IEC 60749-26:2003

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-26
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2003-10
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques
et climatiques –
Partie 26:
Essai de sensibilité aux décharges
électrostatiques (DES) –
Modèle du corps humain (HBM)
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 26:
Electrostatic discharge (ESD) sensitivity
testing –
Human body model (HBM)
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60749-26:2003
Numérotation des publications Publication numbering

Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are

sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For

devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.

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exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
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sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
nibles dans le Catalogue des publications de la CEI available in the IEC Catalogue of publications
(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
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critères, comprenant des recherches textuelles, par searches, technical committees and date of
comité d’études ou date de publication. Des publication. On-line information is also available
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.
NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-26
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2003-10
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques
et climatiques –
Partie 26:
Essai de sensibilité aux décharges
électrostatiques (DES) –
Modèle du corps humain (HBM)
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 26:
Electrostatic discharge (ESD) sensitivity
testing –
Human body model (HBM)
 IEC 2003 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
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– 2 – 60749-26  CEI:2003
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS . 4

INTRODUCTION .8

1 Domaine d’application et objet .10

2 Références normatives .10

3 Appareillage .10

3.1 Simulateur DES et support du dispositif d'essai DUT .10

3.2 Oscilloscope .10
3.3 Sonde de courant .10
3.4 Charges d’évaluation .12
3.5 Etalonnage .12
4 Qualification, étalonnage et vérification de la forme d’onde.18
4.1 Qualification de l’équipement.18
4.2 Broche du cas le plus défavorable ou carte de qualification standard.18
4.3 Vérification de la forme d’onde .22
5 Procédure de classification .22
6 Critères de défaillance .24
7 Critères de classification.26
8 Sommaire .26
Figure 1 – Circuit type équivalent DES HBM .12
Figure 2 – Formes d’ondes de courant à travers un fil de court-circuitage .14
Figure 3 – Formes d’ondes de courant à travers une résistance de 500 Ω .16
Tableau 1 − Spécification de la forme d’onde .18
Tableau 2 – Combinaisons de broches pour circuits intégrés .24

60749-26  IEC:2003 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD . 5

INTRODUCTION .9

1 Scope and object .11

2 Normative references.11

3 Apparatus .11

3.1 ESD simulator and DUT socket.11

3.2 Oscilloscope .11
3.3 Current probe .11
3.4 Evaluation loads .13
3.5 Calibration .13
4 Qualification, calibration, and waveform verification.19
4.1 Equipment qualification.19
4.2 Worst-case pin or standard qualification board .19
4.3 Waveform verification .23
5 Classification procedure.23
6 Failure criteria .25
7 Classification criteria .27
8 Summary .27
Figure 1 – Typical equivalent HBM ESD circuit.13
Figure 2 – Current waveforms through a shorting wire.15
Figure 3 – Current waveforms through a 500 Ω resistor .17
Table 1 – Waveform specification.19
Table 2 – Pin combinations for integrated circuits .25

– 4 – 60749-26  CEI:2003
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE

____________
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –

MÉTHODES D’ESSAIS MÉCANIQUES ET CLIMATIQUES –

Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) –

Modèle du corps humain (HBM)
AVANT-PROPOS
1) La Commission Electrotechnique Internationale (CEI) est une organisation mondiale de normalisation
composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a
pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les
domaines de l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI – entre autres activités – publie des Normes
internationales, des Spécifications techniques, des Rapports techniques, des Spécifications accessibles au
public (PAS) et des Guides (ci-après dénommés "Publication(s) de la CEI"). Leur élaboration est confiée à des
comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national intéressé par le sujet traité peut participer. Les
organisations internationales, gouvernementales et non gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent
également aux travaux. La CEI collabore étroitement avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO),
selon des conditions fixées par accord entre les deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible, un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux de la CEI
intéressés sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les Publications de la CEI se présentent sous la forme de recommandations internationales et sont agréées
comme telles par les Comités nationaux de la CEI. Tous les efforts raisonnables sont entrepris afin que la CEI
s'assure de l'exactitude du contenu technique de ses publications; la CEI ne peut pas être tenue responsable
de l'éventuelle mauvaise utilisation ou interprétation qui en est faite par un quelconque utilisateur final.
4) Dans le but d'encourager l'uniformité internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent, dans toute la
mesure possible, à appliquer de façon transparente les Publications de la CEI dans leurs publications
nationales et régionales. Toutes divergences entre toutes Publications de la CEI et toutes publications
nationales ou régionales correspondantes doivent être indiquées en termes clairs dans ces dernières.
5) La CEI n’a prévu aucune procédure de marquage valant indication d’approbation et n'engage pas sa
responsabilité pour les équipements déclarés conformes à une de ses Publications.
6) Tous les utilisateurs doivent s'assurer qu'ils sont en possession de la dernière édition de cette publication.
7) Aucune responsabilité ne doit être imputée à la CEI, à ses administrateurs, employés, auxiliaires ou
mandataires, y compris ses experts particuliers et les membres de ses comités d'études et des Comités
nationaux de la CEI, pour tout préjudice causé en cas de dommages corporels et matériels, ou de tout autre
dommage de quelque nature que ce soit, directe ou indirecte, ou pour supporter les coûts (y compris les frais
de justice) et les dépenses découlant de la publication ou de l'utilisation de cette Publication de la CEI ou de
toute autre Publication de la CEI, ou au crédit qui lui est accordé.
8) L'attention est attirée sur les références normatives citées dans cette publication. L'utilisation de publications
référencées est obligatoire pour une application correcte de la présente publication.
9) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Publication de la CEI peuvent faire

l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour
responsable de ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 60749-26 a été établie par le comité d'études 47 de la CEI:
Dispositifs à semiconducteurs.
La présente norme annule et remplace l’IEC/PAS 62179 publiée en 2000. Cette première
édition constitue une révision technique.
Le texte de cette norme est issu des documents suivants:
FDIS Rapport de vote
47/1703/FDIS 47/1717/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l'approbation de cette norme.

