IEC 60747-2:2000

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-2
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-03
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets et circuits intégrés –
Partie 2:
Diodes de redressement
Semiconductor devices –
Discrete devices and integrated circuits –
Part 2:
Rectifier diodes
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-2:2000
Numéros des publications Numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. issued with a designation in the 60000 series.
Publications consolidées Consolidated publications
Les versions consolidées de certaines publications de Consolidated versions of some IEC publications
la CEI incorporant les amendements sont disponibles. including amendments are available. For example,
Par exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 edition numbers 1.0, 1.1 and 1.2 refer, respectively, to
indiquent respectivement la publication de base, la the base publication, the base publication incor-
publication de base incorporant l’amendement 1, et la porating amendment 1 and the base publication
publication de base incorporant les amendements 1 incorporating amendments 1 and 2.
et 2.
Validité de la présente publication Validity of this publication
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. the content reflects current technology.
Des renseignements relatifs à la date de reconfir- Information relating to the date of the reconfirmation
mation de la publication sont disponibles dans le of the publication is available in the IEC catalogue.
Catalogue de la CEI.
Les renseignements relatifs à des questions à l’étude et Information on the subjects under consideration and
des travaux en cours entrepris par le comité technique work in progress undertaken by the technical
qui a établi cette publication, ainsi que la liste des committee which has prepared this publication, as well
publications établies, se trouvent dans les documents ci- as the list of publications issued, is to be found at the
dessous: following IEC sources:
• «Site web» de la CEI* • IEC web site*
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
Publié annuellement et mis à jour Published yearly with regular updates
régulièrement
(Catalogue en ligne)* (On-line catalogue)*
• Bulletin de la CEI • IEC Bulletin
Disponible à la fois au «site web» de la CEI* Available both at the IEC web site* and
et comme périodique imprimé as a printed periodical
Terminologie, symboles graphiques Terminology, graphical and letter
et littéraux symbols
En ce qui concerne la terminologie générale, le lecteur For general terminology, readers are referred to
se reportera à la CEI 60050: Vocabulaire Electro- IEC 60050: International Electrotechnical Vocabulary
technique International (VEI). (IEV).
Pour les symboles graphiques, les symboles littéraux For graphical symbols, and letter symbols and signs
et les signes d'usage général approuvés par la CEI, le approved by the IEC for general use, readers are
lecteur consultera la CEI 60027: Symboles littéraux à referred to publications IEC 60027: Letter symbols to
utiliser en électrotechnique, la CEI 60417: Symboles be used in electrical technology, IEC 60417: Graphical
graphiques utilisables sur le matériel. Index, relevé et symbols for use on equipment. Index, survey and
compilation des feuilles individuelles, et la CEI 60617: compilation of the single sheets and IEC 60617:
Symboles graphiques pour schémas. Graphical symbols for diagrams.
* Voir adresse «site web» sur la page de titre. * See web site address on title page.

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-2
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-03
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets et circuits intégrés –
Partie 2:
Diodes de redressement
Semiconductor devices –
Discrete devices and integrated circuits –
Part 2:
Rectifier diodes
 IEC 2000 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
Aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni No part of this publication may be reproduced or utilized in
utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun procédé, any form or by any means, electronic or mechanical,
électronique ou mécanique, y compris la photo-copie et les including photocopying and microfilm, without permission in
microfilms, sans l'accord écrit de l'éditeur. writing from the publisher.
