lumineux émis φ par le courant direct I :
v F
η = φ / I
v v F
NOTE – S'il n'existe pas de risque d'ambiguïté, en particulier avec les termes définis dans le VEI 845-01-55:
«efficacité lumineuse d'une source» η = φ / (I . V ), ou au VEI 845-01-56: «efficacité lumineuse d'un
F F
v v
rayonnement» K = φ / φ , le terme «efficacité d'un flux lumineux» peut être abrégé en «efficacité lumineuse» ou
v e
«efficacité». Cela est pratiquement toujours possible.
6.2.2.4 Efficacité d'une intensité lumineuse η
vi
(d'une diode électroluminescente)
Quotient de l'intensité lumineuse émise I par le courant direct I :
v F
η = I / I
vi v F
6.2.2.5 Efficacité différentielle d'un flux énergétique η , η
ed d
efficacité énergétique différentielle
(d'une diode émettrice en infrarouge ou d'une diode laser)
Efficacité du flux énergétique pour la modulation en petits signaux:
η = dφ / dI
ed e F
NOTE 1 – S'il n'existe pas de risque d'ambiguïté, le terme et le symbole littéral abrégés peuvent être utilisés.
NOTE 2 – Le terme «efficacité pour la modulation en petits signaux» est utilisé en tant que synonyme.
6.2.2.6 Efficacité différentielle d'une intensité énergétique η
eid
(d'une diode émettrice en infrarouge ou d'une diode laser)
Efficacité de l'intensité énergétique pour la modulation en petits signaux:
η = dI / dI
eid v F
6.2.2.7 Efficacité différentielle d'un flux lumineux η , η
vd d
efficacité lumineuse différentielle
(d'une diode électroluminescente)
Efficacité du flux lumineux pour la modulation en petits signaux:
η = dφ / dI
vd v F
NOTE 1 – S'il n'existe pas de risque d'ambiguïté, le terme et le symbole littéral abrégés peuvent être utilisés.
NOTE 2 – Le terme «efficacité pour la modulation en petits signaux» est utilisé en tant que synonyme.

60747-5-1 © IEC:1997 – 25 –
NOTE – If no ambiguity is likely to occur, particularly with the term IEV 845-01-54: "radiant efficiency" η = φ /
e e
(I . V ), the term may be shortened to "radiant efficacy" or "efficacy". This is nearly always possible.
F F
6.2.2.2 Radiant intensity efficacy η
ei
(of an infrared-emitting diode or a laser diode)
The quotient of the emitted radiant intensity I , by the forward current I :
e F
η = I / I
ei e F
6.2.2.3 Luminous flux efficacy η
v
luminous efficacy
(of a light-emitting diode)
The quotient of the emitted luminous flux φ , by the forward current I :
v F
η = φ / I
v v F
NOTE – If no ambiguity is likely to occur, particularly with the terms IEV 845-01-55: "luminous efficacy of a source"
η = φ / (I . V ), or IEV 845-01-56: "luminous efficacy of a radiation" K = φ / φ , the term may be shortened to
v v F F v e
"luminous efficacy" or "efficacy". This is nearly always possible.
6.2.2.4 Luminous intensity efficacy η
vi
(of a light-emitting diode)
...