IEC 62132-4:2006

NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
62132-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-02
Circuits intégrés –
Mesure de l'immunité électromagnétique
150 kHz à 1 GHz –
Partie 4:
Méthode d'injection directe de puissance RF

Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic
immunity 150 kHz to 1 GHz –
Part 4:
Direct RF power injection method
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 62132-4:2006
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sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.
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CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1
exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
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cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
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(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
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.
NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
62132-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-02
Circuits intégrés –
Mesure de l'immunité électromagnétique
150 kHz à 1 GHz –
Partie 4:
Méthode d'injection directe de puissance RF

Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic
immunity 150 kHz to 1 GHz –
Part 4:
Direct RF power injection method

 IEC 2006 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
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International Electrotechnical Commission
МеждународнаяЭлектротехническаяКомиссия
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– 2 – 62132-4  CEI:2006
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS .6

1 Domaine d’application.10
2 Références normatives .10
3 Termes et définitions .10
4 Généralités.12
4.1 Bases de mesure.12
4.2 Injection directe de puissance à une seule broche.16
4.3 Injection de puissance directe à broches multiples dans des broches de
systèmes de mode différentiel.18
5 Conditions d'essai.18
6 Matériel d’essai .18
6.1 Généralités.18
6.2 Source de puissance RF.20
6.3 Mesureur de puissance RF et coupleur directif.20
7 Montage d’essai.20
7.1 Généralités.20
7.2 Montage d’injection de puissance.20
7.3 Carte de circuit d’essai .22
7.4 Caractéristiques du montage d’injection de puissance.24
7.5 Réseaux de découplage.24
8 Procédure d’essai .26
8.1 Généralités.26
8.2 Méthode d’essai spécifique.26
9 Rapport d'essai.28

Annexe A (informative) Exemple d’une spécification des niveaux d’immunité par
exemple pour des applications dans le secteur automobile .30
Annexe B (informative) Conseils en vue de la meilleure installation d’un montage
d’essai par rapport à la RF .34
Annexe C (informative) Explication du niveau d’essai de crête constant.46

Bibliographie .48

Figure 1 – Disposition d’un montage d’essai d’injection directe .14
Figure 2 – Illustration du principe de l’injection de puissance à une seule broche .16
Figure 3 – Illustration du principe de l’injection de puissance à broches multiples.18
Figure 4 – Exemple de routage de l’accès d’injection à une broche du DEE .22
Figure 5 – Exemple d’un résultat de mesure d’amplitude S (première résonance
supérieure à 1 GHz) .24
Figure 6 – Logigramme d’une méthode d’essai .28

62132-4  IEC:2006 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD.7

1 Scope.11
2 Normative references.11
3 Terms and definitions .11
4 General .13
4.1 Measurement basics.13
4.2 Single pin direct power injection.17
4.3 Multiple pin direct power injection into pins of differential mode systems .19
5 Test conditions .19
6 Test equipment.19
6.1 General .19
6.2 RF power source .21
6.3 RF power meter and directional coupler .21
7 Test set-up .21
7.1 General .21
7.2 Power injection set-up .21
7.3 Test circuit board.23
7.4 Characteristics of the power injection set-up .25
7.5 Decoupling networks.25
8 Test procedure .27
8.1 General .27
8.2 Specific test procedure .27
9 Test report.29

Annex A (informative) Example of a specification of immunity levels e.g. for automotive
applications.31
Annex B (informative) Hints for the best installation of a test set-up with respect to RF .35
Annex C (informative) Constant peak test level explanation .47

Bibliography .49

Figure 1 – Arrangement of a direct injection test set-up .15
Figure 2 – Illustration of the principle of the single pin power injection.17
Figure 3 – Illustration of the principle of multiple pin power injection .19
Figure 4 – Example of the routing from the injection port to a pin of the DUT .23
Figure 5 – Example of a S magnitude measurement result (first resonance above 1 GHz).25
Figure 6 – Flowchart of a test procedure.29

