IEC 61967-4:2002

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
61967-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2002-04
Circuits intégrés – Mesure des émissions
électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz –
Partie 4:
Mesure des émissions conduites –
Méthode par couplage direct 1 ΩΩ/150 ΩΩ
ΩΩ ΩΩ
Integrated circuits – Measurement of
electromagnetic emissions, 150 kHz to 1 GHz –
Part 4:
Measurement of conducted emissions –
1 ΩΩΩΩ/150 ΩΩΩΩ direct coupling method
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 61967-4:2002
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.
NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
61967-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2002-04
Circuits intégrés – Mesure des émissions
électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz –
Partie 4:
Mesure des émissions conduites –
Méthode par couplage direct 1 ΩΩ/150 ΩΩ
ΩΩ ΩΩ
Integrated circuits – Measurement of
electromagnetic emissions, 150 kHz to 1 GHz –
Part 4:
Measurement of conducted emissions –
1 ΩΩΩΩ/150 ΩΩΩΩ direct coupling method
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– 2 – 61967-4  CEI:2002
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS .4
1 Domaine d’application.10
2 Références normatives .10
3 Définitions .10
4 Généralités.10
4.1 Principes de base de mesure.10
4.2 Mesure du courant RF .14
4.3 Mesure de la tension RF aux broches CI.14
4.4 Evaluation de la technique de mesure.14
5 Conditions d’essai.16
6 Appareillage d’essai.16
6.1 Spécification du récepteur d’essai.16
6.2 Spécification de la sonde de courant RF .16
6.3 Essai de la capacité de la sonde de courant RF .18
6.4 Spécification du réseau d’adaptation.18
7 Montage d’essai.18
7.1 Configuration générale d’essai.18
7.2 Disposition pour carte d’essai à circuit imprimé.20
8 Procédure d’essai .22
9 Rapport d’essai.22
Annexe A (normative) Procédure d’étalonnage de sonde .24
Annexe B (informative) Classification des niveaux des émissions conduites.30
B.1 Remarque d’introduction.30
B.2 Généralités.30
B.3 Définition des niveaux d’émission .30
B.4 Présentation des résultats .32
Annexe C (informative) Exemple de niveaux de référence pour applications automobiles.38
C.1 Remarque d’introduction.38
C.2 Généralités.38
C.3 Niveaux de référence.38
Annexe D (informative) Exigences CEM et méthode d’utilisation
des techniques de mesure CEM CI.42
D.1 Introduction .42
D.2 Utilisation des procédures de mesures CEM .42
D.3 Evaluation de l’influence des CI sur le comportement CEM des modules .44
Annexe E (informative) Exemple de montage d’essai comprenant une carte principale
d’essai CEM et une carte d’essai EME CI .46
E.1 Carte principale d’essai CEM .46
E.2 Carte d’essai EME CI.50

61967-4  IEC:2002 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD.4
1 Scope.11
2 Normative references.11
3 Definitions .11
4 General .11
4.1 Measurement basics.11
4.2 RF current measurement .15
4.3 RF voltage measurement at IC pins .15
4.4 Assessment of the measurement technique .15
5 Test conditions .17
6 Test equipment.17
6.1 Test receiver specification .17
6.2 RF current probe specification .17
6.3 Test of the RF current probe capability.19
6.4 Matching network specification .19
7 Test set-up .19
7.1 General test configuration.19
7.2 Printed circuit test board layout.21
8 Test procedure .23
9 Test report.23
Annex A (normative) Probe calibration procedure .25
Annex B (informative) Classification of conducted emission levels .31
B.1 Introductory remark .31
B.2 General .31
B.3 Definition of emission levels.31
B.4 Presentation of results .33
Annex C (informative) Example of reference levels for automotive applications.39
C.1 Introductory remark .39
C.2 General .39
C.3 Reference levels.39
Annex D (informative) EMC requirements and how to use EMC IC measurement techniques.43
D.1 Introduction .43
D.2 Using EMC measurement procedures .43
D.3 Assessment of the IC influence to the EMC behaviour of the modules .45
Annex E (informative) Example of a test set-up consisting of an EMC main test board
and an EME IC test board .47
E.1 The EMC main test board .47
E.2 EME IC test board .51

