IEC 62007-1:1997

NORME
CEI
INTERNATIONALE
IEC
62007-1
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
1997-09
Dispositifs optoélectroniques à semiconducteurs
pour application dans les systèmes
à fibres optiques –
Partie 1:
Valeurs limites et caractéristiques essentielles
Semiconductor optoelectronic devices
for fibre optic system applications –
Part 1:
Essential ratings and characteristics

Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 62007-1:1997
Numéros des publications Numbering

Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from the 1st January 1997 all IEC publications are

sont numérotées à partir de 60000. issued with a designation in the 60000 series.

Publications consolidées Consolidated publications

Les versions consolidées de certaines publications de Consolidated versions of some IEC publications
la CEI incorporant les amendements sont disponibles. including amendments are available. For example,

Par exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 edition numbers 1.0, 1.1 and 1.2 refer, respectively, to

indiquent respectivement la publication de base, la the base publication, the base publication
publication de base incorporant l’amendement 1, et la incorporating amendment 1 and the base publication

publication de base incorporant les amendements 1 incorporating amendments 1 and 2.

et 2.
Validité de la présente publication Validity of this publication
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept under
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état constant review by the IEC, thus ensuring that the
actuel de la technique. content reflects current technology.
Des renseignements relatifs à la date de Information relating to the date of the reconfirmation of
reconfirmation de la publication sont disponibles dans the publication is available in the IEC catalogue.
le Catalogue de la CEI.
Les renseignements relatifs à ces révisions, à l'établis- Information on the revision work, the issue of revised
sement des éditions révisées et aux amendements editions and amendments may be obtained from
peuvent être obtenus auprès des Comités nationaux de IEC National Committees and from the following
la CEI et dans les documents ci-dessous: IEC sources:
• Bulletin de la CEI • IEC Bulletin
• Annuaire de la CEI • IEC Yearbook
Accès en ligne* On-line access*
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
Publié annuellement et mis à jour régulièrement Published yearly with regular updates
(Accès en ligne)* (On-line access)*
Terminologie, symboles graphiques Terminology, graphical and letter
et littéraux symbols
En ce qui concerne la terminologie générale, le lecteur For general terminology, readers are referred to
se reportera à la CEI 60050: Vocabulaire Electro- IEC 60050: International Electrotechnical Vocabulary
technique International (VEI). (IEV).
Pour les symboles graphiques, les symboles littéraux For graphical symbols, and letter symbols and signs
et les signes d'usage général approuvés par la CEI, le approved by the IEC for general use, readers are
lecteur consultera la CEI 60027: Symboles littéraux à referred to publications IEC 60027: Letter symbols to
utiliser en électrotechnique, la CEI 60417: Symboles be used in electrical technology, IEC 60417: Graphical
symbols for use on equipment. Index, survey and
graphiques utilisables sur le matériel. Index, relevé et
compilation des feuilles individuelles, et la CEI 60617: compilation of the single sheets and IEC 60617:
Symboles graphiques pour schémas. Graphical symbols for diagrams.

Publications de la CEI établies par IEC publications prepared by the same
le même comité d'études technical committee
L'attention du lecteur est attirée sur les listes figurant The attention of readers is drawn to the end pages of
à la fin de cette publication, qui énumèrent les this publication which list the IEC publications issued
publications de la CEI préparées par le comité by the technical committee which has prepared the
d'études qui a établi la présente publication. present publication.
* Voir adresse «site web» sur la page de titre. * See web site address on title page.