– 4 – 62132-4  CEI:2006
Figure B.1 – Installation d’un connecteur sur la carte d’essai à proximité du DEE.36
Figure B.2 – Au moyen d’une cage de Faraday en plaçant le connecteur aussi près que
possible du DEE (une résistance série facultative peut être ajoutée).36
Figure B.3 – Accès à un DEE à nombre élevé de broches par une grande carte
principale et une carte spécifique CI connectées par des broches de contact à ressort .38
Figure B.4 – Découplage en courant continu d’une broche à courant élevé .38
Figure B.5 – Montage d’essai avec condensateur de blocage obligatoire.40
Figure B.6 – Exemple de disposition pour DEE avec condensateur de blocage
obligatoire.40
Figure B.7 – Exemple de montage d’essai dont la charge est sur le montage d’essai .42
Figure B.8 – Exemple d’un réseau de découplage pour une entrée à haute impédance .42
Figure B.9 – Terminaison de broches à ne pas tester avec une impédance typique pour
reproduire les courants de diaphonie.44
Figure B.10 – Exemple d’injection de puissance dans deux broches utilisant la
terminaison recommandée du bus CAN à grande vitesse.44

Tableau 1 – Paramètres de CI et de systèmes affectant l’immunité.16
Tableau A.1 – Exemple de gammes de niveaux d’immunité .30

62132-4  IEC:2006 – 5 –
Figure B.1 – Installation of a connector on the test board nearby the DUT.37
Figure B.2 – Using a shielding box placing the connector as close as possible to the
DUT (optional series resistor may be added) .37
Figure B.3 – Accessing a high pin count DUT by a large main board and an IC specific
board connected by spring contact pins .39
Figure B.4 – DC decoupling of a high current pin .39
Figure B.5 – Test set-up with mandatory blocking capacitor .41
Figure B.6 – Layout example for DUT with mandatory blocking capacitor .41
Figure B.7 – Test set-up example with the load on the test set-up.43
Figure B.8 – Example of a decoupling network for an input with high impedance.43
Figure B.9 – Termination of pins not to be tested with a typical impedance to reproduce
crosstalk currents.45
Figure B.10 – Example of power injection into two pins using the mandatory termination
of the high speed CAN bus.45

Table 1 – System and IC parameters affecting immunity.17
Table A.1 – Example of immunity level ranges.31

– 6 – 62132-4  CEI:2006
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
____________
CIRCUITS INTÉGRÉS –
MESURE DE L’IMMUNITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE
150 kHz À 1 GHz –
Partie 4: Méthode d’injection directe de puissance RF

AVANT-PROPOS
1) La Commission Electrotechnique Internationale (CEI) est une organisation mondiale de normalisation composée
de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a pour objet de
favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les domaines de
l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI – entre autres activités – publie des Normes internationales,
des Spécifications techniques, des Rapports techniques, des Spécifications accessibles au public (PAS) et des
Guides (ci-après dénommés "Publication(s) de la CEI"). Leur élaboration est confiée à des comités d'études,
aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le sujet traité peut participer. Les organisations
internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent également aux
travaux. La CEI collabore étroitement avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des
conditions fixées par accord entre les deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible, un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les publications CEI se présentent sous la forme de recommandations internationales et elles sont agréées
comme telles par les Comités nationaux de la CEI. Tous les efforts raisonnables sont entrepris afin que la CEI
s'assure de l'exactitude du contenu technique de ses publications; la CEI ne peut pas être tenue responsable de
l'éventuelle mauvaise utilisation ou interprétation qui en est faite par un quelconque utilisateur final.
4) Dans le but d'encourager l'uniformité internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent, dans toute la
mesure possible, à appliquer de façon transparente les Publications de la CEI dans leurs publications
nationales et régionales. Toute divergence entre toute Publication de la CEI et toute publication nationale ou
régionale correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière.
5) La CEI n’a prévu aucune procédure de marquage valant indication d’approbation et n'engage pas sa
responsabilité pour les équipements déclarés conformes à une de ses Publications.
6) Tous les utilisateurs doivent s'assurer qu'ils sont en possession de la dernière édition de cette publication.
7) Aucune responsabilité ne doit être imputée à la CEI, à ses administrateurs, employés, auxiliaires ou
mandataires, y compris ses experts particuliers et les membres de ses comités d'études et des Comités
nationaux de la CEI, pour tout préjudice causé en cas de dommages corporels et matériels, ou de tout autre
dommage de quelque nature que ce soit, directe ou indirecte, ou pour supporter les coûts (y compris les frais
de justice) et les dépenses découlant de la publication ou de l'utilisation de cette Publication de la CEI ou de
toute autre Publication de la CEI, ou au crédit qui lui est accordé.
8) L'attention est attirée sur les références normatives citées dans cette publication. L'utilisation de publications
référencées est obligatoire pour une application correcte de la présente publication.
9) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente publication CEI peuvent faire l’objet
de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour responsable de ne
pas avoir identifié de tels droits de propriété ou de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 62132-4 a été établie par le sous-comité 47A: Circuits intégrés,
du comité d’études 47 de la CEI: Dispositifs à semiconducteurs.
Le texte de cette norme est issu des documents suivants:
FDIS Rapport de vote
47A/733/FDIS 47A/741/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l'approbation de cette norme.
Cette publication a été rédigée selon les Directives ISO/CEI, Partie 2.

