IEC 60747-7:2000
(Main)Semiconductor discrete devices and integrated circuits - Part 7: Bipolar transistors
Semiconductor discrete devices and integrated circuits - Part 7: Bipolar transistors
Gives the requirements applicable to the following sub-categories of bipolar transistors: -low power signal transistors (excluding switching applications); -power transistors (excluding switching and high-frequency applications); -high-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications; -switching transistors.
Dispositifs discrets et circuits intégrés à semiconducteurs - Partie 7: Transistors bipolaires
Donne les exigences applicables aux sous-catégories suivantes de transistors bipolaires : - transistors pour signaux de faible puissance (sauf pour applications en commutation); - transistors de puissance (sauf pour applications en commutation et en haute fréquence); - transistors de puissance haute fréquence pour applications en amplificateurs et en oscillateurs; - transistors de commutation.
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-7
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 7:
Transistors bipolaires
Semiconductor devices –
Part 7:
Bipolar transistors
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-7:2000
Numérotation des publications Publication numbering
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respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
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• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
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NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-7
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 7:
Transistors bipolaires
Semiconductor devices –
Part 7:
Bipolar transistors
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– 2 – 60747-7 CEI:2000
SOMMAIRE
Pages
AVANT-PROPOS . 10
Articles
1 Domaine d'application. 14
2 Références normatives . 14
3 Termes et définitions . 16
3.1 Types de transistors bipolaires . 16
3.2 Termes généraux. 16
3.2.1 Régions physiques spécifiques (d'un transistor à jonctions) . 16
3.2.2 Régions fonctionnelles spécifiques . 18
3.3 Montages de circuit. 20
3.4 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques. 20
3.5 Paramètres s . 30
3.5.1 Introduction générale . 30
3.5.2 Définitions. 34
3.5.3 Applications des paramètres s . 36
4 Symboles littéraux . 42
4.1 Symboles littéraux pour courants, tensions et puissances. 42
4.1.1 Généralités . 42
4.1.2 Indices additionnels . 42
4.2 Symboles littéraux pour paramètres électriques . 42
4.2.1 Généralités . 42
4.2.2 Indices additionnels . 42
4.3 Symboles littéraux pour autres grandeurs . 42
4.3.1 Généralités . 42
4.4 Liste de symboles littéraux. 44
4.4.1 Tensions . 44
4.4.2 Courants . 46
4.4.3 Puissance . 46
4.4.4 Paramètres électriques . 46
4.4.5 Paramètres de fréquence. 54
4.4.6 Paramètres de commutation. 56
4.4.7 Grandeurs diverses. 58
4.4.8 Paramètres relatifs au circuit externe . 60
4.4.9 Transistors bipolaires appariés . 60
5 Valeurs limites et caractéristiques essentielles . 60
5.1 Transistors pour signaux de faible puissance
(à l'exclusion des applications en commutation). 60
5.1.1 Généralités . 60
5.1.2 Valeurs limites . 62
5.1.3 Caractéristiques. 62
5.1.4 Données d'application. 72
60747-7 IEC:2000 – 3 –
CONTENTS
Page
FOREWORD .11
Clause
1 Scope . 15
2 Normative references. 15
3 Terms and definitions. 17
3.1 Types of bipolar transistors. 17
3.2 General terms. 17
3.2.1 Specific physical regions (of a junction transistor). 17
3.2.2 Specific functional regions . 19
3.3 Circuit configurations . 21
3.4 Terms related to ratings and characteristics. 21
3.5 s parameters. 31
3.5.1 General introduction. 31
3.5.2 Definitions. 35
3.5.3 Application of the s parameters. 37
4 Letter symbols . 43
4.1 Letter symbols for currents, voltages and powers. 43
4.1.1 General. 43
4.1.2 Additional subscripts . 43
4.2 Letter symbols for electric parameters . 43
4.2.1 General. 43
4.2.2 Additional subscripts . 43
4.3 Letter symbols for other quantities . 43
4.3.1 General. 43
4.4 List of letter symbols. 45
4.4.1 Voltages. 45
4.4.2 Currents. 47
4.4.3 Powers. 47
4.4.4 Electrical parameters . 47
4.4.5 Frequency parameters . 55
4.4.6 Switching parameters. 57
4.4.7 Sundry quantities . 59
4.4.8 External circuit parameters . 61
4.4.9 Matched-pair bipolar transistors . 61
5 Essential ratings and characteristics . 61
5.1 Low-power signal transistors (excluding switching applications). 61
5.1.1 General. 61
5.1.2 Ratings (limiting values). 63
5.1.3 Characteristics . 63
5.1.4 Application data . 73
– 4 – 60747-7 CEI:2000
Articles Pages
5.2 Transistors de puissance (à l'exclusion des applications en commutation
et en haute fréquence).
...
Questions, Comments and Discussion
Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.