IEC 60749-19:2003/AMD1:2010
(Amendment)Amendment 1 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength
Amendment 1 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength
Describes two test methods, A and B, for assessing the electric strength of insulating liquids in a divergent field when subjected to standard lightning impulses. Method A is based on a step procedure intended to provide an estimate of impulse breakdown voltage under specific conditions. Method B is a statistical test designed to check a hypothesis about the impulse breakdown probability of an insulating liquid at a given voltage level.
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement
Décrit deux méthodes d'essai A et B pour estimer la rigidité électrique en champ divergent de liquides isolants lorsqu'ils sont soumis au choc de foudre normalisé. La méthode A repose sur une méthode par échelons destinée à évaluer, dans des conditions déterminées, la tension de claquage au choc. La méthode B est un test statistique destiné à contrôler une hypothèse concernant la probabilité de claquage d'un liquide isolant, pour un niveau de tension donné.
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
IEC 60749-19 ®
Edition 1.0 2010-07
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
AMENDMENT 1
AMENDEMENT 1
Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods –
Part 19: Die shear strength
Dispositifs à semiconducteurs – Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement
IEC 60749-19:2003/A1:2010
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