NORME
CEI
INTERNATIONALE
IEC
62007-1
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
1997-09
Dispositifs optoélectroniques à semiconducteurs
pour application dans les systèmes
à fibres optiques –
Partie 1:
Valeurs limites et caractéristiques essentielles
Semiconductor optoelectronic devices
for fibre optic system applications –
Part 1:
Essential ratings and characteristics

 IEC 1997 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
Aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni No part of this publication may be reproduced or utilized in
utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun any form or by any means, electronic or mechanical,
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copie et les microfilms, sans l'accord écrit de l'éditeur. writing from the publisher.
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V
PRICE CODE
International Electrotechnical Commission
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– 2 – 62007-1 © CEI:1997
SOMMAIRE
Pages
AVANT-PROPOS . 6

Articles
1 Domaine d'application. 8

2 Références normatives. 8

3 Termes et définitions. 8

4 Diodes électroluminescentes et diodes émettrices en infrarouge pour systèmes

ou sous-systèmes à fibres optiques . 10

4.1 Type. 10
4.2 Matériau semiconducteur. 10
4.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation . 12
4.4 Valeurs limites (système des limites absolues) dans la gamme des
températures de fonctionnement . 12
4.5 Caractéristiques électriques et optiques . 14
4.6 Informations supplémentaires. 14
5 Module laser avec fibres amorces. 16
5.1 Type. 16
5.2 Semiconducteur. 16
5.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation . 16
5.4 Valeurs limites (système des limites absolues) dans la gamme des
températures de fonctionnement . 16
5.5 Caractéristiques électriques et optiques . 20
6 Photodiodes PIN pour systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques . 24
6.1 Type. 24
6.2 Matériau semiconducteur. 24
6.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation . 24
6.4 Valeurs limites (système des limites absolues) dans la gamme des
températures de fonctionnement . 24
6.5 Caractéristiques électriques et optiques . 26
6.6 Informations supplémentaires. 26
7 Photodiodes à avalanche avec ou sans fibre amorce . 26
7.1 Type. 26
7.2 Semiconducteur. 28
7.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation . 28
7.4 Valeurs limites (système des limites absolues) dans la gamme des
températures de fonctionnement . 28
7.5 Caractéristiques électriques et optiques . 30

7.6 Informations supplémentaires. 32
8 Modules PIN-FET pour les systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques . 30
8.1 Type. 32
8.2 Matériau semiconducteur. 32
8.3 Structure. 32
8.4 Détails d’encombrement et d’encapsulation . 32
8.5 Valeurs limites (valeurs maximales absolues) dans la gamme de
températures de fonctionnement . 34
8.6 Conditions de fonctionnement à T = 25 °C. 34
amb
8.7 Caractéristiques électriques et optiques . 36
8.8 Informations supplémentaires. 36

62007-1 © IEC:1997 – 3 –
CONTENTS
Page
FOREWORD . 7

Clause
1 Scope. 9

2 Normative reference. 9

3 Terms and definitions . 9

4 Light emitting diodes and infrared emitting diodes for fibre optic systems or

subsystems . 11

4.1 Type. 11
4.2 Semiconductor material. 11
4.3 Details of outline and encapsulation . 13
4.4 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature
range . 13
4.5 Electrical and optical characteristics . 15
4.6 Supplementary information. 15
5 Laser module with pigtails . 15
5.1 Type. 17
5.2 Semiconductor. 17
5.3 Details of outline and encapsulation . 17
5.4 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature
range . 17
5.5 Electric and optical characteristics. 21
6 PIN photodiodes for fibre optic systems or subsystems. 25
6.1 Type. 25
6.2 Semiconductor material. 25
6.3 Details of outline and encapsulation . 25
6.4 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature
range . 25
6.5 Electrical and optical characteristics . 27
6.6 Supplementary information. 27
7 Avalanche photodiodes (APDs) with or without pigtails. 27
7.1 Type. 27
7.2 Semiconductor. 27
7.3 Details of outline and encapsulation . 29
7.4 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature
range . 29
7.5 Electrical and optical characteristics . 31

7.6 Supplementary information. 31
8 PIN-FET modules for fibre optic systems or subsystems . 33
8.1 Type. 33
8.2 Semiconductor material. 33
8.3 Structure. 33
8.4 Details of outline and encapsulation . 33
8.5 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature
range . 35
8.6 Operating conditions at T = 25 °C . 35
amb
8.7 Electrical and optical characteristics . 37
8.8 Supplementary information. 37

– 4 – 62007-1 © CEI:1997
Articles Pages
9 Modules à diodes laser pour le pompage d'un amplificateur à fibres optiques. 36

