IEC 62007-1:1997/AMD1:1998

NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
62007-1
INTERNATIONAL
STANDARD
AMENDEMENT 1
AMENDMENT 1
1998-08
Amendement 1
Dispositifs optoélectroniques à semiconducteurs
pour application dans les systèmes
à fibres optiques –
Partie 1:
Valeurs limites et caractéristiques essentielles
Amendment 1
Semiconductor optoelectronic devices
for fibre optic system applications –
Part 1:
Essential ratings and characteristics

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Commission Electrotechnique Internationale
H
PRICE CODE
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– 2 – 62007-1 amend. 1 © CEI:1998

AVANT-PROPOS
Le présent amendement a été établi par le comité d'études 86 de la CEI: Fibres optiques.

Le texte de cet amendement est issu des documents suivants:

FDIS Rapport de vote
86/124/FDIS 86/133/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l'approbation de cet amendement.
___________
Page 62
Ajouter, après le paragraphe 12.8, les nouveaux articles 13 et 14 suivants:
13 Valeurs limite et caractéristiques essentielles des dispositifs laser
à boîtier TO
13.1 Type
Le dispositif laser à boîtier TO comprend les pièces de base suivantes:
– diode laser;
– photodiode de contrôle.
13.2 Matériau semi-conducteur
Diode laser: InP, GaAs, InGaAs, InAIAs, InGaAsP, etc.
Photodiode de contrôle: Ge, Si, InGaAs, etc.
13.3 Structure
Diode laser: Fabry Perot BH, MQW, etc.

13.4 Détails d’encombrement et d’encapsulation
13.4.1 Numéro CEI et/ou numéro national de référence du dessin d’encombrement
13.4.2 Méthode d’encapsulation: verre/métal/plastique/autre
13.4.3 Identification des bornes

62007-1 Amend. 1 © IEC:1998 – 3 –

FOREWORD
This amendment has been prepared by IEC technical committee 86: Fibre optics.

The text of this amendment is based on the following documents:

FDIS Report on voting
86/124/FDIS 86/133/RVD
Full information on the voting for the approval of this amendment can be found in the report on
voting indicated in the above table.
___________
Page 63
Add, after subclause 12.8, the following new clauses 13 and 14:
13 Essential ratings and characteristics of TO can laser devices
13.1 Type
The TO can laser device consists of the following basic parts:
– laser diode;
– monitor photodiode.
13.2 Semiconductor material
Laser diode: InP, GaAs, InGaAs, InAlAs, InGaAsP, etc.
Monitor photodiode: Ge, Si, InGaAs, etc.
13.3 Structure
Laser diode: Fabry Perot BH, MQW, etc.

13.4 Details of outline and encapsulation
13.4.1 IEC and/or national reference number of the outline drawing
13.4.2 Method of encapsulation: glass/metal/plastic/other
13.4.3 Terminal identification

– 4 – 62007-1 amend. 1 © CEI:1998

13.5 Valeurs limites (système des limites absolues) dans la gamme des températures
de fonctionnement, sauf indication contraire

Réf. Caractéristiques Symbole Exigences Unité

Min. Max.
Conditions générales
5.1 Température de stockage T XX °C
stg
5.2 Température de fonctionnement T XX °C

case
5.3 Température de brasage: (à un temps de T X°C

sld
brasage spécifié et à une distance minimale

du boîtier)
Diode laser
5.7 Tension inverse V XV
R
5.8 Courant direct I XmA
F
5.9 Flux énergétique continu au niveau de l’accès XmW
Φ
e
optique
5.10 Flux énergétique maximum pour une largeur Φ XmW
ep
d’impulsion et un rapport cyclique spécifiés
5.11 ESD – Tension (deux polarités) modèle Corps V XV
ESD
Humain
Photodiode de contrôle
5.12 Tension inverse V XV
mR
5.13 Courant direct I XmA
mF
5.14 ESD – Tension (deux polarités) modèle Corps V XV
mESD
Humain
13.6 Caractéristiques électriques et optiques
Réf. Caractéristiques et conditions Symbole Exigences Unité
Min. Max.
6.1 Caractéristiques «statiques» à T = 25 °C
case
Diode laser
6.1.1 Courant de seuil I XX mA
(TH)
6.1.2.1 Flux énergétique à l’accès optique pour I XX mW
Φ
F
e
ou
(I + ΔI ) spécifié (le cas échéant pour
(TH) F
la valeur maximale)
6.1.2.2 I XX mA
Courant direct à Φ
F
e
6.1.3 Φ ΔΦ η XX W/A
Efficacité différentielle à ± spécifié
e e d
ou à I ± ΔI spécifié
F F
6.1.4 Linéarité du flux énergétique entre Φ et L X%
e1 d
Φ spécifié (le cas échéant)
e2
6.1.5 Flux énergétique au niveau de l’accès XmW
Φ
(TH)
optique à I (le cas échéant)
(TH)
6.1.6 Φ I V XV
Tension directe à ou spécifié
e F F
6.1.7 Résistance différentielle au-dessus du seuil R XX Ω
d
(le cas échéant)
6.1.8 Résistance thermique boîtier-jonction R XK/W
th(j-c)
(le cas échéant)
62007-1 Amend. 1 © IEC:1998 – 5 –

