IEC 60747-1:1983/AMD3:1996

NORME
CEI
INTERNATIONALE
IEC
747-1
INTERNATIONAL
STANDARD
AMENDEMENT 3
AMENDMENT 3
1996-09
Comprenant l’amendement 1 (1991) et l’amendement 2 (1993)
Incorporating amendment 1 (1991) and amendment 2 (1993)
Amendement 3
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets et circuits intégrés
Partie 1:
Généralités
Amendment 3
Semiconductor devices –
Discrete devices and integrated circuits
Part 1:
General
 CEI 1996  Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
Bureau central de la Commission Electrotechnique Internationale 3, rue de Varembé Genève Suisse
CODE PRIX
Commission Electrotechnique Internationale
W
International Electrotechnical Commission PRICE CODE
Pour prix, voir catalogue en vigueur
For price, see current catalogue

– 2 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

AVANT-PROPOS
Le présent amendement a été établi par le comité d'études 47 de la CEI: Dispositifs à
semiconducteurs, et par le sous-comité 47A: Circuits intégrés.

Le texte de cet amendement est issu des documents suivants:

Règle des Procédure des
Amendement Rapports de vote Rapport de vote

Six Mois/DIS Deux Mois/ADIS
47(BC)881 47(BC)921
47(BC)884 47(BC)937
47(BC)898 47(BC)936 47(BC)1183 47(BC)1219
47(BC)950 47(BC)990
47(BC)955 47(BC)995
47(BC)981 47(BC)1018
47(BC)982 47(BC)1026
1 47(BC)1052 47(BC)1129
47(BC)1073 47(BC)1133
47(BC)1120 47(BC)1275
47(BC)1121 47(BC)1276
47(BC)1122 47(BC)1277
47(BC)1124 47(BC)1266
47(BC)1125 47(BC)1278
47(BC)1126 47(BC)1245
47/47A(BC)1127/214 47/47A(BC)1257/251
47(BC)1125 47(BC)1278 47(BC)1313 47(BC)1322
47(BC)1126 47(BC)1245
47(BC)1245A 47(BC)1312 47(BC)1321
47(BC)1220 47(BC)1323
47(BC)1221 47(BC)1324
2 47(BC)1223 47(BC)1326
47(BC)1224 47(BC)1327
47(BC)1236 47(BC)1328
47(BC)1315
47(BC)1315A 47(BC)1354
47(BC)1319 47(BC)1345
3 47(BC)1336 47(BC)1349
Les rapports de vote indiqués dans le tableau ci-dessus donnent toute information sur le vote
ayant abouti à l'approbation de cet amendement.
Une ligne verticale dans la marge indique le texte de l'amendement 3.
_________
Page 2
SOMMAIRE
Chapitre IV: Terminologie, généralités
Remplacer le titre de 5.1 par le nouveau titre suivant:
5.1 Courants et tensions . 20
Ajouter les titres des nouveaux articles et paragraphes suivants:

747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 3 –

FOREWORD
This amendment has been prepared by IEC technical committee 47: Semiconducteur devices,
and by sub-committee 47A: Integrated circuits.

The text of this amendment is based on the following documents:

Six Months’ Rule Two Months’
Amendment Reports on voting Report on voting

DIS Procedure/ADIS
47(CO)881 47(CO)921
47(CO)884 47(CO)937
47(CO)898 47(CO)936 47(CO)1183 47(CO)1219
47(CO)950 47(CO)990
47(CO)955 47(CO)995
47(CO)981 47(CO)1018
47(CO)982 47(CO)1026
1 47(CO)1052 47(CO)1129
47(CO)1073 47(CO)1133
47(CO)1120 47(CO)1275
47(CO)1121 47(CO)1276
47(CO)1122 47(CO)1277
47(CO)1124 47(CO)1266
47(CO)1125 47(CO)1278
47(CO)1126 47(CO)1245
47/47A(CO)1127/214 47/47A(CO)1257/251
47(CO)1125 47(CO)1278 47(CO)1313 47(CO)1322
47(CO)1126 47(CO)1245
47(CO)1245A 47(CO)1312 47(CO)1321
47(CO)1220 47(CO)1323
47(CO)1221 47(CO)1324
2 47(CO)1223 47(CO)1326
47(CO)1224 47(CO)1327
47(CO)1236 47(CO)1328
47(CO)1315
47(CO)1315A 47(CO)1354
47(CO)1319 47(CO)1345
3 47(CO)1336 47(CO)1349
Full information on the voting for the approval of this amendment can be found in the reports
on voting indicated in the above table.
The text of amendment 3 is indicated by a vertical line in the margin.