International Electrotechnical Commission 3, rue de Varembé Geneva, Switzerland
Telefax: +41 22 919 0300 e-mail: inmail@iec.ch IEC web site http://www.iec.ch
CODE PRIX
Commission Electrotechnique Internationale
XB
PRICE CODE
International Electrotechnical Commission
Pour prix, voir catalogue en vigueur
For price, see current catalogue

– 2 – 60747-2 © CEI:2000
SOMMAIRE
Pages
AVANT-PROPOS .10
Articles
1 Domaine d'application.12
2 Références normatives .12
3 Termes et définitions .12
3.1 Termes généraux .14
3.2 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: tensions .14
3.3 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: courants .16
3.4 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: dissipations
de puissance .20
3.5 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: autres caractéristiques 20
4 Symboles littéraux .28
4.1 Généralités.28
4.2 Indices généraux supplémentaires .28
4.2.1 Pour les courants, les tensions et les puissances .28
4.2.2 Pour les paramètres électriques.28
4.3 Liste de symboles littéraux.28
4.3.1 Tensions.30
4.3.2 Courants.32
4.3.3 Puissances . 34
4.3.4 Commutation .34
5 Valeurs limites et caractéristiques essentielles. 34
5.1 Généralités.34
5.1.1 Gamme d'application .34
5.1.2 Méthodes de spécification.34
5.1.3 Températures recommandées.34
5.2 Conditions pour les valeurs limites.36
5.2.1 Diodes de redressement à température ambiante spécifiée .36
5.2.2 Diodes de redressement à température de boîtier spécifiée. 36
5.3 Valeurs limites de tension et de courant.36
5.3.1 Tension inverse de pointe non répétitive (V ).36
RSM
5.3.2 Tension inverse de pointe répétitive (V ) .36
RRM
5.3.3 Tension inverse de crête (V ) .36
RWM
5.3.4 Tension inverse continue (V ) (s'il y a lieu) .38
R
5.3.5 Courant direct moyen (I ) .38
FAV
5.3.6 Courant direct de pointe répétitif (I ) (s'il y a lieu), (spécialement pour
FRM
les diodes à commutation rapide).38
5.3.7 Courant direct de surcharge prévisible (l ).40
(OV)
5.3.8 Courant direct non répétitif de surcharge accidentelle (I ) .40
FSM
5.3.9 Courant direct continu (I ).40
F
5.3.10 Courant de pointe pour non-rupture du boîtier (I ). 40
RSMC
60747-2 © IEC:2000 – 3 –
CONTENTS
Page
FOREWORD .11
Clause
1 Scope . 13
2 Normative references. 13
3 Terms and definitions. 13
3.1 General terms. 15
3.2 Terms related to ratings and characteristics: voltages. 15
3.3 Terms related to ratings and characteristics: currents . 17
3.4 Terms related to ratings and characteristics: power dissipations . 21
3.5 Terms related to ratings and characteristics: other characteristics . 21
4 Letter symbols . 29
4.1 General. 29
4.2 Additional general subscripts . 29
4.2.1 For currents, voltages and powers . 29
4.2.2 For electrical parameters . 29
4.3 List of letter symbols. 29
4.3.1 Voltages. 31
4.3.2 Currents. 33
4.3.3 Powers. 35
4.3.4 Switching . 35
5 Essential ratings and characteristics . 35
5.1 General. 35
5.1.1 Range of application . 35
5.1.2 Rating methods. 35
5.1.3 Recommended temperatures . 35
5.2 Rating conditions . 37
5.2.1 Ambient-rated rectifier diodes . 37
5.2.2 Case-rated rectifier diodes . 37
5.3 Voltage and current ratings (limiting values) . 37
5.3.1 Non-repetitive peak reverse voltage (V ) . 37
RSM
5.3.2 Repetitive peak reverse voltage (V ) . 37
RRM
5.3.3 Crest (peak) working reverse voltage (V ). 37
RWM
5.3.4 Continuous (direct) reverse voltage (V ) (where appropriate). 39
R
5.3.5 Mean forward current (I ) . 39
FAV
5.3.6 Repetitive peak forward current (I ) (where appropriate),
FRM
(especially for fast-switching diodes). 39
5.3.7 Overload forward current (I ) . 41
(OV)
5.3.8 Surge (non-repetitive) forward current (I ) . 41
FSM
5.3.9 Continuous (direct) forward current (I ) . 41
F
5.3.10 Peak case non-rupture current (I ). 41
RSMC
– 4 – 60747-2 © CEI:2000
5.4 Valeurs limites de fréquence.40
5.5 Valeurs limites de dissipation de puissance .42
5.5.1 Dissipation de puissance inverse due à une surcharge accidentelle (non
répétitive) (pour les diodes de redressement à avalanche et à avalanche
contrôlée) .42