13.5 Limiting values (absolute maximum system) over the operating temperature range,
unless otherwise stated
Ref. Characteristics Symbol Requirements Unit

Min. Max.
General conditions
5.1 Storage temperature T XX °C
stg
5.2 Operating temperature T XX °C
case
5.3 Soldering temperature: (at specified soldering T X°C
sld
time and minimum distance to case)
Laser diode
5.7 Reverse voltage V XV
R
5.8 Forward current I XmA
F
5.9 CW radiant output power at optical port XmW
Φ
e
5.10 Maximum radiant output power at specified Φ XmW
ep
pulse width and duty cycle
5.11 ESD – Voltage (both polarities) Human Body V XV
ESD
model
Monitor photodiode
5.12 Reverse voltage V XV
mR
5.13 Forward current I XmA
mF
5.14 ESD – Voltage (both polarities) Human Body V XV
mESD
model
13.6 Electrical and optical characteristics
Ref. Characteristics and conditions Symbol Requirements Unit
Min. Max.
6.1 "Static" characteristics at T = 25 °C
case
Laser diode
I
6.1.1 Threshold current XX mA
(TH)
6.1.2.1 Radiant output power at optical port at I (I Φ XX mW
F (TH) e
+ ΔI ) specified (where appropriate for
F
or
maximum value)
6.1.2.2 I XX mA
Forward current at Φ
F
e
6.1.3 XX W/A
Differential efficiency at Φ ± ΔΦ specified or η
e e d
I ± ΔI
at  specified
F F
6.1.4 Linearity of radiant output power between Φ L X%
e1 d
and Φ specified (where appropriate)
e2
I
6.1.5 Radiant output power at optical port at Φ XmW
(TH) (TH)
(where appropriate)
6.1.6 V XV
Forward voltage at Φ or I specified
F
e F
6.1.7 Differential resistance above threshold R XX Ω
d
(where appropriate)
6.1.8 Thermal resistance junction-case R XK/W
th(j-c)
(where appropriate)
– 6 – 62007-1 amend. 1 © CEI:1998

Réf. Caractéristiques et conditions Symbole Exigences Unité

Min. Max.
Photodiode de contrôle
6.1.9 I XnA
Courant d’obscurité inverse à Φ = 0 et à V
e R mR0
spécifié
6.1.10 Courant en sortie de photodiode de contrôle I XX mA
m
à Φ et V spécifiés
e R
6.1.11 Linéarité du courant de la diode de contrôle L X%
m
au flux énergétique provenant de l’accès
optique sur la gamme spécifiée, de I à I
F1 F2
ou de Φ à Φ
e1 e2
6.1.12 Capacité à V et f spécifiées C XpF
R tot
6.2 Caractéristiques «dynamiques»
à T = 25 °C
case
Diode laser
6.2.1 Longueur d’onde centrale efficace du XX nm
λ
spectre maximal à un flux énergétique Φ
e
spécifié
6.2.2 Largeur de spectre à valeur efficace à: (X) X nm
Δλ
(rms)
a) Φ ou I spécifié (dans des conditions
e F
en continu)
ou
b) Φ moyen ou I moyen et Φ spécifié,
e F e
(dans des conditions de modulation)
(le cas échéant)
6.2.3.1 Temps de croissance du flux énergétique t Xps
r
entre 10 % et 90 % du flux énergétique Φ
e
ou I et R spécifiés
F L
6.2.3.2 Temps de décroissance du flux énergétique t Xps
f
entre 90% et 10% du flux énergétique Φ ou
e
I et R spécifiés
F L
6.2.4.1 RIN XdB/Hz
Bruit d’intensité relative à Φ ou I spécifié,
e F
Φ et Δf spécifié, réflexion optique spécifiée
e
(le cas échéant)
6.3 Caractéristiques sur la gamme de tempé-
ratures de fonctionnement spécifiée
+
6.3.1 Courant de seuil I XX mA
(TH)
+
6.3.2 XX W/A
Efficacité différentielle à Φ ± ΔΦ spécifié η
e e d
(ou I ± ΔI spécifié)
F F
+
6.3.3 E ± X %
Rapport de contrôle à Φ spécifié se
R
e
référant à T = 25 °C
case
+
6.3.4 Longueur d’onde centrale efficace du XX nm
λ
spectre à Φ spécifié
e
+
6.3.5 L X%
Linéarité du flux énergétique entre Φ et
h
e1
Φ spécifiés (le cas échéant)
e2
+
6.3.6 Courant d’obscurité de la photodiode I XnA
R(D)
du détecteur à V spécifié
R
NOTE – Les caractéristiques portant le signe «+» dans la colonne symbole indiquent que les valeurs minimale
et maximale des caractéristiques doivent être adoptées sur toute la gamme de températures de fonctionnement.
13.7 Risque
Voir CEI 60825.
62007-1 Amend. 1 © IEC:1998 – 7 –