_________
Page 3
CONTENTS
Chapter IV: Terminology, general
Replace the title of 5.1 by the following new title:
5.1 Currents and voltages . 21
Add the titles of the following new clauses and subclauses:

– 4 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

5.6 Termes caractérisant la valeur constante ou les formes d'ondes
périodiques des courants et tensions. 30

6 Termes et définitions concernant les impulsions . 34

7 Temps de commutation d'impulsion d'entrée-sortie, termes généraux. 42

Page 4
Chapitre V: Symboles littéraux, généralités

Ajouter le titre du nouvel article suivant:
5 Symboles littéraux pour les unités d'échelle logarithmique pour les rapports
de signaux exprimés en dB . 60
Chapitre VI: Valeurs limites et caractéristiques essentielles, généralités
Modifier le titre de l’article 3 comme suit:
3 Définitions. 62
Page 6
Chapitre IX: Dispositifs sensibles aux charges électrostatiques
Modifier le titre de l’article 3 comme suit:
3 Méthodes d'essais pour les dispositifs électroniques sensibles à des
impulsions de tension de courte durée. 68
Page 20
Chapitre IV: Terminologie, généralités
Remplacer, à la page 22, les paragraphes 2.11 et 2.12 existants par les nouveaux paragraphes
suivants:
2.11  Caractéristiques directes (d'une jonction PN)
2.11.1  Courant direct
Courant circulant de la région de type P à la région de type N.
2.11.2  Tension directe
Tension entre la région de type P et la région de type N lorsque la région de type P a une
tension positive par rapport à la région de type N.

747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 5 –

5.6 Terms characterizing the constant value or periodic waveforms of
currents and voltages . 31

6 Pulse terms and definitions . 35

7 Input-to-output pulse switching times, general terms. 43

Page 5
Chapter V: Letter symbols, general

Add the title of the following new clause:
5 Letter symbols for logarithmic scale units for signal ratios expressed in dB . 61
Chapter VI: Essential ratings and characteristics, general
Amend the title of clause 3 as follows:
3 Definitions. 63
Page 7
Chapter IX: Electrostatic-sensitive devices
Amend the title of clause 3 as follows:
3 Test methods for electronic devices sensitive to voltage pulses
of short duration . 69
Page 21
Chapter IV: Terminology, general
Replace, on page 23, the existing subclauses 2.11 and 2.12 by the following new subclauses:
2.11 Forward characteristics (of a PN junction)

2.11.1 Forward current
The current flowing from the P-type to the N-type region.
2.11.2 Forward voltage
The voltage between the P-type region and the N-type region when the P-type region is at a
positive voltage relative to the N-type region.

– 6 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

2.11.3  Sens direct
Sens de circulation d’un courant direct (positif).

2.12  Caractéristiques inverses (d'une jonction PN)

2.12.1  Courant inverse
Courant circulant de la région de type N à la région de type P.

2.12.2  Tension inverse
Tension entre la région de type N et la région de type P lorsque la région de type N a une
tension positive par rapport à la région de type P.
2.12.3  Sens inverse
Sens de circulation d'un courant inverse (positif).
Remplacer le paragraphe 2.16 existant par le nouveau paragraphe suivant:
2.16  Couches
NOTE – L'attraction des porteurs de charge comme indiqué ci-dessous peut être due à une tension à champ
contrôlé, comme dans les transistors à effet de champ, ou bien à une charge située dans des états de surface,
des couches isolantes ou des porteurs ioniques en surface.
2.16.1  Couche de déplétion associée à une surface
Région à la surface d'un dispositif à semiconducteurs dont le type de conductivité est le même
que celui dû à la densité de charge fixe des donneurs et accepteurs ionisés, mais dont la
densité des porteurs est insuffisante pour neutraliser l'attraction des porteurs de charge.
2.16.2  Couche d'enrichissement associée à une surface
Région à la surface d'un dispositif à semiconducteurs dont le type de conductivité est le même
que celui dû à la densité de charge fixe des donneurs et accepteurs ionisés, et dont la densité
des porteurs est supérieure à celle qui serait nécessaire pour neutraliser l'attraction des
porteurs de charge.
2.16.3  Couche d'inversion associée à une surface

Région à la surface d'un dispositif à semiconducteurs dont le type de conductivité est l'inverse
de celui dû à la densité de charge fixe des donneurs et accepteurs ionisés dus à l'attraction
des porteurs de charge.
Page 24
Ajouter, après le paragraphe 2.28, le nouveau paragraphe suivant:
2.29  Effet de transfert d'électrons
Génération d'une conductivité différentielle négative en volume dans un composant
semiconducteur III-V à vallées d'énergie multiples quand le champ électrique appliqué dépasse
la valeur critique à laquelle des électrons sont transférés:

747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 7 –

2.11.3 Forward direction
The direction of a (positive) forward current.

2.12 Reverse characteristics (of a PN junction)

2.12.1 Reverse current
The current flowing from the N-type region to the P-type region.

2.12.2 Reverse voltage
The voltage between the N-type region and the P-type region when the N-type region is at a
positive voltage relative to the P-type region.
2.12.3 Reverse direction
The direction of a (positive) reverse current.
Replace the existing subclause 2.16 by the following new subclause:
2.16 Layers
NOTE – The charge-carrier attraction as referred to below may be due to a field-plate voltage as in field-effect
transistors, or it may be due to charge residing in surface states, insulation layers, or surface ionic carriers.
2.16.1 Depletion layer associated with a surface
A surface region of a semiconductor device whose conductivity type is the same as that
produced by the net fixed-charge density of ionized donors and acceptors, but whose net
carrier density is insufficient for neutralization due to charge-carrier attraction.
Accumulation layer, enhancement layer associated with a surface
2.16.2
A surface region of a semiconductor device whose conductivity type is the same as that
produced by the net fixed-charge density of ionized donors and acceptors, and whose
net carrier density is higher than that necessary for neutralization due to charge-carrier
attraction.
2.16.3 Inversion layer associated with a surface