62132-4  IEC:2006 – 7 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION
____________
INTEGRATED CIRCUITS –
MEASUREMENT OF ELECTROMAGNETIC IMMUNITY
150 kHz TO 1 GHz –
Part 4: Direct RF power injection method

FOREWORD
1) The International Electrotechnical Commission (IEC) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, IEC publishes International Standards, Technical Specifications,
Technical Reports, Publicly Available Specifications (PAS) and Guides (hereafter referred to as “IEC
Publication(s)”). Their preparation is entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested
in the subject dealt with may participate in this preparatory work. International, governmental and non-
governmental organizations liaising with the IEC also participate in this preparation. IEC collaborates closely
with the International Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by
agreement between the two organizations.
2) The formal decisions or agreements of IEC on technical matters express, as nearly as possible, an international
consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation from all
interested IEC National Committees.
3) IEC Publications have the form of recommendations for international use and are accepted by IEC National
Committees in that sense. While all reasonable efforts are made to ensure that the technical content of IEC
Publications is accurate, IEC cannot be held responsible for the way in which they are used or for any
misinterpretation by any end user.
4) In order to promote international uniformity, IEC National Committees undertake to apply IEC Publications
transparently to the maximum extent possible in their national and regional publications. Any divergence
between any IEC Publication and the corresponding national or regional publication shall be clearly indicated in
the latter.
5) IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with an IEC Publication.
6) All users should ensure that they have the latest edition of this publication.
7) No liability shall attach to IEC or its directors, employees, servants or agents including individual experts and
members of its technical committees and IEC National Committees for any personal injury, property damage or
other damage of any nature whatsoever, whether direct or indirect, or for costs (including legal fees) and
expenses arising out of the publication, use of, or reliance upon, this IEC Publication or any other IEC
Publications.
8) Attention is drawn to the Normative references cited in this publication. Use of the referenced publications is
indispensable for the correct application of this publication.
9) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this IEC Publication may be the subject of
patent rights. IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
International Standard IEC 62132-4 has been prepared by subcommittee 47A: Integrated
circuits, of IEC technical committee 47: Semiconductor devices.
The text of this standard is based on the following documents:
FDIS Report on voting
47A/733/FDIS 47A/741/RVD
Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on
voting indicated in the above table.
This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 2.

