IEC 60747-8-4:2004

NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-8-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2004-09
Dispositifs discrets à semiconducteurs –
Partie 8-4:
Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique
à effet de champ (MOSFET) pour les applications
de commutation de puissance
Discrete semiconductor devices –
Part 8-4:
Metal-oxide-semiconductor field-effect
transistors (MOSFETs) for power
switching applications
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-8-4:2004
Numérotation des publications Publication numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.
Editions consolidées Consolidated editions
Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its
CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1
exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
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sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
nibles dans le Catalogue des publications de la CEI available in the IEC Catalogue of publications
(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
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• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
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(www.iec.ch/searchpub) vous permet de faire des (www.iec.ch/searchpub) enables you to search by a
recherches en utilisant de nombreux critères, variety of criteria including text searches,
comprenant des recherches textuelles, par comité technical committees and date of publication. On-
d’études ou date de publication. Des informations en line information is also available on recently
ligne sont également disponibles sur les nouvelles issued publications, withdrawn and replaced
publications, les publications remplacées ou retirées, publications, as well as corrigenda.
ainsi que sur les corrigenda.
• IEC Just Published • IEC Just Published
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NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-8-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2004-09
Dispositifs discrets à semiconducteurs –
Partie 8-4:
Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique
à effet de champ (MOSFET) pour les applications
de commutation de puissance
Discrete semiconductor devices –
Part 8-4:
Metal-oxide-semiconductor field-effect
transistors (MOSFETs) for power
switching applications
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– 2 – 60747-8-4  CEI:2004
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS.8

1 Domaine d’application .12
2 Références normatives.12
3 Termes et définitions .12
3.1 Termes généraux .12
3.2 Circuit équivalent .12
3.3 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques .14
3.4 Termes conventionnels utilisés.22
4 Symboles littéraux .22
4.1 Indices supplémentaires généraux .22
4.2 Liste des symboles littéraux supplémentaires .24
5 Valeurs limites et caractéristiques essentielles .24
5.1 Généralités.24
5.2 Valeurs limites.24
5.3 Caractéristiques .28
6 Méthodes de mesure .32
6.1 Généralités.32
6.2 Vérification des valeurs limites .32
6.3 Méthodes de mesure .70
7 Réception et fiabilité (révisé à partir de l’Article 7 de la CEI 60747-8).110
7.1 Essais d’endurance et de fiabilité, et méthodes d’essai .110
7.2 Essais de type et essais individuels de série .114

Bibliographie.120

Figure 1 – Circuit équivalent d’un MOSFET avec diode inverse .14
Figure 2 – Temps pour l’énergie à l’état passant E et l’énergie à l’état bloqué E .16
on off
Figure 3 – Formes d’ondes de base pour spécifier les charges de grille.20
Figure 4 – Schéma de circuit pour la vérification de la tension drain-source.34
Figure 5 – Schéma de circuit pour la vérification de la tension grille-source.36
Figure 6 – Schéma de circuit pour la vérification de la tension grille-drain .38
Figure 7 – Schémas de circuit de mesure du courant de drain à l’état bloqué .40
Figure 8 – Circuit de base pour la vérification du courant de drain .42
Figure 9 – Schéma de circuit pour la vérification du courant de crête de drain .44
Figure 10 – Circuit de base pour la vérification du courant de drain inverse des MOSFET .46
Figure 11 – Circuit de base pour la vérification du courant de crête de drain inverse
des MOSFET .48
Figure 12 – Schéma de circuit pour la vérification de dv/dt .50
Figure 13 – Exemple de représentation graphique (Forme d’onde de courant pendant
le recouvrement direct du MOSFET).50

60747-8-4  IEC:2004 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD.9

1 Scope.13
2 Normative references .13
3 Terms and definitions .13
3.1 General terms .13
3.2 Equivalent circuit.13
3.3 Terms related to ratings and characteristics .15
3.4 Conventional used terms.23
4 Letter symbols.23
4.1 Additional general subscripts.23
4.2 List of additional letter symbols .25
5 Essential ratings and characteristics.25
5.1 General .25
5.2 Ratings (limiting values) .25
5.3 Characteristics .29
6 Measuring methods .33
6.1 General .33
6.2 Verification of ratings (limiting values) .33
6.3 Methods of measurement .71
7 Acceptance and reliability (revised from Clause 7 of IEC 60747-8) .111
7.1 Endurance and reliability tests, and test methods .111
7.2 Type tests and routine tests .115

Bibliography.121

Figure 1 – Equivalent circuit of MOSFET with inverse diode .15
Figure 2 – Integral times for the turn-on energy E and turn-off energy E .17
on off
Figure 3 – Basic waveforms to specify the gate charges .21
Figure 4 – Circuit diagram for testing of drain-source voltage.35
Figure 5 – Circuit diagram for testing of gate-source voltage.37
Figure 6 – Circuit diagram for testing of gate-drain voltage .39
Figure 7 – Circuit diagrams for the measurement of drain off-state current .41
Figure 8 – Basic circuit for the testing of drain current .43
Figure 9 – Circuit diagram for testing of peak drain current .45
Figure 10 – Basic circuit for the testing of reverse drain current of MOSFETs .47
Figure 11 – Basic circuit for the testing of peak reverse drain current of MOSFETs.49
Figure 12 – Circuit diagram for verifying dv/dt .51
Figure 13 – Example of graphical representation (current waveform during MOSFET
forward recovery) .51

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