9.1 Type. 36

9.2 Matériau semiconducteur. 36

9.3 Structure. 38

9.4 Détails d’encombrement et d’encapsulation . 38

9.5 Valeurs limites (valeurs maximales absolues) dans la gamme de

températures de fonctionnement . 38

9.6 Caractéristiques électriques et optiques . 40

9.7 Informations supplémentaires. 42

9.8 Danger. 42
10 Modules à diodes laser pour les systèmes ou sous-systèmes de transmission
analogique par fibres optiques. 44
10.1 Type. 44
10.2 Matériau semiconducteur. 44
10.3 Structure. 44
10.4 Détails d’encombrement et d’encapsulation . 44
10.5 Valeurs limites (valeurs maximales absolues) dans la gamme de
températures de fonctionnement . 46
10.6 Caractéristiques électriques et optiques . 48
10.7 Informations supplémentaires. 50
10.8 Danger. 50
11 Réseaux de diodes électroluminescentes pour les systèmes ou sous-systèmes
à fibres optiques. 50
11.1 Type. 50
11.2 Matériau semiconducteur. 50
11.3 Détails d’encombrement et d’encapsulation . 52
11.4 Valeurs limites (valeurs maximales absolues) dans la gamme de
températures de fonctionnement . 52
11.5 Caractéristiques électriques et optiques . 54
11.6 Informations supplémentaires. 56
12 Modulateurs optiques pour applications numériques sur fibres optiques . 56
12.1 Type. 56
12.2 Matériau. 56
12.3 Structure. 56
12.4 Détails d’encombrement et d’encapsulation . 56
12.5 Valeurs limites (valeurs maximales absolues) dans la gamme de
températures de fonctionnement . 58
12.6 Caractéristiques électriques et optiques . 60

12.7 Informations supplémentaires. 62
12.8 Danger. 62
Annexe A (informative) – Index des références croisées . 64

62007-1 © IEC:1997 – 5 –
Clause Page
9 Laser diode modules for pumping an optical fibre amplifier . 37

9.1 Type. 37

9.2 Semiconductor material. 39

9.3 Structure. 39

9.4 Details of outline and encapsulation . 39

9.5 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature

range . 39

9.6 Electrical and optical characteristics . 41

9.7 Supplementary information. 43

9.8 Hazard. 43
10 Laser diode modules for fibre optic analogue transmission systems or subsystems . 43
10.1 Type. 45
10.2 Semiconductor material. 45
10.3 Structure. 45
10.4 Details of outline and encapsulation . 45
10.5 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature
range . 47
10.6 Electrical and optical characteristics . 49
10.7 Supplementary information. 51
10.8 Hazard. 51
11 LED arrays for fibre optic systems or subsystems . 51
11.1 Type. 51
11.2 Semiconductor material. 51
11.3 Details of outline and encapsulation . 53
11.4 Limiting values (absolute maximum ratings) over the operating temperature
range . 53
11.5 Electrical and optical characteristics . 55
11.6 Supplementary information. 57
12 Optical modulators for digital fibre optic applications. 57
12.1 Type. 57
12.2 Material. 57
12.3 Structure. 57
12.4 Details of outline and encapsulation . 57
12.5 Limiting values (absolute maximum system) over the operating
temperature range. 59
12.6 Electrical and optical characteristics . 61
12.7 Supplementary information. 63
12.8 Hazard. 63