A surface region of a semiconductor device whose conductivity type has been reversed from
that produced by the net fixed-charge density of ionized donors and acceptors due to charge-
carrier attraction.
Page 25
Add, after subclause 2.28, the following new subclause:
2.29 Transferred-electron effect
The generation of bulk negative differential conductivity in compound semiconductor devices
that have multiple energy valleys when the applied electrical field is greater than the critical
value at which electrons transfer from:

– 8 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

• d'une vallée de faible énergie où ils ont une mobilité plus grande et une masse effective

plus petite,
à
• une vallée d'énergie supérieure où ils ont une mobilité plus petite et une masse effective
plus grande.
NOTE – Le terme «vallée d'énergie» se réfère à la vallée dans une courbe de l'énergie en fonction du moment.

Page 26
Remplacer l’article 3 existant par le nouvel article suivant:

3  Termes généraux
3.1  Termes relatifs à la structure
3.1.1  Electrode (d'un dispositif à semiconducteurs)
Elément qui accomplit une ou plusieurs des fonctions suivantes: émettre ou collecter des
électrons ou des trous, ou contrôler leur mouvement.
Exemple:
Figure 6
Dans cet exemple d'une partie d'un circuit intégré, il y a trois électrodes (dans la région continue de type N)
représentées par le trait épais.
3.1.2  Plaquette (tranche)
Tranche faite d'un matériau semiconducteur ou d'un tel matériau déposé sur un substrat, dans

lequel un ou plusieurs circuits ou dispositifs sont réalisés simultanément et qui peut être, en
conséquence, découpé en pastilles.
3.1.3  Pastille (puce)
Portion séparée (ou l'ensemble) d'une plaquette destinée à accomplir une ou des fonctions
dans un dispositif.
3.1.4  Plage de soudure
Surface d'attache sur une pastille à laquelle une connexion peut être faite.

747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 9 –

• a lower energy valley in which they have greater mobility and smaller effective mass,

to
• a higher energy valley in which they have smaller mobility and greater effective mass.

NOTE – The term "energy valley" refers to a valley in an energy versus momentum profile.

Page 27
Replace the existing clause 3 by the following new clause:

3 General terms
3.1 Terms related to structure
3.1.1 Electrode (of a semiconductor device)
An element that performs one or more of the functions of emitting or collecting electrons or
holes, or of controlling their movements.
Example:
Figure 6
In this example of a portion of an integrated circuit, there are three electrodes in the one continuous N-region
represented by the heavy line.
3.1.2 Wafer
A slice of flat disc, either of semiconductor material or of such a material deposited on a
substrate, in which one or more circuits or devices are simultaneously processed and which
may be subsequently separated into chips.

3.1.3 Chip (die)
A separated part (or whole) of a wafer intended to perform a function or functions in a device.
3.1.4 Pad
An area on a chip (die) to which a connection to the chip (die) can be made.

– 10 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

3.1.5  Conducteur interne
Fil soudé à une plage de soudure sur une pastille et destiné à relier cette dernière à un point
quelconque situé à l'intérieur du boîtier du dispositif.

3.1.6  Grille de connexion (d'un boîtier)

Grille métallique possédant des bornes et un support mécanique destiné à les aligner.

3.1.7  Borne (d'un dispositif à semiconducteurs)

Point de connexion accessible extérieurement.
NOTE – En anglais, l'utilisation du terme «termination» en tant que synonyme est déconseillée car ce terme se
réfère aux éléments extérieurs reliés à la borne.
3.1.8  Embase (d'un boîtier)
Partie du boîtier sur laquelle une pastille peut être fixée.
3.1.9  Capot, couvercle
Partie d'un boîtier à cavité qui ferme l'enveloppe.
NOTE – Le terme utilisé dépend du type de boîtier.
3.1.10  Boîtier
Enveloppe pour une ou plusieurs pastilles de semiconducteurs, éléments à couches ou autres
composants, qui permet la connexion électrique et fournit une protection mécanique et une
protection contre l'environnement.
3.1.11  Radiateur
Partie séparable du boîtier ou faisant corps avec lui, qui contribue à la dissipation de la chaleur
produite à l'intérieur du boîtier.
3.2  Termes relatifs au procédé
3.2.1  Technique de dépôt en phase vapeur

Dépôt de couches métalliques, isolantes ou semiconductrices, sur des substrats solides à
partir d'une source de matériau en phase vapeur par dépôt physique ou par réaction chimique.
3.2.2  Technique de sérigraphie
Dépôt de couches métalliques, isolantes ou semiconductrices, sur des substrats solides par
pression de pâtes (encres) à travers des écrans.
3.3  Borne d'anode (d'une diode à semiconducteurs, à l'exclusion des diodes régulatrices de courant)
Borne reliée à la région de type P de la jonction PN ou, lorsque plusieurs jonctions PN de
même polarité sont connectées en série, à la région extrême de type P.
NOTE – Pour les diodes de tension de référence; si elles comprennent des diodes compensées en
température, ces dernières n'entrent pas en compte pour la détermination de la borne d'anode.