– 4 – 61967-4  CEI:2002
Figure 1 – Exemple de deux boucles d’émission retournant au CI par l’intermédiaire de
la masse de référence.12
Figure 2 – Exemple de CI avec deux contacts à la masse, une petite boucle E/S et
deux boucles d’émission .12
Figure 3 – Construction de la sonde de courant RF .16
Figure 4 – Réseau d’adaptation d’impédance correspondant à la CEI 61000-4-6.18
Figure 5 – Configuration générale d’essai.20
Figure A.1 – Circuit d’essai .24
Figure A.2 – Perte d’insertion d’une sonde de 1 Ω .24
Figure A.3 – Disposition du circuit d’essai d’étalonnage .26
Figure A.4 – Connexion du circuit d’essai d’étalonnage.28
Figure A.5 – Limite minimale de découplage par rapport à la fréquence .28
Figure B.1 – Schéma des niveaux d’émission .32
Figure B.2 – Exemple de niveau d’émission maximal G8f .34
Figure C.1 – Méthode à 1 Ω − Niveaux de référence pour perturbations conduites
provenant de semiconducteurs (détecteur de crête).40
Figure C.2 – Méthode à 150 Ω − Niveaux de référence pour perturbations conduites
provenant de semiconducteurs (détecteur de crête).40
Figure E.1 – Carte principale pour essai CEM.48
Figure E.2 – Espace réservé aux fils de connexion .50
Figure E.3 – Carte d’essai EME CI (zones de contact pour broches de connecteurs à
ressort de la carte d’essai principale) .50
Figure E.4 – Exemple de système d’essai EME CI .54
Figure E.5 – Côté composants de la carte d’essai EME CI.54
Figure E.6 – Face inférieure de la carte pour essai EME CI .56
Tableau 1 – Spécification de la sonde de courant RF.16
Tableau 2 – Caractéristiques du réseau d’adaptation d’impédance .18
Tableau B.1 – Niveaux d’émission.36
Tableau D.1 – Exemples dans lesquels la procédure de mesure peut être réduite.42
Tableau D.2 – Paramètres ambiants liés au système et au module .44
Tableau D.3 – Modifications au niveau du CI qui influencent la CEM.44

61967-4  IEC:2002 – 5 –
Figure 1 – Example of two emitting loops returning to the IC via common ground.13
Figure 2 – Example of IC with two ground pins, a small I/O loop and two emitting loops .13
Figure 3 – Construction of the RF current probe .17
Figure 4 – Impedance matching network corresponding with IEC 61000-4-6 .19
Figure 5 – General test configuration.21
Figure A.1 – Test circuit .25
Figure A.2 – Insertion loss of the 1 Ω probe.25
Figure A.3 – Layout of the calibration test circuit.27
Figure A.4 – Connection of the calibration test circuit.29
Figure A-5 – Minimum decoupling limit versus frequency .29
Figure B.1 – Emission level scheme .33
Figure B.2 – Example of the maximum emission level G8f .35
Figure C.1 – 1 Ω method − Reference levels for conducted disturbances
from semiconductors (peak detector) .41
Figure C.2 – 150 Ω method − Reference levels for conducted disturbances
from semiconductors (peak detector) .41
Figure E.1 – EMC main test board.49
Figure E.2 – Jumper field .51
Figure E.3 – EME IC test board (contact areas for the spring connector pins
of the main test board) .51
Figure E.4 – Example of an EME IC test system .55
Figure E.5 – Component side of the EME IC test board .55
Figure E.6 – Bottom side of the EME IC test board .57
Table 1 – Specification of the RF current probe .17
Table 2 – Characteristics of the impedance matching network .19
Table B.1 – Emission levels .37
Table D.1 – Examples in which the measurement procedure can be reduced.43
Table D.2 – System- and module-related ambient parameters .45
Table D.3 – Changes at the IC which influence the EMC.45

– 6 – 61967-4  CEI:2002
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
____________
CIRCUITS INTÉGRÉS – MESURE DES ÉMISSIONS
ÉLECTROMAGNÉTIQUES, 150 kHz À 1 GHz –
Partie 4: Mesure des émissions conduites –
Méthode par couplage direct 1 ΩΩΩΩ/150 ΩΩΩΩ
AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation composée
de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a pour objet de
favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les domaines de
l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes internationales.
Leur élaboration est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le
sujet traité peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en
liaison avec la CEI, participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement avec l'Organisation
Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible, un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, spécifications techniques, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les Comités
nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière.
5) La CEI n’a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d’approbation et sa responsabilité
n’est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme à l’une de ses normes.
6) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Norme internationale peuvent faire
l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour
responsable de ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 61967-4 a été établie par le sous-comité 47A: Circuits intégrés,
du comité d'études 47 de la CEI: Dispositifs à semiconducteurs.
Le texte de cette norme est issu des documents suivants:
FDIS Rapport de vote
47A/636/FDIS 47A/647/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l'approbation de cette norme.
Cette publication a été rédigée selon les Directives ISO/CEI, Partie 3.
L’annexe A fait partie intégrante de la présente norme.
Les annexes B, C, D et E sont données uniquement à titre d’information.