5.5.2 Dissipation de puissance inverse de pointe répétitive (pour les diodes
de redressement à avalanche contrôlée) .42
5.5.3 Dissipation de puissance inverse moyenne (pour les diodes de redres-
sement à avalanche contrôlée) .42
5.6 Valeurs limites de température .42
5.6.1 Températures du fluide de refroidissement (T ) ou du point de référence
a
(T ) (pour les diodes de redressement à température ambiante ou à
ref
température de boîtier spécifiée).42
5.6.2 Températures de stockage (T ) .42
stg
5.6.3 Température virtuelle de jonction (T ) (s'il y a lieu) .42
vj
5.7 Caractéristiques électriques.42
5.7.1 Caractéristiques directes (s'il y a lieu) .42
5.7.2 Tension directe (dans des conditions d'équilibre thermique) .44
5.7.3 Tension de claquage (V ) (d'une diode de redressement à avalanche
(BR)
pour utilisation non répétitive) .44
5.7.4 Courant inverse de pointe répétitif (I ) .44
RM
5.7.5 Dissipation de puissance totale (P ) .44
tot
5.7.6 Energie totale maximale pour une impulsion de courant direct en forme
de demi-onde sinusoïdale (s'il y a lieu) (spécialement pour les diodes
à commutation rapide) .44
5.7.7 Charge recouvrée (Q ) (s'il y a lieu).46
r
5.7.8 Courant de recouvrement inverse de pointe (I ) (s'il y a lieu) .46
RM
5.7.9 Temps de recouvrement inverse (t ) (s'il y a lieu). .48
rr
5.7.10 Temps de recouvrement direct (t ) (s'il y a lieu) .48
fr
5.7.11 Tension de pointe de recouvrement direct (V ) (s’il y a lieu) .48
FRM
5.7.12 Facteur de douceur de recouvrement inverse (F ) (s’il y a lieu) .48
RRS
5.8 Caractéristiques thermiques (s'il y a lieu) .50
5.8.1 Impédance thermique transitoire (Z (t)).50
th
5.9 Caractéristiques mécaniques et autres données .50
5.10 Données d'applications.50
5.10.1 Fonctionnement en régime stable (comprenant les surcharges). 50
5.10.2 Conditions de régime transitoire.50
6 Exigences pour les essais de type et essais individuels; marquage des diodes de
redressement .52
6.1 Essais de type .52
6.2 Essais individuels .52
6.3 Méthodes de mesure et d'essais.52
6.4 Marquage des diodes de redressement.54

60747-2 © IEC:2000 – 5 –
5.4 Frequency ratings (limiting values). 41
5.5 Power dissipation ratings (limiting values). 43
5.5.1 Surge (non-repetitive) reverse power dissipation (for avalanche and
controlled-avalanche rectifier diodes). 43
5.5.2 Repetitive peak reverse power dissipation (for controlled-avalanche
rectifier diodes) . 43
5.5.3 Mean reverse power dissipation (for controlled-avalanche rectifier
diodes). 43
5.6 Temperature ratings (limiting values) . 43
5.6.1 Cooling fluid (T ) or reference-point temperatures (T ) (for ambient-
a ref
rated or case-rated rectifier diodes) . 43
5.6.2 Storage temperatures (T ) . 43
stg
5.6.3 Virtual junction temperature (T ) (where appropriate) . 43
vj
5.7 Electrical characteristics . 43
5.7.1 Forward characteristics (where appropriate). 43
5.7.2 Forward voltage (under thermal equilibrium conditions). 45
5.7.3 Breakdown voltage (V ) (of an avalanche rectifier diode, for
(BR)
non-repetitive use) . 45
5.7.4 Repetitive peak reverse current (I ). 45
RM
5.7.5 Total power dissipation (P ) . 45
tot
5.7.6 Maximum total energy for one half-sine wave forward current pulse
(where appropriate) (especially for fast-switching diodes) . 45
5.7.7 Recovered charge (Q ) (where appropriate) . 47
r
5.7.8 Peak reverse recovery current (I ) (where appropriate) . 47
RM
5.7.9 Reverse recovery time (t ) (where appropriate) . 49
rr
5.7.10 Forward recovery time (t ) (where appropriate). 49
fr
5.7.11 Peak forward recovery voltage (V ) (where appropriate) . 49
FRM
5.7.12 Reverse recovery softness factor (F ) (where appropriate) . 49
RRS
5.8 Thermal characteristics (where appropriate) . 51
5.8.1 Transient thermal impedance (Z (t)). 51
th
5.9 Mechanical characteristics and other data . 51
5.10 Application data . 51
5.10.1 Steady-state operation (including overload) . 51
5.10.2 Transient conditions. 51
6 Requirements for type tests and routine tests; marking of rectifier diodes . 53
6.1 Type tests. 53
6.2 Routine tests . 53
6.3 Measuring and test methods . 53