747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 11 –

3.1.5 Bonding wire
A wire that is bonded to a chip (die) bonding pad in order to connect the chip (die) to any other
point within the device package.

3.1.6 Lead frame (of a package)

A metal frame providing terminals and mechanical support to align them.

3.1.7 Terminal (of a semiconductor device)

An externally available point of connection.
NOTE – The usage of the term "termination" as a synonym is deprecated since that term denotes the external
elements connected to the terminal.
3.1.8 Base (of a package)
A part of the package on which a chip (die) can be mounted.
3.1.9 Cap, can, lid, plug
The part of a cavity package that completes its enclosure.
NOTE – The particular term used depends on the package design.
3.1.10 Package, case
An enclosure for one or more semiconductor chips (dice), film elements or other components,
that allows electrical connection and provides mechanical and environmental protection.
3.1.11 Heat sink (heat dissipator)
A separable element or integral part of the package that contributes to the dissipation of the
heat produced within the package.
3.2 Terms related to process
3.2.1 Vapour-phase deposition technique
The deposition of conducting, insulating or semiconducting films on to solid substrates from a

source material in the vapour phase by physical deposition or chemical reaction.
3.2.2 Screen-printing technique
The deposition of conducting, insulating or semiconducting films on to solid substrates by
pressing pastes (inks) through screens.
3.3 Anode terminal (of a semiconductor diode, excluding current-regulator diodes)
The terminal connected to the P-type region of the PN junction or, when more than one PN
junction is connected in series with the same polarity, to the extreme P-type region.
NOTE – For voltage-reference diodes; if temperature compensating diodes are included, these are ignored in
the determination of the anode terminal.

– 12 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

3.4  Borne de cathode (d'une diode à semiconducteurs, à l'exclusion des diodes
régulatrices de courant)
Borne reliée à la région de type N de la jonction PN ou, lorsque plusieurs jonctions PN de
même polarité sont connectées en série, à la région extrême de type N.

NOTE – Pour les diodes de tension de référence; si elles comprennent des diodes compensées en

température, ces dernières n'entrent pas en compte pour la détermination de la borne de cathode.

3.5  Borne d'anode (d'une diode régulatrice de courant)

Borne vers laquelle le courant, en provenance du circuit extérieur, circule lorsque la diode est

polarisée pour fonctionner comme régulatrice de courant.
3.6  Borne de cathode (d'une diode régulatrice de courant)
Borne à partir de laquelle le courant circule vers le circuit extérieur lorsque la diode est
polarisée pour fonctionner comme régulatrice de courant.
3.7  Concepts relatifs aux éléments et aux circuits
3.7.1  Circuit
Réseau qui fournit un ou plusieurs chemins fermés.
3.7.2  Elément de circuit
Toute partie constitutive d'un circuit qui contribue directement à son fonctionnement et
accomplit une fonction définissable.
NOTE – Cette définition comprend les moyens d'interconnexion entre les éléments de circuit, ou entre les
éléments de circuit et les bornes.
3.7.3  Paramètres de circuit
Valeurs des quantités physiques ou des caractéristiques résultantes qui sont associées avec
les éléments de circuit.
EXEMPLES
La résistance d'une résistance.
L'amplification en courant d'un transistor.

3.7.4  Circuit équivalent
Arrangement d'éléments de circuit qui possède des caractéristiques, dans une gamme
considérée, équivalentes électriquement à celles d'un circuit ou d'un dispositif particulier.
NOTE – Dans de nombreuses applications utiles, le circuit équivalent remplace (pour les besoins de l'analyse)
un circuit ou un dispositif plus compliqué.
3.7.5  Elément de circuit équivalent
Un élément du circuit équivalent.

747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 13 –

3.4 Cathode terminal (of a semiconductor diode, excluding current-regulator diodes)

The terminal connected to the N-type region of the PN junction or, when more than one PN
junction is connected in series with the same polarity, to the extreme N-type region.

NOTE – For voltage-reference diodes; if temperature compensating diodes are included, these are ignored in

the determination of the cathode terminal.

3.5 Anode terminal (of a current-regulator diode)

The terminal to which current flows from the external circuit when the diode is biased to

operate as a current regulator.

3.6 Cathode terminal (of a current-regulator diode)
The terminal from which current flows into the external circuit when the diode is biased to
operate as a current regulator.
3.7 Concepts referring to elements and circuits
3.7.1 Circuit
A network providing one or more closed paths.
3.7.2 Circuit element
Any constituent part of a circuit that contributes directly to its operation and performs a
definable function.
NOTE – The definition includes interconnection means between circuit elements, or between circuit elements
and terminals.
3.7.3 Circuit parameters
The values of physical quantities or of characteristics derived therefrom that are associated
with the circuit elements.
EXAMPLES
The resistance of a resistor.
The current amplification of a transistor.