61967-4  IEC:2002 – 7 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION
____________
INTEGRATED CIRCUITS –
MEASUREMENT OF ELECTROMAGNETIC EMISSIONS, 150 kHz TO 1 GHz –
Part 4: Measurement of conducted emissions –
1 ΩΩΩΩ/150 ΩΩΩΩ direct coupling method
FOREWORD
1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of the IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, the IEC publishes International Standards. Their preparation is
entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may
participate in this preparatory work. International, governmental and non-governmental organizations liaising
with the IEC also participate in this preparation. The IEC collaborates closely with the International Organization
for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the two
organizations.
2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters express, as nearly as possible, an
international consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation
from all interested National Committees.
3) The documents produced have the form of recommendations for international use and are published in the form
of standards, technical specifications, technical reports or guides and they are accepted by the National
Committees in that sense.
4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC International
Standards transparently to the maximum extent possible in their national and regional standards. Any
divergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearly
indicated in the latter.
5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with one of its standards.
6) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this International Standard may be the subject
of patent rights. The IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
International Standard IEC 61967-4 has been prepared by subcommittee 47A: Integrated
circuits, of IEC technical committee 47: Semiconductor devices.
The text of this standard is based on the following documents:
FDIS Report on voting
47A/636/FDIS 47A/647/RVD
Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on
voting indicated in the above table.
This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 3.
Annex A forms an integral part of this standard.
Annexes B, C, D and E are for information only.

– 8 – 61967-4 © CEI:2002
La CEI 61967 se compose des parties suivantes, sous le titre général Circuits intégrés –
Mesure des émissions électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz:
Partie 1: Conditions générales et définitions
Partie 2: Mesure des émissions rayonnées − Méthode de la cellule TEM
Partie 3: Mesure des émissions rayonnées − Méthode de scrutation surfacique
Partie 4: Mesure des émissions conduites − Méthode par couplage direct 1Ω/150Ω
Partie 5: Mesure des émissions conduites − Méthode de la cage de Faraday sur banc de travail
Partie 6: Mesure des émissions conduites − Méthode de la sonde magnétique
Le comité a décidé que cette publication reste valable jusqu’en 2008. A cette date, selon
décision préalable du comité, la publication sera
• reconduite;
• supprimée;
• remplacée par une édition révisée, ou
• amendée.
Le contenu du corrigendum de juin 2017 a été pris en considération dans cet exemplaire.

___________
A l’étude
A publier
61967-4 © IEC:2002 – 9 –
IEC 61967 consists of the following parts, under the general title Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic emissions, 150 kHz to 1 GHz:
Part 1: General conditions and definitions
Part 2: Measurement of radiated emissions – TEM-cell method
Part 3: Measurement of radiated emissions – Surface scan method
Part 4: Measurement of conducted emissions – 1 Ω/150 Ω direct coupling method
Part 5: Measurement of conducted emissions – Workbench Faraday cage method
Part 6: Measurement of conducted emissions – Magnetic probe method
The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged until
2008. At this date, the publication will be
• reconfirmed;
• withdrawn;
• replaced by a revised edition, or
• amended.
The contents of the corrigendum of June 2017 have been included in this copy.