– 8 – 62132-4  CEI:2006
IEC 62132 comprend les parties suivantes, sous le titre général Circuits intégrés – Mesure de
l’immunité électromagnétique, 150 kHz à 1 GHz:
Partie 1: Conditions générales et définitions
Partie 2: Méthode de cellule (G-) TEM
Partie 3: Méthode d’injection de courant (BCI)
Partie 4: Méthode d’injection directe de puissance RF
Partie 5: Méthode de la cage de Faraday sur banc de travail
Le comité a décidé que le contenu de cette publication ne sera pas modifié avant la date de
maintenance indiquée sur le site web de la CEI sous «http://webstore.iec.ch» dans les données
relatives à la publication recherchée. A cette date, la publication sera
• reconduite;
• supprimée;
• remplacée par une édition révisée, ou
• amendée.
___________
A l'étude
62132-4  IEC:2006 – 9 –
IEC 62132 consists of the following parts, under the general title Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic immunity, 150 kHz to 1 GHz:
Part 1: General conditions and definitions
Part 2: (G-) TEM cell method
Part 3: Bulk current injection (BCI) method
Part 4: Direct RF power injection method
Part 5: Workbench Faraday cage method
The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged until the
maintenance result date indicated on the IEC web site under "http://webstore.iec.ch" in the data
related to the specific publication. At this date, the publication will be
• reconfirmed;
• withdrawn;
• replaced by a revised edition, or
• amended.
___________
Under consideration.
– 10 – 62132-4  CEI:2006
CIRCUITS INTÉGRÉS –
MESURE DE L’IMMUNITÉ ÉLECTROMAGNÉTIQUE
150 kHz À 1 GHz –
Partie 4: Méthode d’injection directe de puissance RF

1 Domaine d’application
Cette partie de la CEI 62132 décrit une méthode de mesure de l’immunité des circuits intégrés
(CI) en présence de perturbations RF conduites, comme par exemple celles résultant de
perturbations RF rayonnées. Cette méthode garantit un degré élevé de répétabilité et une
corrélation des mesures d’immunité.
Cette norme établit une base commune pour l’évaluation des dispositifs à semiconducteurs
utilisés dans les matériels fonctionnant dans un environnement soumis à des ondes
électromagnétiques à radiofréquences intempestives.
2 Références normatives
Les documents de référence suivants sont indispensables pour l'application du présent
document. Pour les références datées, seule l’édition citée s’applique. Pour les références non
datées, c’est la dernière édition du document de référence qui s'applique (y compris tous les
amendements).
CEI 61967-4, Circuits intégrés – Mesure des émissions électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz
– Partie 4: Mesure des émissions conduites – Méthode par couplage direct 1 Ω/ 150 Ω
CEI 62132-1:2006, Circuits intégrés – Mesure de l’immunité électromagnétique, 150 kHz à
1 GHz – Partie 1: Conditions générales et définitions
CEI 61000-4-6, Compatibilité électromagnétique (CEM) – Partie 4-6: Techniques d’essai et de
mesure – Immunité aux perturbations conduites, induites par les champs radioélectriques
CISPR 16-1-2:2003, Spécifications des méthodes et des appareils de mesure des pertur-
bations radioélectriques et de l'immunité aux perturbations radioélectriques – Partie 1-2:
Appareils de mesure des perturbations radioélectriques et de l'immunité aux perturbations
radioélectriques – Matériels auxiliaires – Perturbations conduites
3 Termes et définitions
Pour les besoins du présent document, les termes et les définitions de la CEI 62132-1
s'appliquent.
62132-4  IEC:2006 – 11 –
INTEGRATED CIRCUITS –
MEASUREMENT OF ELECTROMAGNETIC IMMUNITY
150 kHz TO 1 GHz –
Part 4: Direct RF power injection method

1 Scope
This part of IEC 62132 describes a method to measure the immunity of integrated circuits (IC)
in the presence of conducted RF disturbances, e.g. resulting from radiated RF disturbances.
This method guarantees a high degree of repeatability and correlation of immunity
measurements.
This standard establishes a common base for the evaluation of semiconductor devices used in
equipment functioning in an environment subject to unwanted radio frequency electromagnetic
waves.
2 Normative references
The following referenced documents are indispensable for the application of this document. For
dated references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition of
the referenced document (including any amendments) applies.
IEC 61967-4, Integrated circuits – Measurement of electromagnetic emissions, 150 kHz to
1 GHz – Part 4: Measurement of conducted emissions – 1 Ω/ 150 Ω direct coupling method
IEC 62132-1:2006, Integrated circuits – Measurement of electromagnetic immunity, 150 kHz to
1 GHz – Part 1: General conditions and definitions
IEC 61000-4-6, Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4-6: Testing and measurement
techniques – Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency fields
CISPR 16-1-2:2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and
methods – Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus. Ancillary equipment.
Conducted disturbances
3 Terms and definitions
For the purposes of this document, the terms and definitions given in IEC 62132-1 apply.