Annex A (informative) – Cross references index. 65

– 6 – 62007-1 © CEI:1997
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE

___________
DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES À SEMICONDUCTEURS

POUR APPLICATION DANS LES SYSTÈMES À FIBRES OPTIQUES –

Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles

AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation composée
de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a pour objet de
favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les domaines de
l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes internationales.
Leur élaboration est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le
sujet traité peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en
liaison avec la CEI, participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement avec l'Organisation
Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les Comités nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière.
5) La CEI n’a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d’approbation et sa responsabilité
n’est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme à l’une de ses normes.
6) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Norme internationale peuvent faire
l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour
responsable de ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 62007-1 a été établie par le comité d'études 47C: Dispositifs
optoélectroniques, d'affichage et imagerie, du comité d'études 47 de la CEI: Dispositifs à
semiconducteurs.
La présente édition remplace partiellement la deuxième édition de la CEI 60747-5 (1992) et
son amendement 1 et constitue une révision technique (voir également l'annexe A: Index des
références croisées).
Elle doit être lue conjointement avec les CEI 60747-5-1, CEI 60747-5-2, CEI 60747-5-3 et la
CEI 62007-2.
Le domaine couvert par cette norme sera désormais placé sous la responsabilité du comité
d'études 86 de la CEI: Fibres optiques.
Le texte de cette norme est issu en partie de la CEI 60747-5 (1992) et son amendement 1 et
en partie des documents suivants:
FDIS Rapport de vote
86/113/FDIS 86/114/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l’approbation de cette norme.
L'annexe A est donnée uniquement à titre d'information

62007-1 © IEC:1997 – 7 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION

___________
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICES

FOR FIBRE OPTIC SYSTEM APPLICATIONS –

Part 1: Essential ratings and characteristics

FOREWORD
1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of the IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, the IEC publishes International Standards. Their preparation is
entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may
participate in this preparatory work. International, governmental and non-governmental organizations liaising
with the IEC also participate in this preparation. The IEC collaborates closely with the International Organization
for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the two
organizations.
2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters express, as nearly as possible, an
international consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation
from all interested National Committees.
3) The documents produced have the form of recommendations for international use and are published in the form
of standards, technical reports or guides and they are accepted by the National Committees in that sense.
4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC International
Standards transparently to the maximum extent possible in their national and regional standards. Any
divergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearly
indicated in the latter.
5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with one of its standards.
6) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this International Standard may be the subject
of patent rights. The IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
International Standard IEC 62007-1 has been prepared by sub-committee 47C: Optoelectronic,
display and imaging devices, of IEC technical committee 47: Semiconductor devices.
This first edition replaces partially the second edition of IEC 60747-5 (1992) and its
amendment 1, and constitutes a technical revision (see also annex A: Cross references index).
It should be read jointly with IEC 60747-5-1, IEC 60747-5-2, IEC 60747-5-3 and IEC 62007-2.

The field of this standard will henceforth be placed under the responsibility of IEC technical
committee 86: Fibre optics.
The text of this standard is based partly on IEC 60747-5 (1992) and its amendment 1 and partly
on the following documents:
FDIS Report on voting
86/113/FDIS 86/114/RVD
Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report of
voting indicated in the above table.
Annex A is for information only.

– 8 – 62007-1 © CEI:1997
DISPOSITIFS OPTOÉLECTRONIQUES À SEMICONDUCTEURS

POUR APPLICATION DANS LES SYSTÈMES À FIBRES OPTIQUES –

Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles

1 Domaine d'application
Cette partie de la CEI 62007 donne les valeurs limites et caractéristiques essentielles
applicables aux catégories suivantes de dispositifs optoélectroniques à semiconducteurs
utilisés dans le domaine des systèmes et sous-systèmes à fibres optiques:
– photoémetteurs à semiconducteurs;
– détecteurs photoélectriques à semiconducteurs;
– dispositifs intégrés à semiconducteurs, monolithiques ou hybrides, ou leurs modules.
2 Références normatives
Le document normatif suivant contient des dispositions qui, par suite de la référence qui y est
faite, constituent des dispositions valables pour la présente partie de la CEI 62007. Au moment
de la publication, l'édition indiquée était en vigueur. Tout document normatif est sujet à révision
et les parties prenantes aux accords fondés sur la présente partie de la CEI 62007 sont
invitées à rechercher la possibilité d'appliquer l'édition la plus récente du document normatif
indiqué ci-après. Les membres de la CEI et de l'ISO possèdent le registre des Normes
internationales en vigueur.
CEI 60825 (toutes les parties),
Sécurité des appareils à laser
3 Termes et définitions
La terminologie des concepts physiques, des types de dispositifs, des termes généraux et des
valeurs limites et caractéristiques, peut être consultée dans la CEI 60747-5-1.
Pour les besoins de la présente Norme internationale, les définitions suivantes sont
applicables.
3.1
photodiode à avalanche (VEI 845-05-40, spécialisé):
photodiode fonctionnant avec une polarisation en inverse telle que le courant photoélectrique
primaire subit une amplification dans la diode
3.2
intensité relative du bruit RIN:
Quotient de la moyenne quadratique des fluctuations du flux énergétique, <ΔΦ > par la
e
moyenne quadratique du flux énergétique <ΔΦ > , normalisée à une bande fréquentielle de
e
largeur unitaire
NOTE – Le RIN est habituellement exprimé en dB/Hz:
2 2
RIN=<10 log ΔΦ>< Φ>∗Δf
{}()
10 e e
62007-1 © IEC:1997 – 9 –
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICES

