Integrated circuits - Measurement of electromagnetic immunity 150 kHz to 1 GHz - Part 4: Direct RF power injection method

Describes a method to measure the immunity of integrated circuits (IC) in the presence of conducted RF disturbances, e.g. resulting from radiated RF disturbances. This method guarantees a high degree of repeatability and correlation of immunity measurements. This standard establishes a common base for the evaluation of semiconductor devices used in equipment functioning in an environment subject to unwanted radio frequency electromagnetic waves.

Circuits intégrés - Mesure de l'immunité électromagnétique 150 kHz à 1 GHz - Partie 4: Méthode d'injection directe de puissance RF

Cette partie de la CEI 62132 d Décrit une méthode de mesure de l'immunité des circuits intégrés (CI) en présence de perturbations RF conduites, comme par exemple celles résultant de perturbations RF rayonnées. Cette méthode garantit un degré élevé de répétabilité et une corrélation des mesures d'immunité. Cette norme établit une base commune pour l'évaluation des dispositifs à semiconducteurs utilisés dans les matériels fonctionnant dans un environnement soumis à des ondes électromagnétiques à radiofréquences intempestives.

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Status
Published
Publication Date
20-Feb-2006
Technical Committee
Drafting Committee
Current Stage
PPUB - Publication issued
Start Date
15-Apr-2006
Completion Date
21-Feb-2006
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IEC 62132-4:2006 - Integrated circuits - Measurement of electromagnetic immunity 150 kHz to 1 GHz - Part 4: Direct RF power injection method
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NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
62132-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-02
Circuits intégrés –
Mesure de l'immunité électromagnétique
150 kHz à 1 GHz –
Partie 4:
Méthode d'injection directe de puissance RF

Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic
immunity 150 kHz to 1 GHz –
Part 4:
Direct RF power injection method
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 62132-4:2006
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NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
62132-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-02
Circuits intégrés –
Mesure de l'immunité électromagnétique
150 kHz à 1 GHz –
Partie 4:
Méthode d'injection directe de puissance RF

Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic
immunity 150 kHz to 1 GHz –
Part 4:
Direct RF power injection method

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– 2 – 62132-4  CEI:2006
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS .6

1 Domaine d’application.10
2 Références normatives .10
3 Termes et définitions .10
4 Généralités.12
4.1 Bases de mesure.12
4.2 Injection directe de puissance à une seule broche.16
4.3 Injection de puissance directe à broches multiples dans des broches de
systèmes de mode différentiel.18
5 Conditions d'essai.18
6 Matériel d’essai .18
6.1 Généralités.18
6.2 Source de puissance RF.20
6.3 Mesureur de puissance RF et coupleur directif.20
7 Montage d’essai.20
7.1 Généralités.20
7.2 Montage d’injection de puissance.20
7.3 Carte de circuit d’essai .22
7.4 Caractéristiques du montage d’injection de puissance.24
7.5 Réseaux de découplage.24
8 Procédure d’essai .26
8.1 Généralités.26
8.2 Méthode d’essai spécifique.26
9 Rapport d'essai.28

Annexe A (informative) Exemple d’une spécification des niveaux d’immunité par
exemple pour des applications dans le secteur automobile .30
Annexe B (informative) Conseils en vue de la meilleure installation d’un montage
d’essai par rapport à la RF .34
Annexe C (informative) Explication du niveau d’essai de crête constant.46

Bibliographie .48

Figure 1 – Disposition d’un montage d’essai d’injection directe .14
Figure 2 – Illustration du principe de l’injection de puissance à une seule broche .16
Figure 3 – Illustration du principe de l’injection de puissance à broches multiples.18
Figure 4 – Exemple de routage de l’accès d’injection à une broche du DEE .22
Figure 5 – Exemple d’un résultat de mesure d’amplitude S (première résonance
supérieure à 1 GHz) .24
Figure 6 – Logigramme d’une méthode d’essai .28

62132-4  IEC:2006 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD.7

1 Scope.11
2 Normative references.11
3 Terms and definitions .11
4 General .13
4.1 Measurement basics.13
4.2 Single pin direct power injection.17
4.3 Multiple pin direct power injection into pins of differential mode systems .19
5 Test conditions .19
6 Test equipment.19
6.1 General .19
6.2 RF power source .21
6.3 RF power meter and directional coupler .21
7 Test set-up .21
7.1 General .21
7.2 Power injection set-up .21
7.3 Test circuit board.23
7.4 Characteristics of the power injection set-up .25
7.5 Decoupling networks.25
8 Test procedure .27
8.1 General .27
8.2 Specific test procedure .27
9 Test report.29

Annex A (informative) Example of a specification of immunity levels e.g. for automotive
applications.31
Annex B (informative) Hints for the best installation of a test set-up with respect to RF .35
Annex C (informative) Constant peak test level explanation .47

Bibliography .49

Figure 1 – Arrangement of a direct injection test set-up .15
Figure 2 – Illustration of the principle of the single pin power injection.17
Figure 3 – Illustration of the principle of multiple pin power injection .19
Figure 4 – Example of the routing from the injection port to a pin of the DUT .23
Figure 5 – Example of a S magnitude measurement result (first resonance above 1 GHz).25
Figure 6 – Flowchart of a test procedure.29

– 4 – 62132-4  CEI:2006
Figure B.1 – Installation d’un connecteur sur la carte d’essai à proximité du DEE.36
Figure B.2 – Au moyen d’une cage de Faraday en plaçant le connecteur aussi près que
possible du DEE (une résistance série facultative peut être ajoutée).36
Figure B.3 – Accès à un DEE à nombre élevé de broches par une grande
...

Questions, Comments and Discussion

Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.