___________
Under consideration
To be published
– 10 – 61967-4  CEI:2002
CIRCUITS INTÉGRÉS – MESURE DES ÉMISSIONS
ÉLECTROMAGNÉTIQUES, 150 kHz À 1 GHz –
Partie 4: Mesure des émissions conduites –
Méthode par couplage direct 1 ΩΩΩΩ/150 ΩΩΩΩ
1 Domaine d’application
La présente partie de la CEI 61967 spécifie une méthode de mesure de l'émission électro-
magnétique conduite (EME) des circuits intégrés par mesure directe des courants RF avec
une sonde résistive de 1 Ω et mesure des tensions RF en utilisant un réseau de couplage
de 150 Ω. Ces méthodes garantissent un degré élevé de répétabilité, ainsi que la
corrélation des mesures EME.
La CEI 61967-1 précise les conditions générales et les définitions des méthodes d'essai.
2 Références normatives
Les documents de référence suivants sont indispensables pour l'application du présent
document. Pour les références datées, seule l'édition citée s'applique. Pour les références non
datées, la dernière édition du document de référence s'applique (y compris les éventuels
amendements).
CEI 61000-4-6, Compatibilité électromagnétique (CEM) – Partie 4-6: Techniques d'essai et de
mesure – Immunité aux perturbations conduites, induites par les champs radioélectriques
CEI 61967-1, Circuits intégrés – Mesure des émissions électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz
– Partie 1: Conditions générales et définitions
CISPR 16-1, Spécifications des méthodes et des appareils de mesure des perturbations
radioélectriques et de l’immunité aux perturbations radioélectriques – Partie 1: Appareils de
mesure des perturbations radioélectriques et de l’immunité aux perturbations radioélectriques
3 Définitions
Se reporter à la CEI 61967-1.
4 Généralités
4.1 Principes de base de mesure
Le niveau d'émission maximal toléré d'un CI (circuit intégré) dépend du niveau d'émission
maximal admis du système électronique qui contient le circuit intégré, ainsi que du niveau
d'immunité des autres éléments du système électronique proprement dit (appelé CEM
naturelle). La valeur de ce niveau d'émission dépend des paramètres (ambiants) spécifiques
au système et à l'application. Pour caractériser les CI, c'est-à-dire fournir des valeurs EME
types pour une fiche technique, une méthode de mesure simple et des montages de mesure
non résonants sont nécessaires pour garantir un degré élevé de répétabilité. La base de cette
procédure d’essai est explicitée ci-dessous.

61967-4  IEC:2002 – 11 –
INTEGRATED CIRCUITS –
MEASUREMENT OF ELECTROMAGNETIC EMISSIONS,
150 kHz TO 1 GHz –
Part 4: Measurement of conducted emissions –
1 ΩΩ/150 ΩΩ direct coupling method
ΩΩ ΩΩ
1 Scope
This part of IEC 61967 specifies a method to measure the conducted electromagnetic emission
(EME) of integrated circuits by direct radio frequency (RF) current measurement with a
1 Ω resistive probe and RF voltage measurement using a 150 Ω coupling network. These
methods guarantee a high degree of repeatability and correlation of EME measurements.
IEC 61967-1 specifies general conditions and definitions of the test methods.
2 Normative references
The following referenced documents are indispensable for the application of this document. For
dated references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition of
the referenced document (including any amendments) applies.
IEC 61000-4-6, Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4-6: Testing and measurement
techniques – Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency fields
IEC 61967-1, Integrated circuits − Measurement of electromagnetic emissions, 150 kHz to
1 GHz – Part 1: General conditions and definitions
CISPR 16-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and
methods – Part 1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus
3 Definitions
See IEC 61967-1.
4 General
4.1 Measurement basics
The maximum tolerated emission level from an integrated circuit (IC) depends on the permitted
maximum emission level of the electronic system, which includes the IC, and also on the
immunity level of other parts of the electronic system itself (so called inherent EMC). The value
of this emission level is dependent on system and application specific (ambient) parameters.
To characterise ICs, i.e. to provide typical EME values for a data sheet, a simple measurement
procedure and non-resonant measurement set-ups are required to guarantee a high degree of
repeatability. The following describes the basis of this test procedure.

