IEC 61643-341:2020
(Main)Components for low-voltage surge protection - Part 341: Performance requirements and test circuits for thyristor surge suppressors (TSS)
Components for low-voltage surge protection - Part 341: Performance requirements and test circuits for thyristor surge suppressors (TSS)
IEC 61643-341:2020 specifies standard test circuits and methods for thyristor surge suppressor (TSS) components. These surge protective components, SPCs, are specially formulated thyristors designed to limit overvoltages and divert surge currents by clamping and switching actions. These SPCs are used in the construction of surge protective devices (SPDs) and equipment used in Information & Communications Technologies (ICT) networks with voltages up to AC 1 000 V and DC 1 500 V. This document is applicable to gated or non-gated TSS components with third quadrant (-v and –i) characteristics of blocking, conducting or switching. This document contains information on
- terminology;
- letter symbols;
- essential ratings and characteristics;
- rating verification and characteristic measurement;
This document does not apply to the conventional three-terminal thyristors as covered by IEC 60747-6. This second edition of IEC 61643-341 cancels and replaces the first edition published in 2001. This edition constitutes a technical revision.This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: Addition of performance values.
Composants pour parafoudres basse tension - Partie 341: Exigences de performance et circuits d'essai pour parafoudres à thyristor (TSS)
IEC 61643-341:2020 spécifie les circuits d'essai et les méthodes normalisés pour les composants de parafoudre à thyristor (TSS, Thyristor Surge Suppressor). Ces composants de protection contre les surtensions (SPC, Surge Protective Components) sont des thyristors spécialement conçus pour limiter les surtensions et écouler les courants de surcharge par des actions d'écrêtage et de commutation. Ces SPC sont utilisés dans la construction de parafoudres (SPD, Surge Protective Devices) et d'équipements utilisés dans les réseaux de technologies de l'information et de la communication (TIC) dont les tensions atteignent 1 000 V CA et 1 500 V CC. Le présent document s'applique aux composants TSS à gâchette ou non, équipés d'un troisième quadrant (-v et –i) ayant des caractéristiques de blocage, de conduction ou de commutation. Le présent document contient des indications sur:
- la terminologie;
- les symboles littéraux;
- les valeurs assignées et les caractéristiques essentielles;
- la vérification des valeurs assignées et la mesure des caractéristiques.
Le présent document ne s'applique pas aux thyristors conventionnels à trois bornes couverts dans l'IEC 60747-6. Cette deuxième édition de l'IEC 61643-341 annule et remplace la première édition parue en 2001. Cette édition constitue une révision technique. Cette édition inclut la modification technique majeure suivante par rapport à l'édition précédente: Ajout de valeurs de performances.
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
IEC 61643-341 ®
Edition 2.0 2020-05
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Components for low-voltage surge protection –
Part 341: Performance requirements and test circuits for thyristor surge
suppressors (TSS)
Composants pour parafoudres basse tension –
Partie 341: Exigences de performance et circuits d'essai pour parafoudres
à thyristor (TSS)
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IEC 61643-341 ®
Edition 2.0 2020-05
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INTERNATIONALE
Components for low-voltage surge protection –
Part 341: Performance requirements and test circuits for thyristor surge
suppressors (TSS)
Composants pour parafoudres basse tension –
Partie 341: Exigences de performance et circuits d'essai pour parafoudres
à thyristor (TSS)
INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
ICS 31.080.10 ISBN 978-2-8322-8304-2
– 2 – IEC 61643-341:2020 © IEC 2020
CONTENTS
FOREWORD . 6
1 Scope . 8
2 Normative references . 8
3 Terms, definitions, abbreviated terms and symbols . 8
3.1 Parametric terms, letter symbols and definitions . 9
3.2 General terms . 9
3.3 Main terminal ratings . 9
3.4 Main terminal characteristics . 11
3.5 Additional and derived parameters . 12
3.6 Temperature related parameters . 12
3.7 Gate terminal parameters . 13
3.8 Abbreviated terms . 15
3.9 Circuit symbols . 15
4 TSS types . 16
5 Service conditions . 18
5.1 Normal service conditions . 18
.
5.2 Storage temperature range, T min to T max. . 18
stg stg
6 Mechanical requirements and identification . 18
6.1 Robustness of terminations . 18
6.2 Solderability . 18
6.3 Marking . 18
6.4 Documentation . 18
7 Standard test methods . 19
7.1 Failure rates . 19
7.2 Test conditions . 19
7.2.1 General. 19
7.2.2 Standard atmospheric conditions . 19
7.2.3 Measurement errors . 20
7.2.4 Measurement accuracy . 20
7.2.5 Designated impulse shape and values . 20
7.2.6 Multiple TSS . 20
7.2.7 Gated TSS testing . 20
7.3 Rating test procedures . 20
7.3.1 General. 20
7.3.2 Repetitive peak off-state voltage, V . 21
DRM
7.3.3 Repetitive peak on-state current, I . 21
TRM
7.3.4 Non-repetitive peak on-state current, I . 22
TSM
7.3.5 Non-repetitive peak pulse current, I . 23
PP
7.3.6 Repetitive peak reverse voltage, V . 24
RRM
7.3.7 Non-repetitive surge forward current, I . 24
FSM
7.3.8 Repetitive peak forward current, I . 24
FRM
7.3.9 Critical rate of rise of on-state current, di/dt . 25
7.4 Characteristic test procedures . 26
7.4.1 General. 26
7.4.2 Off-state current, I . 26
D
7.4.3 Repetitive peak off-state current, I . 27
DRM
7.4.4 Repetitive peak reverse current, I . 27
RRM
7.4.5 Breakover voltage, V and current, I . 27
(BO) (BO)
7.4.6 On-state voltage, V . 29
T
7.4.7 Holding current, I . 33
H
7.4.8 Off-state capacitance, C . 34
o
7.4.9 Forward voltage, V . 37
F
7.4.10 Peak forward recovery voltage, V . 37
FRM
7.4.11 Critical rate of off-state voltage rise, dv/dt . 38
7.4.12 Variation of holding current with temperature . 38
7.4.13 Gate-to-adjacent terminal peak off-state voltage and peak off-state
gate current, V , I . 38
GDM GDM
7.4.14 Gate reverse current, adjacent terminal open, I , I . 39
GAO GKO
7.4.15 Gate reverse current, main terminals short-circuited, I , I . 40
GAS GKS
Annex A (informative) Common impulse waveshapes . 41
A.1 General . 41
A.2 Types of impulse generator . 41
A.3 Impulse generator parameters . 41
A.3.1 Glossary of terms. 41
A.3.2 Virtual parameters . 42
A.4 Impulse generators typically used for surge protector testing . 44
A.4.1 General. 44
A.4.2 Impulse generators with a defined voltage waveform . 44
A.4.3 Impulse generators with a defined current waveform . 44
A.4.4 Generators with defined voltage and current waveforms . 45
Annex B (informative) Glossary of IEC 60747-6 [10] thyristor terms . 48
B.1 General . 48
B.2 Thyristor types . 48
B.3 Basic terms defining the static voltage-current characteristics of triode
thyristors .
...
Questions, Comments and Discussion
Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.