6.4 Marking of rectifier diodes. 55

– 6 – 60747-2 © CEI:2000
7 Méthodes d'essai et de mesure.54
7.1 Méthodes de mesure pour caractéristiques électriques .54
7.1.1 Précautions générales .54
7.1.2 Tension directe.56
7.1.3 Tension de claquage (V ) des diodes de redressement à avalanche
(BR)
et à avalanche contrôlée .60
7.1.4 Courant inverse .62
7.1.5 Charge recouvrée et temps de recouvrement inverse (Q , t ) .68
r rr
7.1.6 Temps de recouvrement direct, (t ) et tension de recouvrement direct de
fr
pointe (V ).76
FRM
7.2 Méthodes de mesure des caractéristiques thermiques .80
7.2.1 Température du point de référence .80
7.2.2 Résistance thermique et impédance thermique transitoire . 80
7.3 Méthodes d'essai pour la vérification (valeurs limites) .88
7.3.1 Courant direct non répétitif de surcharge accidentelle . 88
7.3.2 Tension inverse de pointe non répétitive (V ).90
RSM
7.3.3 Puissance inverse de pointe (répétitive ou non répétitive) (P , P )
RRM RSM
des diodes de redressement à avalanche et à avalanche contrôlée .92
7.3.4 Courant de pointe pour non-rupture du boîtier . 102
7.4 Essais d'endurance . 106
7.4.1 Liste des essais d'endurance . 106
7.4.2 Conditions pour les essais d'endurance . 106
7.4.3 Critères de défaillance et caractéristiques définissant la défaillance
pour les essais de réception . 108
7.4.4 Critères de défaillance et caractéristiques définissant la défaillance
pour les essais de fiabilité. 108
7.4.5 Procédure à suivre dans le cas d'une erreur d'essai . 108
7.4.6 Essai de charge thermique cyclique . 112
Annexe A (informative) Calcul de l'accroissement de température dû à une charge
variable en fonction du temps. 114
Figure 1 – Forme d'onde de la tension pendant le recouvrement direct .22
Figure 2 – Forme d'onde du courant pendant le recouvrement inverse .24
Figure 3 – Charge recouvrée.26
Figure 4 – Valeurs limites de la tension inverse .30
Figure 5 – Caractéristique directe.30
Figure 6 – Valeurs limites du courant direct .32
Figure 7 – Courant direct de pointe maximal I en fonction de la durée de l'impulsion t
FRM p
Paramètre: fréquence de répétition f .38
Figure 7a – Définition du temps d'impulsion t et du temps de cycle T .38
p
Figure 8 – Energie totale maximale pour une impulsion de courant direct en forme de
demi-onde sinusoïdale pour différentes valeurs de courant et de durée de l'impulsion
Paramètre: énergie de l'impulsion en joules.46
Figure 9 – Charge recouvrée Q , courant de recouvrement inverse de pointe I , temps de
r RM
recouvrement inverse t (caractéristiques idéales) .46
rr
Figure 10 – Circuit de mesure de la tension directe (méthode en courant continu) .56
Figure 11 – Circuit de mesure de la tension directe (méthode de l'oscilloscope).56
Figure 12 – Schéma.58
Figure 13 – Circuit de mesure de la tension directe moyenne .60
Figure 14 – Schéma.60

60747-2 © IEC:2000 – 7 –
7 Measuring and test methods . 55
7.1 Measuring methods for electrical characteristics . 55
7.1.1 General precautions. 55
7.1.2 Forward voltage . 57
7.1.3 Breakdown voltage (V ) of avalanche and controlled-avalanche
(BR)
rectifier diodes . 61
7.1.4 Reverse current . 63
7.1.5 Recovered charge and reverse recovery time (Q , t ). 69
r rr
7.1.6 Forward recovery time (t ) and peak forward recovery voltage (V ) . 77
fr FRM
7.2 Measuring methods for thermal characteristics . 81
7.2.1 Reference point temperature. 81
7.2.2 Thermal resistance and transient thermal impedance. 81
7.3 Verification test methods for ratings (limiting values) . 89
7.3.1 Surge (non-repetitive) forward current. 89
7.3.2 Non-repetitive peak reverse voltage (V ) . 91
RSM
7.3.3 Peak reverse power (repetitive or non-repetitive) (P , P ) of
RRM RSM
avalanche and controlled-avalanche rectifier diodes . 93
7.3.4 Peak case non-rupture current . 103
7.4 Endurance test . 107
7.4.1 List of endurance tests. 107
7.4.2 Conditions for endurance tests. 107
7.4.3 Failure criteria and failure-defining characteristics for acceptance tests . 109
7.4.4 Failure-defining characteristics and failure criteria for reliability tests . 109