– 12 – 61967-4  CEI:2002
V
alimentation
CI
E/S
i
i
Externe
Alimentation
Sonde
Boucle 2 Boucle 1
courant RF
i + i
1 2
Masse
Masse
IEC  894/02
Figure 1 – Exemple de deux boucles d’émission retournant au CI
par l’intermédiaire de la masse de référence
L'émission d'un CI est générée par des variations de tensions et de courants suffisamment
rapides à l'intérieur du CI. Ces variations entraînent les courants RF à l'intérieur et à l'extérieur
du CI. Les courants RF provoquent une EME conduite qui est principalement répartie par les
boucles de conducteurs de broches CI dans la carte à circuit imprimé et le câblage. Ces
boucles sont considérées comme les antennes cadres d'émission. Par comparaison avec la
dimension de ces boucles, les boucles de la structure interne du CI sont considérées comme
petites.
Les courants RF qui accompagnent l'action des CI ont une amplitude, une phase et une
répartition spectrale différentes. Tout courant RF a sa propre boucle de retour vers le CI.
Toutes les boucles retournent principalement vers le CI par l'intermédiaire de la liaison à la
masse ou de la liaison d’alimentation. La figure 1 présente ce processus pour deux boucles
avec retour par la liaison à la masse. La boucle 1 représente le câblage d'alimentation pour
le CI, tandis que la boucle 2 représente l'acheminement d'un signal de sortie. Le trajet de
retour commun par l'intermédiaire de la masse constitue un emplacement approprié pour
mesurer l'EME conduite en tant que mesure du courant somme RF commun du contact à la
masse. Cet essai est appelé «essai de mesure du courant RF».
Lorsque le CI en essai ne dispose que d'un seul contact à la masse et que toutes les autres
broches sont supposées contribuer sensiblement à l'EME, le courant somme RF doit alors être
mesuré entre le contact à la masse du CI en essai et la masse elle-même (voir i + i à la
1 2
figure 1).
V
alimentation
E/S
CI
i i
2 1
E/S
Externe Alimentation
Masse
Boucle 3
Masse CI
Boucle 1
Boucle 2
Sonde
courant RF
i + i
1 2
Masse périphérique et de protection RF
IEC  895/02
Figure 2 – Exemple de CI avec deux contacts à la masse,
une petite boucle E/S et deux boucles d’émission
Si le CI en essai dispose de plusieurs contacts à la masse ou si certaines broches ne sont pas
supposées contribuer outre mesure à l'EME dans son ensemble, le CI en essai a alors son
propre plan de masse comme indiqué à la figure 2. Ce plan de masse est appelé «masse CI».
Il est isolé de l'autre masse, appelée «masse périphérique et de protection RF». Le courant RF
est mesuré entre la masse CI et la masse périphérique.

61967-4  IEC:2002 – 13 –
V
supply
IC
I/O
i i
2 1
External Supply
RF current
Loop 2 Loop 1
probe
i + i
1 2
Gnd
Ground
IEC  894/02
Figure 1 – Example of two emitting loops returning to the IC via common ground
The emission of an IC is generated by sufficiently fast changes of voltages and currents inside
the IC. These changes drive RF currents inside and outside the IC. The RF currents cause
conducted EME, which is mainly distributed via the IC pins conductor loops in the printed circuit
board (PCB) and the cabling. These loops are regarded as the emitting loop antennas. In
comparison to the dimension of these loops, the loops in the internal IC structure are
considered to be small.
The RF currents that accompany ICs action are different in amplitude, phase and spectral
content. Any RF current has its own loop that returns to the IC. All loops return mostly via the
ground or supply connection back to the IC. In figure 1, this is shown for two loops returning
via ground. Loop 1 represents the supply wiring harness for the IC while loop 2 represents the
routing of an output signal. The common return path via ground is a suitable location to
measure the conducted EME as the measurement of the common RF sum current of the
ground pin. This test is named the “RF current measurement”.
If the IC under test has only one ground pin and all other pins are suspected to contribute
essentially to the EME, then the RF sum current is measured between the ground pin of the IC
under test and the ground (see i + i in figure 1).
1 2
V
supply
I/O
IC
i i
I/O 2 1
External Supply
Gnd Loop 3
IC ground
RF current
Loop 2 Loop 1
probe
i + i
1 2
RF-shield and peripheral ground
IEC  895/02
Figure 2 – Example of IC with two ground pins, a small I/O loop and two emitting loops
If the IC under test has more than one ground pin or some of the pins are not suspected to
contribute much to the whole EME, then the IC under test gets its own ground plane as shown
in figure 2. This ground plane is named “IC ground”. It is kept separately from the other ground,
that is named “RF-shield and peripheral ground”. The RF current is measured between the IC
ground and the peripheral ground.