FOR FIBRE OPTIC SYSTEM APPLICATIONS –

Part 1: Essential ratings and characteristics

1 Scope
This part of IEC 62007 gives the essential ratings and characteristics of the following
categories of semiconductor optoelectronic devices to be used in the field of fibre optic
systems and subsystems:
– semiconductor photoemitters;
– semiconductor photoelectric detectors;
– monolithic or hybrid integrated optoelectronic devices and their modules.
2 Normative reference
The following normative document contains provisions which, through reference in this text,
constitute provisions of this International standard. At the time of publication, the edition
indicated was valid. All normative documents are subject to revision, and parties to agreements
based on this International standard are encouraged to investigate the possibility of applying
the most recent editions of the normative document indicated below. Members of IEC and ISO
maintain registers of currently valid International Standards.
IEC 60825 (all parts), Safety of laser products
3 Terms and definitions
The terminology concerning the physical concepts, the types of devices, the general terms, and
those related to ratings and characteristics can be found in IEC 60747-5-1.
For the purpose of this International Standard, the following definitions are applicable.
3.1
avalanche photodiode (IEV 845-05-40, specialized):

a photodiode operating with a reverse bias such that the primary photocurrent undergoes
amplification within the diode
3.2
relative intensity noise RIN:
the quotient of the radiant power mean square fluctuations <ΔΦ > to the mean square radiant
e
power <ΔΦ > , normalized to a frequency band of unit width
e
NOTE – RIN is usually expressed in dB/Hz.
2 2
RIN=<10 log ΔΦ>< Φ>∗Δf
()
{}
10 e e
– 10 – 62007-1 © CEI:1997
3.3
déviation spectrale Δλ :
c
écart de la longueur d'onde centrale à sa valeur à une température du boîtier donnée ou un

courant direct donné par rapport à sa valeur à une température de boîtier ou à un courant

direct de référence spécifiés respectivement

NOTE – La température de référence spécifique est habituellement de 25 °C.

3.4
coefficient de réflexion en entrée s :
quotient de la tension réfléchie à haute fréquence par la tension incidente à haute fréquence

3.5
erreur de piste E :
R
écart du flux énergétique à une température du boîtier donnée par rapport à une température
du boîtier de référence spécifiée
NOTE 1 − La température de référence spécifique est habituellement de 25 °C.
NOTE 2 − Il est habituellement spécifié un écart maximal (en valeur absolue) dans deux gammes de température
de part et d’autre de la température du boîtier de référence.
NOTE 3 − L’erreur de piste est habituellement exprimée en pourcentage du flux énergétique à la température du
boîtier de référence.
3.6
responsivité d’une photodiode pour systèmes de transmission par fibre optique (ou
sous-système) R , R:
D
quotient du photocourant I par la puissance optique (flux énergétique) Φ à l’accès optique de
p e
la photodiode.
NOTE 1 − S’il ne se présente aucune ambiguïté, le terme et le symbole les plus courts peuvent être utilisés.
NOTE 2 − Le terme «photodiode» recouvre les cas:
– de «puce» de jonction photodétectrice;
– de composant encapsulé et protégé par une vitre ou muni d’une fibre amorce.
3.7
facteur de bruit en excès F :
e
Bruit résultant des fluctuations spatiales et temporelles de la multiplication de porteurs de
charge par effet d’avalanche. Il est défini comme le rapport de la puissance de bruit à une
polarisation inverse donnée au bruit de grenaille amplifié du photocourant à une polarisation
inverse de référence.
NOTE – Il convient que la tension inverse de référence soit suffisamment basse pour qu’il n’y ait pas de
multiplication de porteurs de charge, mais suffisamment haute pour que le dispositif soit entièrement déplété et ait