3.7.4 Equivalent circuit
An arrangement of circuit elements that has characteristics, over a range of interest,
electrically equivalent to those of a particular circuit or device.
NOTE – In many useful applications, the equivalent circuit replaces (for convenience of analysis) a more
complicated circuit or device.
3.7.5 Equivalent circuit element
An element of the equivalent circuit.

– 14 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

3.7.6  Elément de circuit à couche(s)

Elément de circuit qui comporte une ou plusieurs couches.

3.8  Concepts relatifs aux éléments, composants ou dispositifs actifs et passifs

3.8.1  Elément passif de circuit

Elément de circuit qui contribue essentiellement par la résistance, la capacité, l'inductance,

l'interconnexion ohmique, le guidage d'onde, ou une combinaison de ceux-ci, à une fonction du

circuit.
EXEMPLES
Résistances, condensateurs, inductances, filtres passifs, interconnexions.
3.8.2  Elément actif de circuit
Elément de circuit qui contribue à une fonction du circuit par d'autres qualités que celles
apportées par un élément passif de circuit, par exemple le redressement, la commutation, le
gain, la conversion d'énergie d'une forme à une autre.
NOTES
1 Des exemples de dispositifs avec des éléments actifs de circuit sont les diodes, les transistors, les circuits
intégrés actifs, les dispositifs sensibles à la lumière ou électroluminescents.
2 Des éléments physiques actifs de circuit peuvent être utilisés en tant qu'éléments physiques passifs de
circuit uniquement, par exemple, pour contribuer par la résistance et/ou la capacité à une fonction du circuit.
3.8.3  Composant passif (d'un circuit intégré hybride)
Composant dans lequel tous les éléments de circuit sont passifs.
3.8.4  Composant actif (d'un circuit intégré hybride)
Composant dans lequel au moins un élément de circuit est actif.
3.8.5  Dispositif passif
Dispositif dans lequel tous les éléments de circuit sont passifs.
3.8.6  Dispositif actif
Dispositif dans lequel au moins un élément de circuit est actif.
3.8.7  Elément parasite de circuit
Elément de circuit non voulu qui vient inévitablement s'ajouter à un ou plusieurs éléments de
circuit voulus.
3.9  Concepts relatifs aux composants
3.9.1 Composant (d'un circuit intégré hybride)
Partie du matériau qui est montée dans le boîtier et contribue à la composition du circuit.
NOTE – En ce qui concerne les composants électroniques, une distinction est faite entre les composants
intégrés et les composants discrets.

747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 15 –

3.7.6 Film circuit element
A circuit element consisting of a film or films.

3.8 Concepts referring to active and passive elements, components or devices

3.8.1 Passive circuit element

A circuit element primarily contributing resistance, capacitance, inductance, ohmic

interconnection, wave-guiding, or a combination of these, to a circuit function.

EXAMPLES
Resistors, capacitors, inductors, passive filters, interconnections.
3.8.2 Active circuit element
A circuit element that contributes still other qualities to a circuit function than a passive circuit
element, for example, rectification, switching, gain, conversion of energy from one form to
another.
NOTES
1 Examples for devices with active circuit elements are diodes, transistors, active integrated circuits, light-
sensing or light-emitting devices.
2 Active physical circuit elements may also be used to act as passive physical circuit elements only, for
example, to contribute resistance and/or capacitance to a circuit function.
3.8.3 Passive component (of a hybrid integrated circuit)
A component in which all circuit elements are passive.
3.8.4 Active component (of a hybrid integrated circuit)
A component in which at least one circuit element is an active circuit element.
3.8.5 Passive device
A device in which all circuit elements are passive.
3.8.6 Active device
A device in which at least one circuit element is an active circuit element.
3.8.7 Parasitic circuit element
An unwanted circuit element that is an unavoidable adjunct of one or more wanted circuit
elements.
3.9 Concepts relating to components
3.9.1 Component (of a hybrid integrated circuit)
A material part that is mounted within the package and that contributes to the composition of
the circuit.
NOTE – For electronic components, distinction is made between integrated components and discrete
components.
– 16 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

3.9.2  Composant intégré (d'un circuit intégré hybride)

Circuit intégré, fini ou semi-fini, qui est utilisé en tant que composant du circuit.

3.9.3  Composant discret (d'un circuit intégré hybride)

Dispositif discret, ou semi-fini, qui est utilisé en tant que composant du circuit.

3.9.4  Composant semi-fini (d'un circuit intégré hybride)

Composant non fini pris dans sa ligne de production.