– 14 – 61967-4  CEI:2002
Les CI sont souvent utilisés dans des configurations différentes selon l'application. Par
exemple, un microcontrôleur pourrait être utilisé comme un contrôleur monopuce dont les
accès E/S sont directement reliés au système de câblage externe. Afin de comprendre
l'influence d'une seule broche E/S sur le niveau d'émission du CI, une méthode de mesure
supplémentaire, utilisant le même matériel, est prévue. Cette mesure est appelée «mesure de
la tension RF monobroche des broches CI» (voir également 4.3). Outre la mesure du courant
somme RF, il peut être intéressant de mesurer le courant RF d'une seule broche d'alimentation
pour l'analyse d'un CI. Cela peut également être effectué par l'application de la sonde de
mesure des courants RF. La sonde de courant RF peut par exemple être appliquée à l'une
quelconque des masses parmi plusieurs masses ou aux broches d'alimentation, afin de
quantifier la contribution de la broche mesurée à l'émission dans son ensemble.
4.2 Mesure du courant RF
Pour l’essai, cette mesure doit être effectuée en mesurant la tension à travers une résistance de
1 Ω sous forme d'une sonde de courant RF utilisant un récepteur d’essai. La mesure doit être
effectuée à l’emplacement montré à la figure 1 et à la figure 2. La construction de la sonde de
courant RF est spécifiée en 6.2. Le niveau de tension RF mesuré par le récepteur est la tension
résultant de tous les courants RF retournant au CI à travers l’impédance de la sonde. La mesure
de tension peut être convertie en courant en divisant la tension par l’impédance de la sonde.
4.3 Mesure de la tension RF aux broches CI
Cette mesure est utilisée pour identifier la contribution d’une seule broche ou d’un groupe de
broches à l’EME du CI en essai. Cette mesure est uniquement appliquée aux broches du CI en
essai qui sont destinées à être reliées directement à des pistes de cartes à circuit imprimé ou
faisceaux de fils de grande longueur (plus de 10 cm). Ces broches sont chargées par une
impédance d’antenne type de 150 Ω, comme spécifié dans la CEI 61000-4-6. Pour relier le
récepteur d’essai, qui a une impédance d’entrée de 50 Ω, la charge doit être établie comme un
réseau d’adaptation d’impédance. Ce réseau d’adaptation est défini en 6.4.
D’autres broches d’E/S d’un CI peuvent être chargées comme spécifié dans la partie générale
de la CEI 61967-1.
4.4 Evaluation de la technique de mesure
Les techniques mentionnées ci-dessus ont les propriétés suivantes:
– reproductibilité élevée des mesures, du fait que peu de paramètres ont une influence
sur le résultat;
– capacité de comparer différentes configurations CI (par exemple boîtiers);
– les mesures EME monobroche des différentes broches E/S dépendent de leur importance
pour l'émission dans une application spécifique;
– évaluation de la contribution EME du CI en utilisant la mesure de la somme des courants;
– fonction de transfert linéaire avec réponse à fréquence constante étant donné que la
mesure est effectuée en utilisant une impédance résistive;
– étalonnage simple de l'impédance de mesure en utilisant la mesure de la perte d'insertion;
– la mesure est également possible à de très basses fréquences.
Avec ces caractéristiques, il est possible de mesurer l'EME des CI avec un haut degré de
reproductibilité et cette technique offre par conséquent une bonne méthode de comparaison.
L’annexe D donne un exemple de la manière dont les techniques de mesure peuvent être
utilisées pour l’évaluation des CI.

61967-4  IEC:2002 – 15 –
ICs are often used in different configurations based on the application. For instance, a
microcontroller could be used as a single chip controller, with the I/O ports directly connected
to the external cabling system. In order to understand the influence of a single I/O pin on the
emission level of the IC, an additional measurement procedure, using the same equipment, is
provided. This measurement is named “single pin RF voltage measurement at IC pins”
(see also 4.3). In addition to the RF sum current measurement, the RF current measurement of
a single supply pin may be of interest in the analysis of an IC. This can also be attained with
application of the RF current measurement probe. For example, the RF current probe can be
applied to any of the multiple ground or supply pins in order to quantify the contribution of the
measured pin to the whole emission.
4.2 RF current measurement
In the test procedure this measurement shall be made by measuring the voltage across the 1 Ω
resistance of a RF current probe using a test receiver. The measurement shall be made at the
location shown in figure 1 and figure 2. The construction of the RF current probe is specified
in 6.2. The RF voltage level measured by the receiver is the voltage resulting from all of RF
currents returning to the IC through the probe impedance. The voltage measurement can be
converted to current by dividing the voltage by the probe impedance.
4.3 RF voltage measurement at IC pins
This measurement is used to identify the contribution of a single pin or a group of pins to the
EME of the IC under test. This measurement is only applied to those pins of the IC under
test that are intended to be connected directly to long (longer than 1
...