– 12 – 62132-4  CEI:2006
4 Généralités
4.1 Bases de mesure
Le niveau d’immunité électromagnétique minimal exigé pour un CI dépend du niveau autorisé
maximal de perturbation RF auquel peut être soumis un système électronique. La valeur du
niveau d’immunité dépend des paramètres spécifiques de système et d’application. Pour
déterminer la performance d’immunité d’un CI, une méthode de mesure simple et un montage
de mesure dans lequel on évite les résonances sont exigés pour garantir un degré élevé de
répétabilité. Ce qui suit indique la base de cet essai.
La géométrie la plus grande que l’on trouve dans un circuit intégré est la grille de connexion.
La taille de la grille de connexion est de l’ordre de quelques centimètres ou inférieure. Les
dimensions des structures sur puce sont même jusqu’à deux grandeurs inférieures à la
dimension de la grille de connexion. Pour une plage de fréquences inférieure à 1 GHz, cette
grille de connexion, ainsi que les structures sur puce, ne sont pas considérées comme des
antennes efficaces pour la réception de l’énergie RF intempestive. C’est le faisceau de câbles
et/ou les rubans d’une carte de circuit imprimé qui constituent des antennes efficaces. De ce
fait, un CI reçoit l’énergie RF intempestive à travers les broches connectées aux fils de ces
câbles. A cause de cela, l’immunité électromagnétique d’un CI peut être caractérisée par des
perturbations RF conduites (c’est-à-dire la puissance directe RF) à la place des paramètres du
champ comme c’est habituellement le cas dans les essais de module et/ou système.
Pour les essais de module et de système, la puissance directe fournie à un circuit par le
faisceau de câbles ou les rubans sur une carte de circuit imprimé (PCB) servant d’antennes
peut être mesurée ou estimée. Cette puissance est considérée comme une puissance directe
fournie à un circuit, sans tenir compte du fait qu’elle soit réfléchie ou absorbée. En fait, on a
observé qu’un grand nombre de CI sont le plus susceptibles aux perturbations lors de
réflexions relativement hautes. Cela est dû au fait que, dans ce cas, les courants RF injectés
ou les tensions RF appliquées atteignent les valeurs les plus hautes possibles. Pour
caractériser l’immunité d’un CI, la puissance directe nécessaire pour provoquer un
dysfonctionnement est mesurée. Le dysfonctionnement peut être classé de A à D selon les
classes de performance définies dans la CEI 62132-1.
La Figure 1 présente la principale configuration de matériel d’essai avec la commande
optionnelle automatique par le PC.