NOTE – Il ne peut être utilisé pour une évaluation complète selon la spécification applicable dans son état fini
normal.
3.9.5  Circuit intégré semi-fini (d'un circuit intégré hybride)
Circuit intégré non fini pris dans sa ligne de production.
NOTE – Il ne peut être utilisé pour une évaluation complète selon la spécification applicable dans son état fini
normal.
Remplacer le paragraphe 4.1 existant par les nouveaux paragraphes suivants:
4.1.1  Dispositif à semiconducteurs (terme général)
Dispositif dont les caractéristiques essentielles sont dues au flux de porteurs de charges à
l'intérieur d'un semiconducteur.
NOTES
1 Cette définition comprend les dispositifs dont les caractéristiques essentielles sont dues en partie
seulement au flux de porteurs de charges dans un semiconducteur mais qui sont considérés comme des
dispositifs à semiconducteurs pour la spécification.
2 Pour la spécification, un dispositif à semiconducteurs est considéré soit comme un dispositif discret
(à semiconducteurs), soit comme un circuit intégré.
4.1.2  Dispositif discret (à semiconducteurs)
Dispositif à semiconducteurs qui est spécifié pour accomplir une fonction électronique
élémentaire et qui n'est pas divisible en composants séparés fonctionnels par eux-mêmes.
NOTES
1 Il n'existe pas de délimitation claire entre dispositifs discrets et circuits intégrés. En principe, un dispositif

discret comporte uniquement un seul élément de circuit. Cependant, un dispositif vendu et spécifié en tant que
dispositif discret peut comporter plusieurs éléments internes de circuit.
2 Si un dispositif à semiconducteurs n'est pas considéré comme un circuit intégré à la fois en complexité et en
fonctionnalité, il est considéré comme un dispositif discret.
Remplacer le paragraphe 4.2 existant par le nouveau paragraphe suivant:
4.2  Dispositif sensible aux décharges électrostatiques
Dispositif discret ou circuit intégré qui peut être endommagé de façon irréversible par des
potentiels électrostatiques qui apparaissent au cours d'opérations courantes de manipulation,
d'essais et d'expédition.
747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 17 –

3.9.2 Integrated component (of a hybrid integrated circuit)

An integrated circuit, completed or partially completed, that serves as a component of the
circuit.
3.9.3 Discrete component (of a hybrid integrated circuit)

A discrete device, completed or partially completed, that serves as a component of the device.

3.9.4 Partially completed component (of a hybrid integrated circuit)

A component taken uncompleted from its production line.
NOTE – It cannot be used for complete assessment to the specification applicable in its normal finished state.
3.9.5 Partially completed integrated circuit (of a hybrid integrated circuit)
An integrated circuit taken uncompleted from its production line.
NOTE – It cannot be used for complete assessment to the specification applicable in its normal finished state.
Replace the existing subclause 4.1 by the following new subclauses:
4.1.1 Semiconductor device (general term)
A device whose essential characteristics are due to the flow of charge carriers within a
semiconductor.
NOTES
1 The definition includes devices whose essential characteristics are only in part due to the flow of charge
carriers in a semiconductor but that are considered as semiconductor devices for the purpose of specification.
2 For specification purposes, a semiconductor device is considered either as a discrete (semiconductor)
device or as an integrated circuit.
4.1.2 Discrete (semiconductor) device
A semiconductor device that is specified to perform an elementary electronic function and that
is not divisible into separate components functional in themselves.
NOTES
1 There is no clear delimitation possible between discrete devices and integrated circuits. In principle, a
discrete device consists of a single circuit element only. However, a device sold and specified as a discrete
device may internally consist of more than one circuit element.

2 If a semiconductor device is not considered to be an integrated circuit in both complexity and functionality, it
is considered to be a discrete device.
Replace the existing subclause 4.2 by the following new subclause:
4.2 Electrostatic-discharge-sensitive device
A discrete device or integrated circuit that may be permanently damaged by electrostatic
potentials encountered in routine handling, testing and shipping.

– 18 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

Les abréviations à utiliser sont:

– ESDS pour dispositif sensible aux décharges électrostatiques;

– ESD pour décharge électrostatique.

L'utilisation de l'abréviation ESSD est déconseillée.

Page 32
Remplacer le paragraphe 4.24 existant par le nouveau paragraphe suivant:

4.24  Transistor (voir aussi chapitre II, article 1)

Dispositif à semiconducteurs susceptible de fournir une amplification en puissance et
possédant trois électrodes ou plus.
NOTE – D'autres termes peuvent être utilisés pour décrire certains types spéciaux de dispositifs
à semiconducteurs inclus dans cette définition.
Ajouter après le paragraphe 4.26, les nouveaux paragraphes 4.27 et 4.28 suivants:
4.27  Diode modulatrice à semiconducteurs, diode modulatrice
Diode à semiconducteurs destinée à la modulation.
Diode détectrice à semiconducteurs, diode détectrice
4.28
Diode à semiconducteurs destinée à la démodulation.
Ajouter le nouveau paragraphe suivant:
4.29  Diode à transfert d'électrons
Diode hyperfréquences à semiconducteurs qui présente une résistance différentielle négative
par suite de l'effet de transfert d'électrons.
4.29.1  Diode Gunn
Diode à transfert d'électrons fonctionnant à une fréquence déterminée par le temps de transit
de domaines de charge qui se forment par suite de l'effet de transfert d'électrons.