Ref. Characteristics and conditions Symbol Requirements Unit

Min. Max.
Monitor photodiode
6.1.9 I XnA
Reverse dark current at Φ = 0 and at V
e R mR0
specified
6.1.10 I XX mA
Monitor photodiode output current at Φ and V
m
e R
specified
6.1.11 Linearity of monitor diode current to radiant L X%
m
output power from the optical port over the
specified range from I to I or Φ to Φ
F1 F2 e1 e2
6.1.12 XpF
Capacitance at V and f specified C
R tot
6.2 "Dynamic" characteristics at T = 25 °C
case
Laser diode
6.2.1 Central (RMS) wavelength of the maximum λ XX nm
spectrum at radiant output power Φ specified
e
6.2.2 RMS spectral bandwidth at : Δλ (X) X nm
(rms)
a) Φ or I specified (under CW conditions)
e F
or
b) Φ mean or I mean and Φ specified,
e F e
(under modulation conditions)
(where appropriate)
6.2.3.1 Rise time of radiant output power between 10 % t Xps
r
and 90 % of the radiant output power Φ or I
e F
and R specified
L
6.2.3.2 Fall time of radiant output power between 90 % t Xps
f
and 10 % of the radiant output power Φ or I
e F
and R specified
L
6.2.4.1 RIN XdB/Hz
Relative intensity noise at Φ or I specified,
e F
Φ and Δf specified, optical reflection specified
e
(where appropriate)
6.3 Characteristics over the operating
temperature range specified
+
6.3.1 Threshold current XX mA
I
(TH)
+
6.3.2 XX W/A
Differential efficiency at Φ ± ΔΦ specified η
e e d
(or I ± Δ specified)
F IF
+
6.3.3 Tracking error at Φ specified referring to ± X %
E
e
R
T = 25 °C
case
+
6.3.4 Central (RMS) wavelength of the spectrum XX nm
λ
at Φ specified
e
+
6.3.5 Linearity of radiant output power between X%
L
h
Φ and Φ specified (where appropriate)
e1  e2
+
6.3.6 Dark current of the detector photodiode XnA
I
R(D)
at V specified
R
NOTE – Characteristics with "+" in the symbol column indicate that minimum and maximum values of the
characteristics shall be taken over the whole operating temperature range.
13.7 Hazard
See IEC 60825.
– 8 – 62007-1 amend. 1 © CEI:1998

14 Valeurs limite et caractéristiques essentielles des modules duplexeur

à fibre amorce
14.1 Type
Le module duplexeur à fibre amorce comprend les pièces de base suivantes:

– diode laser;
– photodiode de contrôle;
– photodiode de détection;
– séparateur de faisceau;
– fibre amorce.
14.2 Matériau semi-conducteur
Diode laser: InP, GaAs, InGaAs, InAIAs, InGaAsP, etc.
Photodiode de contrôle: Ge, Si, InGaAs, etc.
Photodiode de détection: Ge, Si, InGaAs, etc.
14.3 Structure
Diode laser: Fabry Perot BH, MQW, etc.
Photodiode
Séparateur de faisceau ou filtre de longueur d’onde, etc.
14.4 Détails d’encombrement et d’encapsulation
14.4.1 Numéro CEI et/ou numéro national de référence du dessin d’encombrement
14.4.2 Méthode d’encapsulation: verre/métal/plastique/autre
14.4.3 Identification des bornes
...