atteint ses vitesse et responsivité assignées.
___________
4 Diodes électroluminescentes et diodes émettrices en infrarouge pour
systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques
4.1 Type
Diodes électroluminescentes ou émettrices en infrarouge à température ambiante spécifiée ou
à température de boîtier spécifiée avec ou sans fibre optique amorce pour les systèmes ou
sous-systèmes à fibres optiques.
4.2 Matériau semiconducteur
GaAs, GaAlAs, InGaAs, InP, etc.

62007-1 © IEC:1997 – 11 –
3.3
spectral shift Δλ :
c
the deviation of the peak-emission wavelength at a particular case temperature or a particular

forward current from its value at a specified reference case temperature or a specified

reference forward current, respectively

NOTE – The specific reference temperature is usually 25 °C.

3.4
input reflection coefficient s :
the quotient of the high frequency reflected voltage to the high frequency incident voltage

3.5
tracking error E :
R
the deviation of the radiant power at a particular case temperature from its value at a specified
reference case temperature
NOTE 1 – The specific reference temperature is usually 25 °C.
NOTE 2 – Specifications usually refer to the maximum deviation (absolute value) in two specified temperature
ranges below and above the specified reference case temperature.
NOTE 3 – The tracking error is usually expressed as a percentage of the radiant power at the reference case
temperature.
3.6
(diode) responsivity R , R (of a photodiode):
D
the quotient of the photocurrent I by the radiant power Φ at the optical port of the photodiode
p e
NOTE 1 – If no ambiguity is likely to occur, the shorter term and letter symbol may be used
NOTE 2 – "Photodiode" means a complete device such as:
– chip itself;
– packaged component with window or pigtail.
3.7
excess noise factor F :
e
noise resulting from the spatial and timing fluctuations of the avalanche carrier multiplication: it
is defined as the ratio of the noise power at a specified reverse bias to the amplified shot noise
of the photocurrent at a reference reverse bias
NOTE – The reference reverse voltage should be sufficiently low that no carrier multiplication takes place but
sufficiently large that the device is fully depleted and has achieved its rated speed and responsivity.
___________
4 Light emitting diodes and infrared emitting diodes for fibre optic systems or

subsystems
4.1 Type
Ambient-rated or case-rated light-emitting or infrared-emitting diode with or without optical fibre
pigtail for fibre optic systems or subsystems.
4.2 Semiconductor material
GaAs, GaAlAs, InGaAs, InP, etc.

– 12 – 62007-1 © CEI:1997
4.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation

4.3.1 Numéro CEI et/ou numéro national de référence du dessin d'encombrement.

4.3.2 Méthode d'encapsulation: verre/métal/plastique/autre.

4.3.3 Identification des bornes et indication d'une connexion électrique éventuelle entre une

borne et le boîtier.
4.3.4 Caractéristiques de l'accès optique: orientation par rapport à l'axe mécanique, position

par rapport à l'axe mécanique, surface, ouverture numérique.