4.29.2  Diode LSA (LSA = Limited Space-charge Accumulation)
Diode à transfert d'électrons similaire à la diode Gunn mais destinée à fonctionner aux
fréquences déterminées par la cavité hyperfréquence dans laquelle la diode est montée. Les
fréquences sont plusieurs fois supérieures à la fréquence due à un temps de transit, de
manière que la formation de domaines de charges soit limitée.
NOTE – Par rapport à la diode Gunn, la diode LSA permet d'obtenir les puissances de sortie plus élevés à des
fréquences plus élevées.
747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 19 –

The abbreviations to be used are:

– ESDS for electrostatic-discharge-sensitive device;

– ESD for electrostatic discharge.

The use of the abbreviation ESSD is deprecated.

Page 33
Replace the existing subclause 4.24 by the following new subclause:

4.24 Transistor (see also chapter II, clause 1)

A semiconductor device capable of providing power amplification and having three or more
electrodes.
NOTE – Other names may be used to describe certain special types of semiconductor devices covered by this
definition.
Add, after subclause 4.26, the following new subclauses 4.27 and 4.28:
4.27 Semiconductor modulator diode, modulator diode
A semiconductor diode designed for modulation.
Semiconductor detector diode, detector diode
4.28
A semiconductor diode designed for demodulation.
Add the following new subclause:
4.29 Transferred-electron diode
A semiconductor microwave diode that exhibits negative differential resistance arising from the
transferred-electron effect.
4.29.1 Gunn diode
A transferred-electron diode operating at a frequency determined by the transit time of charge
packets or domains that are formed due to the transferred-electron effect.

4.29.2 LSA diode (LSA = Limited Space-charge Accumulation)
A transferred-electron diode similar to the Gunn diode, except that it is intended to operate at
frequencies that are determined by the microwave cavity in which the diode is mounted and
that are several times higher than the transit-time frequency so that the formation of charge
packets (or domains) is limited.
NOTE – Compared to the Gunn diode, higher output power at higher frequency is achievable.

– 20 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

Page 34
Remplacer le titre du paragraphe 5.1 existant par le suivant:

5.1  Courants et tensions
Remplacer les paragraphes 5.1.1 et 5.1.2 existants par les nouveaux paragraphes suivants:

5.1.1  Caractéristiques directes (d'une diode à semiconducteurs, à l'exclusion

des diodes régulatrices de courant)

5.1.1.1  Courant direct, courant d’anode
Courant, en provenance du circuit extérieur, circulant dans la borne d'anode.
5.1.1.2  Tension directe
Tension entre les bornes d'anode et de cathode lorsque la borne d'anode a une tension
positive par rapport à la borne de cathode.
5.1.1.3  Sens direct
Sens d'un courant direct (positif).
Caractéristiques inverses (d'une diode à semiconducteurs, à l'exclusion
5.1.2
des diodes régulatrices de courant)
5.1.2.1  Courant inverse, courant de cathode
Courant, en provenance du circuit extérieur, circulant dans la borne de cathode.
5.1.2.2  Tension inverse
Tension entre bornes de cathode et d'anode lorsque la borne de cathode a une tension positive
par rapport à la borne d'anode.
5.1.2.3  Sens inverse
Sens d'un courant inverse (positif).

Ajouter, après le paragraphe 5.1.4, le nouveau paragraphe 5.1.5 suivant:
5.1.5  Courant de fuite (I )
lkg
Courant qui circule dans une borne et résulte de l'application d'une tension extérieure entre
cette borne et une autre borne d'un dispositif, de préférence non conducteur, dans les
circonstances envisagées.
NOTES
1 Ce terme général doit être utilisé seulement s'il n'y en a pas d'autres de plus adéquats ou de plus
spécifiques qui soient normalisés et applicables (tels que courant d'obscurité, courant inverse, courant
résiduel).
747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 21 –

Page 35
Replace the title of the existing subclause 5.1 by the following:

5.1 Currents and voltages
Replace the existing subclauses 5.1.1 and 5.1.2 by the following new subclauses:

5.1.1 Forward characteristics (of a semiconductor diode, excluding current-regulator diodes)

5.1.1.1 Forward current, anode current

The current flowing from the external circuit into the anode terminal.
5.1.1.2 Forward voltage
The voltage between the anode and the cathode terminals when the anode terminal is at a
positive voltage relative to the cathode terminal.
5.1.1.3 Forward direction
The direction of a (positive) forward current.
5.1.2 Reverse characteristics (of a semiconductor diode, excluding current-regulator diodes)
5.1.2.1 Reverse current, cathode current
The current flowing from the external circuit into the cathode terminal.
5.1.2.2 Reverse voltage
The voltage between the cathode and the anode terminals when the cathode terminal is at a
positive voltage relative to the anode terminal.
5.1.2.3 Reverse direction
The direction of a (positive) reverse current.
Add, after subclause 5.1.4, the following new subclause 5.1.5:

5.1.5 Leakage current (I )
lkg
The current through a terminal that results from the application of an external voltage between
that terminal and another terminal of a device that would preferably be non-conductive in the
circumstances under consideration.
NOTES
1 This general term should be used only if no other adequate and more specific term (e.g. dark current,
reverse current, cut-off current) is standardized and applicable.