7.4.5 Procedure in case of a testing error . 109
7.4.6 Thermal cycling load test . 113
Annex A (informative) Calculation of the temperature rise under time varying load . 115
Figure 1 – Voltage waveform during forward recovery . 23
Figure 2 – Current waveform during reverse recovery . 25
Figure 3 – Recovered charge . 27
Figure 4 – Reverse voltage ratings . 31
Figure 5 – Forward characteristic . 31
Figure 6 – Forward current ratings . 33
Figure 7 – Maximum peak forward current I as a function of pulse duration t
FRM p
Parameter: repetition frequency f . 39
Figure 7a – Definition of pulse time t and cycle time T . 39
p
Figure 8 – Maximum total energy of one half-sine wave forward current pulse,
for various values of current and pulse duration. Parameter: pulse energy in joules . 47
Figure 9 – Recovered charge Q , peak reverse recovery current I , reverse recovery
r RM
time t (idealized characteristics) . 47
rr
Figure 10 – Circuit for the measurement of forward voltage (d.c. method) . 57
Figure 11 – Circuit for the measurement of forward voltage (oscilloscope method) . 57
Figure 12 – Circuit diagram . 59
Figure 13 – Circuit for the measurement of average forward voltage . 61
Figure 14 – Circuit diagram . 61

– 8 – 60747-2 © CEI:2000
Figure 15 – Circuit de mesure du courant inverse (méthode en courant continu) .62
Figure 16 – Circuit de mesure du courant inverse (méthode de l'oscilloscope) .64
Figure 17 – Schéma.64
Figure 18 – Schéma.66
Figure 19 – Schéma.68
Figure 20 – Forme d'onde du courant traversant la diode D .70
Figure 21 – Schéma.72
Figure 22 – Forme d'onde du courant traversant la diode D .74
Figure 23 – Schéma.76
Figure 24 – Formes d'onde du courant et de la tension .78
Figure 25 – Schéma.82
Figure 26 – Schéma.86
Figure 27 – Schéma.88
Figure 28 – Schéma.90
Figure 29 – Circuit pour la vérification de la valeur limite de la puissance inverse de pointe
des diodes de redressement à avalanche et à avalanche contrôlée (méthode avec un
courant inverse de forme d'onde triangulaire) .94
Figure 30 – Forme d'onde du courant inverse .96
Figure 31 – Circuit pour la vérification de la valeur limite de la puissance inverse de pointe
des diodes de redressement à avalanche et à avalanche contrôlée (méthode avec un
courant inverse de forme d'onde sinusoïdale).96
Figure 32 – Forme d'onde du courant inverse .98
Figure 33 – Circuit pour la vérification de la valeur limite de la puissance inverse de pointe
des diodes de redressement à avalanche et à avalanche contrôlée (méthode avec un
courant inverse de forme d'onde rectangulaire) .98
Figure 34 – Forme d'onde du courant inverse .100
Figure 35 – Vérification de P , puissance inverse en fonction de la tension de claquage.102
RSM
Figure 36 – Schéma.1 04
Figure 37 – Forme d'onde du courant inverse i traversant le dispositif en essai.104
R
Figure 38 – Circuit d'essai et forme d'onde .112
Figure A.1 – Approximation en escalier pour des impulsions non rectangulaires .114
Figure A.2 – Impulsion rectangulaire de durée t produisant la dissipation de puissance P
dans le dispositif à semiconducteurs .116
Figure A.3 – Impédance thermique transitoire Z (t) en fonction du temps.116
th
Figure A.4 – Suite unique de trois impulsions rectangulaires.118
Figure A.5 – Suite périodique d'impulsions semblables . 120
Figure A.6 – Suite périodique comportant chacune deux impulsions différentes . 122
Tableau 1 – Essais de type et individuels minimaux pour les diodes de redressement.54
Tableau 2 – Caractéristiques définissant la défaillance pour la réception après les essais
d'endurance .108
Tableau 3 – Conditions pour les essais d'endurance.110
Tableau A.1 – Equations de calcul de l'augmentation de température virtuelle de jonction
pour certaines conditions de charge .126

60747-2 © IEC:2000 – 9 –
Figure 15 – Circuit for the measurement of reverse current (d.c. method). 63
Figure 16 – Circuit for the measurement of reverse current (oscilloscope method) . 65
Figure 17 – Circuit diagram . 65
Figure 18 – Circuit diagram . 67
Figure 19 – Circuit diagram . 69
