Semiconductor devices - Part 2: Discrete devices - Rectifier diodes

IEC 60747-2:2016 provides standards for the following categories or sub-categories of rectifier diodes, including:
- line rectifier diodes;
- avalanche rectifier diodes;
- fast-switching rectifier diodes;
- Schottky barrier diodes.
This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
a) Schottky barrier diodes and its properties are added;
b) Clauses 3, 4, 5 and 7 were amended with some deletions of information no longer in use or already included in other parts of the IEC 60747 series, and with some necessary additions;
c) Clause 6 was moved and added to Clause 7 of this third edition;
d) some parts of Clause 7 were moved and added to Clause 7 of this third edition;
e) Annex A was deleted.
This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006.

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 2: Dispositifs discrets - Diodes de redressement

L'IEC 60747-2:2016 donne les normes pour les catégories et sous-catégories suivantes de diodes de redressement, comprenant:
- diodes de redressement de ligne;
- diodes de redressement à avalanche;
- diodes de redressement à commutation rapide;
- diodes à barrière de Schottky.
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente:
a) les diodes à barrière de Schottky et leurs propriétés ont été ajoutées;
b) les Articles 3, 4, 5 et 7 ont été modifiés en procédant d'une part à des suppressions d'informations ne faisant plus l'objet d'une application ou figurant déjà dans d'autre parties de la série IEC 60747, et d'autre part à des ajouts nécessaires;
c) l'Article 6 a été déplacé et ajouté à l'Article 7 de la présente troisième édition;
d) certaines parties de l'Article 7 ont été déplacées et ajoutées à l'Article 7 de la présente troisième édition;
e) l'Annexe A a été supprimée.
Cette publication doit être lue conjointement avec la IEC 60747-1:2006.

General Information

Status
Published
Publication Date
12-Apr-2016
Current Stage
PPUB - Publication issued
Start Date
15-Apr-2016
Completion Date
13-Apr-2016
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IEC 60747-2:2016 - Semiconductor devices - Part 2: Discrete devices - Rectifier diodes
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Standards Content (Sample)


IEC 60747-2 ®
Edition 3.0 2016-04
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Semiconductor devices –
Part 2: Discrete devices – Rectifier diodes

Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 2: Dispositifs discrets – Diodes de redressement

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Edition 3.0 2016-04
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Semiconductor devices –
Part 2: Discrete devices – Rectifier diodes

Dispositifs à semiconducteurs –

Partie 2: Dispositifs discrets – Diodes de redressement

INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
ICS 31.080.10 ISBN 978-2-8322-3295-8

– 2 – IEC 60747-2:2016 © IEC 2016
CONTENTS
FOREWORD . 5
1 Scope . 7
2 Normative references. 7
3 Terms and definitions . 7
3.1 General terms and definitions . 7
3.2 Voltages . 8
3.3 Currents . 9
3.4 Power dissipation . 10
3.5 Switching characteristics . 11
4 Letter symbols . 14
4.1 General . 14
4.2 List of letter symbols . 14
4.2.1 Voltages . 14
4.2.2 Currents . 14
4.2.3 Powers . 15
4.2.4 Switching . 15
5 Essential ratings and characteristics . 16
5.1 General . 16
5.2 Ratings (limiting conditions) . 16
5.2.1 Storage temperature (T ) . 16
stg
5.2.2 Operating ambient or heatsink or case or junction temperature (T or T
a s
or T or T ) . 16
c vj
5.2.3 Non-repetitive peak reverse voltage (V ) . 16
RSM
5.2.4 Repetitive peak reverse voltage (V ) (where appropriate) . 16
RRM
5.2.5 Continuous (direct) reverse voltage (V ) (where appropriate). 16
R
5.2.6 Mean forward current (I ) . 16
F(AV)
5.2.7 R.M.S forward current (I ) . 16
F(R.M.S.)
5.2.8 Repetitive peak forward current (I ) (where appropriate) . 16
FRM
5.2.9 Non-repetitive surge forward current (I ) . 16
FSM
5.2.10 Continuous (direct) forward current (I ) . 17
F
5.2.11 Peak case non-rupture current (I ) (where appropriate) . 17
RSMC
5.2.12 Non-repetitive surge reverse power dissipation (P ) (for avalanche
RSM
rectifier diodes) . 17
5.2.13 Repetitive peak reverse power dissipation (P ) (for avalanche
RRM
rectifier diodes) . 17
5.2.14 Mean reverse power dissipation (P ) (for avalanche rectifier diodes)
R(AV)
5.2.15 Mounting torque (M) (where appropriate) . 17
5.2.16 Clamping force (F) for disc type diodes (where appropriate) . 17
5.3 Characteristics . 17
5.3.1 General . 17
5.3.2 Forward voltage (V ) . 17
F
5.3.3 Peak forward voltage (V ) (where appropriate) . 18
FM
5.3.4 Breakdown voltage (V ) (of an avalanche rectifier diode) . 18
(BR)
5.3.5 Continuous (direct) reverse current (I ) . 18
R(D)
5.3.6 Repetitive peak reverse current (I ) (where appropriate) . 18
RRM
5.3.7 Recovered charge (Q ) (where appropriate) . 18
r
5.3.8 Total capacitive charge (Q ) (where appropriate) . 18
C
5.3.9 Peak reverse recovery current (I ) (where appropriate) . 18
rrm
5.3.10 Reverse recovery time (t ) (where appropriate) . 19
rr
5.3.11 Reverse recovery energy (E ) (where appropriate) . 19
rr
5.3.12 Forward recovery time (t ) (where appropriate) . 19
fr
5.3.13 Peak forward recovery voltage (V ) (where appropriate) . 19
FRM
5.3.14 Reverse recovery softness factor (S ) (where appropriate) . 19
rr
5.3.15 Thermal resistance (R ) . 19
th
5.3.16 Transient thermal impedance (Z (t)) (where appropriate) . 19
th
6 Measuring and test methods . 19
6.1 Measuring methods for electrical characteristics . 19
6.1.1 General . 19
6.1.2 Forward voltage (V , V ) . 20
F FM
6.1.3 Breakdown voltage (V ) of avalanche rectifier diodes . 23
(BR)
6.1.4 Reverse current (I ) . 23
R
6.1.5 Repetitive peak reverse current (I ) . 24
RRM
6.1.6 Recovered charge, reverse recovery time, reverse recovery energy and
softness factor (Q , t , E , S ) . 25
r rr rr rr
6.1.7 Forward recovery time (t ) and peak forward recovery voltage (V ) . 30
fr frm
6.1.8 Total capacitive charge (Q ) . 32
C
6.2 Measuring methods for thermal characteristics . 33
6.2.1 General . 33
6.2.2 Thermal resistance (R ) and transient thermal impedance (Z
th(j-r) th(j-
(t)) . 33
r)
6.3 Verification test methods for ratings (limiting values) . 35
6.3.1 Surge (non-repetitive) forward current (I ) . 35
FSM
6.3.2 Non-repetitive peak reverse voltage (V ) . 36
RSM
6.3.3 Peak reverse power (repetitive or non-repetitive) (P , P ) of
RRM RSM
avalanche rectifier diodes .
...

Questions, Comments and Discussion

Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.