– 22 – 747-1 amend. 3 © CEI: 1996

2 D'une manière générale, ce terme ne doit pas être utilisé pour les courants constitués des porteurs

minoritaires nécessaires au fonctionnement du dispositif. Néanmoins, des exceptions peuvent être faites si, par
uniformité, le même terme est utilisé pour différentes technologies (par exemple, le terme «courant de fuite»

utilisé pour les circuits interrupteurs de signaux analogiques de n'importe quelle technologie).

3 L'indice «lkg» doit être ajouté à d'autres indices seulement si ceux-ci ne suffisent pas à identifier le courant

comme courant de fuite.
Remplacer le paragraphe 5.2 existant par le nouveau paragraphe suivant:

5.2  Températures
5.2.1  Température du point de référence (T )
r
Température en un point de référence spécifié sur ou dans un dispositif.
5.2.2  Température de boîtier (T )
c
Température mesurée par une méthode spécifiée en un point de référence spécifié, de
préférence sur le boîtier du dispositif.
NOTE – Pour les dispositifs plus petits, si le point de référence spécifiée n'est pas situé sur le boîtier, mais
quelque part ailleurs sur le dispositif (par exemple sur l'une des bornes), alors la température en ce point peut
être dite «température du point de référence». Cependant, les dispositifs se rapportant à cette température sont
dits «dispositifs à température de boîtier spécifiée».
5.2.3  Température de stockage (T )
stg
Température à laquelle le dispositif est stocké sans qu'il lui soit appliqué de tension.
5.2.4  Température virtuelle (T , T , T )
vj j ch
Température équivalente interne.
Température théorique d'un point ou d'une région, basée sur un modèle simplifié du
comportement thermique et électrique d'un dispositif à semiconducteurs, pour lequel ou dans
lequel on suppose que toute la dissipation de puissance a lieu.
NOTES
1 Lorsque le concept de «température virtuelle» s'applique, le qualificatif correspondant doit être ajouté au
terme, par exemple «température virtuelle de jonction».
2 L'utilisation d'un terme plus court, par exemple au lieu de «température virtuelle de jonction», l'utilisation de
«température virtuelle» ou «température de jonction» est autorisée s'il n'y a pas risque d'ambiguïté.
3 Pour les différentes sortes de «température virtuelle», on peut utiliser le symbole littéral T ou T ou T .

vj j ch
4 Si cela est nécessaire, on peut utiliser des indices supplémentaires, par exemple des nombres, pour
effectuer la distinction entre les différentes températures virtuelles d'un même dispositif.
5.2.5  Température virtuelle de jonction (T )
vj
Température virtuelle de la jonction d'un dispositif à semiconducteurs.
5.2.6  Symboles littéraux fondamentaux pour les températures
Le symbole littéral fondamental est T, indiquant soit la température Celsius soit la température
absolue (kelvin).
EXEMPLES
Température ambiante T = 25 °C
a
Température de bruit T = 295 K
n
747-1 Amend. 3 © IEC: 1996 – 23 –

2 In general, this term should not be used for current that consists chiefly of minority carrier current that is

necessary for the function of the device. However, exceptions may be made if, for uniformity, the same term is
used for different technologies, e.g. the term "leakage current" used for analogue signal switching circuits in any

technology.
3 The subscript "lkg" should be added to other subscripts only if the latter are insufficient to identify the

current as leakage current.
Replace the existing subclause 5.2 by the following new subclause:

5.2 Temperatures
5.2.1 Reference-point temperature (T )
r
The temperature at a specified reference point on or within a device.
5.2.2 Case temperature (T )
c
The temperature measured by a specified method of a specified reference point, preferably on
the case of the device.
NOTE – For smaller devices, if the specified reference point is not located on the case but somewhere else on
the device (e.g. on one of the terminals), then the temperature at this place may be called the "reference-point
temperature". However, devices rated with reference to this temperature are still called "case-rated devices".
5.2.3 Storage temperature (T )
stg
The temperature at which the device is stored without any voltage being applied.
5.2.4 Virtual temperature (T , T , T )
vj j ch
Internal equivalent temperature.
The temperature of the theoretical point or region in a simplified model of the thermal and
electrical behaviour of a semiconductor device at or in which all the power dissipation within
the device is assumed to occur.
NOTES
1 When the concept of "virtual temperature" is applicable, the relevant qualifier should be added to the term,
e.g. "virtual junction temperature".
2 Shortening of a special term, e.g. of "virtual junction temperature" to "virtual temperature" or "junction
temperature", is permitted if no ambiguity is likely to occur.
3 For all kinds of "virtual temperature", the same letter symbol T or T or T may be used.
vj j ch
4 When required, additional subscripts, e.g. numbers, may be used to distinguish between different virtual
temperatures in the same device.
5.2.5 Virtual junction temperature (T )
vj
The virtual temperature of the junction of a semiconductor device.
5.2.6 Basic letter symbols for tempera
...