62132-4  IEC:2006 – 13 –
4 General
4.1 Measurement basics
The minimum electromagnetic immunity level required for an IC depends on the maximum
permitted level of RF disturbance to which an electronic system can be submitted. The value of
the immunity level is dependent on system and application specific parameters. To determine
the immunity performance of an IC, a simple measurement procedure, and a measurement set-
up in which resonances are avoided, is required to guarantee a high degree of repeatability.
The following points out the base of this test.
The largest geometry found in an integrated circuit is the leadframe. The size of the leadframe
is in the range of some centimetres or smaller. The dimensions of the structures on chip are
even up to two magnitudes smaller than the dimension of the leadframe. For a frequency range
below 1 GHz, this leadframe, as well as the structures on-chip, are not regarded as efficient
antennas for the reception of unwanted RF energy. It is the cable harness and/or the traces of
a printed circuit board which constitute efficient antennas. Thus, an IC receives the unwanted
RF energy through the pins connected to the wires of such cables. Because of this, the
electromagnetic immunity of an IC can be characterized by conducted RF disturbances (i.e. RF
forward power) instead of field parameters as is usually the case in module and/or system
testing.
For module and system tests, the forward power provided to a circuit by the cable harness or
the traces on a printed circuit board (PCB) acting as antennas can be measured or estimated.
This power is considered to be a forward power delivered to the circuit, no matter whether it will
be reflected or absorbed. In fact it has been observed that many ICs are most susceptible to
the disturbances at quite high reflections. This is due to the fact that in this case either injected
RF currents or applied RF voltages reach the highest possible values. To characterize the
immunity of an IC, the forward power needed to cause malfunction is measured. The
malfunction may be classified from A to D according to the performance classes defined in
IEC 62132-1.
Figure 1 shows the principal test hardware configuration with optional automatic control by
the PC.
– 14 – 62132-4  CEI:2006
Alimentation
en courant
continu
Carte de circuit imprimé
ou générateur
(PCB) d’essai
de signaux
Réseau de
Câble coaxial
découplage
de 50 Ω
Coupleur
Bloc en
directif
courant
continu
Amplificateur RF
Accès d’injection
aux fréquences
DEE
P
for P
refl
radioéelctriques
Générateur
RF
PC de contrôle
facultatif
Mesureurs
de puissance
BUS
RF Dispositif de
surveillance
du DEE
IEC  2649/05
Légende
Pfor puissance directe
P puissance réfléchie
refl
Figure 1 – Disposition d’un montage d’essai d’injection directe
Le générateur RF variable fournit la perturbation RF qui est amplifiée par l’amplificateur RF
connecté. Le coupleur directif et les mesureurs de puissance RF sont utilisés pour mesurer la
puissance directe réelle injectée dans le dispositif en essai (DEE). Au niveau du port d’accès
d’injection RF, la puissance RF est fournie au circuit imprimé (PCB) d’essai. L’amplificateur RF
est découplé par un filtrage du courant continu, pour éviter de fournir du courant continu dans
la sortie de l’amplificateur. L’alimentation en courant continu est protégée de la puissance RF
par un réseau de découplage qui a une impédance RF élevée du côté connecté à l’injection
RF.
Pour contrôler le comportement du DEE, un oscilloscope ou un autre dispositif de surveillance
de préférence avec une fonction acceptation/rejet etc., peut être utilisé. Pour découpler la
diaphonie de signal RF du DEE de la mesure de basses fréquences réalisée par l’oscilloscope,
un second réseau de découplage est utilisé. Si on le souhaite, le matériel de mesure peut
optionnellement être commandé par un ordinateur.
Toute fonction à l’intérieur d’un CI peut être affectée même si elle n’est pas connectée à la
broche en essai. De ce fait, le ou les modes de fonctionnement du CI doivent être choisis de
sorte que toutes les fonctions du CI soient utilisées au cours de l’essai.
Les CI sont souvent utilisés dans différentes configurations fondées sur l’application. Afin de
comprendre l’influence de chaque broche individuelle, il convient d’essayer individuellement
chaque broche qui est supposée être exposée à une perturbation RF. Des essais de broches
multiples sont admissibles dans des broches de systèmes de mode différentiel.