Figure 20 – Current waveform through the diode D. 71
Figure 21 – Circuit diagram . 73
Figure 22 – Current waveform through the diode D. 75
Figure 23 – Circuit diagram . 77
Figure 24 – Current and voltage waveforms . 79
Figure 25 – Circuit diagram . 83
Figure 26 – Circuit diagram . 87
Figure 27 – Circuit diagram . 89
Figure 28 – Circuit diagram . 91
Figure 29 – Circuit for verification of rating of peak reverse power of avalanche and
controlled-avalanche rectifier diodes (triangular waveform reverse current method) . 95
Figure 30 – Reverse current waveform . 97
Figure 31 – Circuit for verification of rating of peak reverse power of avalanche and
controlled-avalanche rectifier diodes (sinusoidal waveform reverse current method) . 97
Figure 32 – Reverse current waveform . 99
Figure 33 – Circuit for verification of rating of peak reverse power of avalanche and
controlled-avalanche rectifier diodes (rectangular waveform reverse current method) . 99
Figure 34 – Reverse current waveform . 101
Figure 35 – Verification of P reverse power versus breakdown. 103
RSM
Figure 36 – Circuit diagram . 105
Figure 37 – Waveform of the reverse current i through the device under test. 105
R
Figure 38 – Test circuit and test waveform . 113
Figure A.1 – Staircase approximation for non-rectangular pulses . 115
Figure A.2 – Rectangular pulse of duration t producing the power dissipation P in the
semiconductor device. 117
Figure A.3 – Transient thermal impedance Z (t) versus time. 117
th
Figure A.4 – Single sequence of three rectangular pulses . 119
Figure A.5 – Periodic sequence of identical pulses. 121
Figure A.6 – Periodic sequence of each two different pulses . 123
Table 1 – Minimum type and routine tests for rectifier diodes . 55
Table 2 – Failure-defining characteristics for acceptance after endurance tests. 109
Table 3 – Conditions for the endurance tests. 111
Table A.1 – Equations for calculating the virtual junction temperature rise for some
typical load variations.127

– 10 – 60747-2 © CEI:2000
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
____________
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –
DISPOSITIFS DISCRETS ET CIRCUITS INTÉGRÉS –
Partie 2: Diodes de redressement
AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Électrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation composée
de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a pour objet de
favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les domaines de
l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes internationales.
Leur élaboration est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le
sujet traité peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en
liaison avec la CEI, participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement avec l'Organisation
Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible, un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, spécifications techniques, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les Comités
nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière.
5) La CEI n’a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d’approbation et sa responsabilité
n’est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme à l’une de ses normes.
6) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Norme internationale peuvent faire
l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour
responsable de ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 60747-2 a été établie par le sous-comité 47E: Dispositifs discrets
à semiconducteurs, du comité d'études 47 de la CEI: Dispositifs à semiconducteurs.
Cette deuxième édition annule et remplace la première édition parue en 1983, son amende-
ment 1 (1992) et son amendement 2 (1993). Cette deuxième édition constitue une révision
technique.
Cette norme doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1.
Le texte de cette norme est issu des documents suivants:
FDIS Rapport de vote
47E/136/FDIS 47E/143/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
...