4.3.5 Pour les dispositifs avec fibre amorce: informations concernant la fibre amorce, le type
de protection, le connecteur et la longueur.
4.3.6 Informations concernant la dissipation thermique du boîtier.
4.4 Valeurs limites (système des limites absolues) dans la gamme des températures de
fonctionnement, sauf indication contraire
Réf. Caractéristiques Symbole littéral Exigences
Min. Max.
4.4.1 Température de stockage T xx
stg
soit 4.4.2.1 Température ambiante T xx
amb
soit 4.4.2.2 Température de boîtier T xx
case
4.4.3 Température de soudage au temps maximal de T x
sld
soudage et distance minimale spécifiée par rapport
au boîtier
4.4.4 Tension inverse V x
R
4.4.5 Courant direct continu I x
F
Courbe ou facteur de réduction
4.4.6 Courant direct de pointe dans les conditions x
I
FRM
d'impulsions spécifiées (s'il y a lieu)
Courbe ou facteur de réduction (s'il y a lieu)
4.4.7 Dissipation de puissance P x
tot
Courbe ou facteur de réduction (s'il y a lieu)
4.4.8 Pour les dispositifs à température de boîtier T x
(vj)
spécifiée:
Température de jonction virtuelle (s'il y a lieu)

4.4.9 Pour les dispositifs avec fibre amorce: r x
Rayon de courbure de la fibre amorce (à la distance
spécifiée par rapport au boîtier)
4.4.10 Chocs x
4.4.11 Vibrations x
4.4.12 Résistance à la traction pour les dispositifs avec
fibre amorce:
4.4.12.1 Structure lâche:
– Résistance à la traction sur la fibre le long de son
axe F x
– Résistance à la traction sur la gaine de protection
le long de son axe F x
4.4.12.2 Structure serrée:
– Résistance à la traction sur la fibre amorce le long
de son axe F x
62007-1 © IEC:1997 – 13 –
4.3 Details of outline and encapsulation

4.3.1 IEC and/or national reference number of outline drawing.

4.3.2 Method of encapsulation: glass/metal/plastic/other.

4.3.3 Terminal identification and indication of any electrical connection between a terminal

and the case.
4.3.4 Characteristics of the optical port: Orientation relative to mechanical axis, position

relative to mechanical axis, area, numerical aperture.

4.3.5 For devices with pigtail: Information on the pigtail fibre, kind of protection, connector,
length.
4.3.6 Information on the heat sink of the package.
4.4 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature range,
unless otherwise stated
Ref. Characteristics Letter symbol Requirements
Min. Max.
4.4.1 Storage temperature T xx
stg
either 4.4.2.1 Ambient temperature T xx
amb
or 4.4.2.2 Case temperature T xx
case
4.4.3 Soldering temperature at maximum soldering time T x
sld
and minimum distance to case specified
4.4.4 Reverse voltage V x
R
4.4.5 Continuous forward current x
I
F
Derating curve or derating factor
4.4.6 Repetitive peak forward current at specified pulse I x
FRM
conditions (where appropriate)
Derating curve or derating factor (where appropriate)
4.4.7 Power dissipation P x
tot
Derating curve or derating factor (where appropriate)
4.4.8 For case-rated devices: T x
(vj)
Virtual junction temperature (where appropriate)
4.4.9 For devices with pigtail: r x
Bend radius of pigtail (at specified distance from the
case)
4.4.10 Shock x
4.4.11 Vibration x
4.4.12 Tensile force on devices with pigtail:
4.4.12.1 Untight structure:
– Tensile force on fibre along its axis x
F
– Tensile force on cladding along its axis x
F
4.4.12.2 Tight structure:
– Tensile force on pigtail along its axis F x

– 14 – 62007-1 © CEI:1997
4.5 Caractéristiques électriques et optiques

Réf. Caractéristiques Conditions à T ou T = 25 °C Symbole Exigences
amb case
sauf indication contraire littéral Min. Max.

4.5.1 Tension directe x
I ou Φ spécifié V
F
F e
4.5.2 Courant inverse V spécifié I x
R R
4.5.3 Résistance différentielle r x
I ou Φ spécifié
d
F e
4.5.4 Capacité totale V , f spécifiés C x
R tot
soit Bruit d'intensité relative RIN x
I ou Φ , f , Δf spécifiés
F e o N
4.5.5.1 (s'il y a lieu)
soit Rapport porteuse/bruit (s'il y a C/N x
I ou Φ , f , Δf
...