62132-4  IEC:2006 – 15 –
DC supply
or signal
generator
Test
Decoupling
50 Ω coax
network
PCB
Directional
coupler DC
Block
RF amplifier
RF injection
port
DUT
P
P
for
refl
RF
generator
Optional:
control PC
RF Power
meters
BUS
DUT
monitor
IEC  2649/05
Key
P forward power
for
P reflected power
refl
Figure 1 – Arrangement of a direct injection test set-up
The frequency variable RF generator provides the RF disturbance that is amplified by the
connected RF amplifier. The directional coupler and the RF power meters are used to measure
the actual forward power injected into the device under test (DUT). At the RF injection port the
RF power is delivered to the test printed circuit board (PCB). The RF amplifier is decoupled by
a DC block to avoid supplying DC into the amplifier output. The DC supply is prevented from
getting RF power by a decoupling network that has a high RF impedance on the side that is
connected to the RF injection path.
To monitor the behaviour of the DUT an oscilloscope, or other monitoring device preferably
with a pass/fail function etc., can be used. To decouple the RF signal crosstalk of the DUT
from the low frequency measurement performed by the oscilloscope, a second decoupling
network is used. The measurement equipment can be optionally controlled by a computer, if
desired.
Any function inside an IC can be affected even if it is not connected to the pin under test.
Therefore the operation mode(s) of the IC shall be chosen in a way that all functions of the IC
are used during the test.
ICs are often used in different configurations based on the application. In order to understand
the influence of each individual pin, each pin that is expected to be exposed to RF disturbance
should be tested individually. Multiple pin testing is permissible into pins of differential mode
systems.
– 16 – 62132-4  CEI:2006
La puissance directe nécessaire pour provoquer le dysfonctionnement d’un CI dépend de
plusieurs paramètres, comme ceux présentés dans le Tableau 1.
Tableau 1 – Paramètres de CI et de systèmes affectant l’immunité
Paramètres liés au CI Paramètres liés au module
Conception de circuit Protection de la broche par des composants externes
Trace des puces Mode de fonctionnement du CI
Système de distribution de l'alimentation et de la masse Système de mise à la masse
à l’intérieur du CI
Affectation de brochage et conception de fils de Montage de la carte
connexion
Boîtier Impédance du faisceau de câbles et de la charge
Technologie de fabrication processus
Circuits raccordés à une broche

La connaissance de l’immunité d’un CI (la puissance directe la plus élevée n’affectant pas la
fonction du CI) permet à l’utilisateur de décider s’il a besoin de moyens de protection
extérieurs et de la quantité d’effort à fournir pour la protection extérieure.
4.2 Injection directe de puissance à une seule broche
Pour la sélectivité d’essai la plus élevée, la puissance RF injectée à l’accès d’injection RF est
directement appliquée à une seule broche d’un CI (voir la Figure 2). Un condensateur peut être
utilisé en tant que bloc en courant continu, tandis qu’une résistance peut être utilisée pour la
limitation de courant. Par défaut, la valeur du condensateur peut être choisie à 6,8 nF, comme
spécifié dans la CEI 61967-4. La valeur de la résistance peut être, par défaut, 0 Ω. D’autres
valeurs jusqu’à 100 Ω peuvent être choisies si elles sont fonctionnellement exigées. Les
valeurs choisies R et C doivent être indiquées dans le rapport d’essai.
NOTE Lorsque la résistance série est 0 Ω, chaque entrée ou sortie du DEE est chargée par les 50 Ω du système
d’injection de puissance RF.
PCB d’essai
Accès d’injection
RF
C R
DEE
Puissance RF
IEC  2650/05
Figure 2 – Illustration du principe de l’injection de puissance à une seule broche

62132-4  IEC:2006 – 17 –
The forward power needed to cause malfunction of an IC depends on several parameters, like
those shown in Table 1.
Table 1 – System and IC parameters affecting immunity
IC related parameters Module related parameters
Circuit design Protection of the pin by external components
Chip layout Operation mode of the IC
Ground/supply distribution system inside the IC Ground system
Pinning assignment and bond wire design Board layout
Package Impedance of wiring harness and load
Process technology
Circuitry connected to a pin
Knowledge of the immunity of an IC (the highest forward power that does not affect the function
of the IC) allows the user to decide if he needs external protection means and how much effort
has to be spent for external protection.
4.2 Single pin direct power injection
For highest test selectivity, the RF power injected at the RF injection port is directly applied to a
single pin of an IC (see Figure 2). A capacitor may be used as a DC block, while a resistor may
be used for current limitation. By default, the capacitor value can be chosen as 6,8 nF, as
specified in IEC 61967-4. The resistor value can be, by default, 0 Ω. Other values up to 100 Ω
can be chosen if functionally required. Chosen R and C values shall be stated in the test report.
NOTE When the series resistor is 0 Ω, each input or output of the DUT will be loaded by the 50 Ω of the RF power
injection system.
Test PCB
RF-injection
port
C R
DUT
RF power
IEC  2650/05
Figure 2 – Illustration of the principle of the single
...