60749-26  IEC:2003 – 5 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION

___________
SEMICONDUCTOR DEVICES –
MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS –

Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing –

Human body model (HBM)
FOREWORD
1) The International Electrotechnical Commission (IEC) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, IEC publishes International Standards, Technical Specifications,
Technical Reports, Publicly Available Specifications (PAS) and Guides (hereafter referred to as “IEC
Publication(s)”). Their preparation is entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested
in the subject dealt with may participate in this preparatory work. International, governmental and non-
governmental organizations liaising with the IEC also participate in this preparation. IEC collaborates closely
with the International Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by
agreement between the two organizations.
2) The formal decisions or agreements of IEC on technical matters express, as nearly as possible, an international
consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation from all
interested IEC National Committees.
3) IEC Publications have the form of recommendations for international use and are accepted by IEC National
Committees in that sense. While all reasonable efforts are made to ensure that the technical content of IEC
Publications is accurate, IEC cannot be held responsible for the way in which they are used or for any
misinterpretation by any end user.
4) In order to promote international uniformity, IEC National Committees undertake to apply IEC Publications
transparently to the maximum extent possible in their national and regional publications. Any divergence
between any IEC Publication and the corresponding national or regional publication shall be clearly indicated in
the latter.
5) IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with an IEC Publication.
6) All users should ensure that they have the latest edition of this publication.
7) No liability shall attach to IEC or its directors, employees, servants or agents including individual experts and
members of its technical committees and IEC National Committees for any personal injury, property damage or
other damage of any nature whatsoever, whether direct or indirect, or for costs (including legal fees) and
expenses arising out of the publication, use of, or reliance upon, this IEC Publication or any other IEC
Publications.
8) Attention is drawn to the Normative references cited in this publication. Use of the referenced publications is
indispensable for the correct application of this publication.
9) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this IEC Publication may be the subject of
patent rights. IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.

International Standard IEC 60749-26 has been prepared by IEC technical committee 47:
Semiconductor devices.
This standard cancels and replaces IEC/PAS 62179 published in 2000. This first edition
constitutes a technical revision.
The text of this standard is based on the following documents:
FDIS Report on voting
47/1703/FDIS 47/1717/RVD
Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on
voting indicated in the above table.

– 6 – 60749-26  CEI:2003
Cette publication a été rédigée selon les Directives ISO/CEI, Partie 2.

Le comité a décidé que le contenu de cette publication ne sera pas modifié avant 2007.

A cette date, la publication sera

• reconduite;
• supprimée;
• remplacée par une édition révisée, ou

• amendée.
60749-26  IEC:2003 – 7 –
This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 2.

The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged until

2007. At this date, the publication will be

• reconfirmed;
• withdrawn;
• replaced by a revised edition, or

• amended.
– 8 – 60749-26  CEI:2003
INTRODUCTION
Le CE 47 a pris en compte les instructions du Standardization Management Board de la CEI

en ce qui concerne l'étude des apports provenant des documents du CE 101. Le CE 47 est

d'accord d'entreprendre, dans le cadre du Groupe de Travail Joint CE 47/CE 101, la

prochaine révision des publications CEI 60749-26 et CEI 60749-27, traitant des modèles du

corps humain et de machine, en tenant compte des contributions fondées sur les publications

correspondantes de CE 101: CEI 61340-3-1 et CEI 61340-3-2.

60749-26  IEC:2003 – 9 –
INTRODUCTION
TC 47 recognised the direction of the IEC SMB in terms of considering the inputs in the

TC 101 documents. TC 47 agrees to proceed with the future revision of publications

IEC 60749-26 and IEC 60749-27 concerning human body and machine models, with the JWC

of TC 47/TC 101, which will incorporate the TC 101 input, based on corresponding TC 101

publications IEC 61340-3-1 and IEC 61340-3-2.

– 10 – 60749-26  CEI:2003
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –

MÉTHODES D’ESSAIS MÉCANIQUES ET CLIMATIQUES –

Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) –

Modèle du corps humain (HBM)
1 Domaine d’application et objet

La présente partie de la CEI 60749 établit une procédure normalisée pour les essais et la
classification des dispositifs à semiconducteurs en fonction de leur sensibilité aux dommages
ou de leur dégradation suite à leur exposition à des décharges électrostatiques (DES) sur un
modèle de corps humain (HBM). Le but de cette norme est de fournir des résultats d’essai
DES HBM fiables et reproductibles de manière que des classifications précises puissent être
réalisées.
Cette méthode d’essai est applicable à tous les dispositifs à semiconducteurs et elle est
classée destructive.
Les essais de DES doivent être choisis entre cette méthode d’essai ou celle du modèle de
machine (MM, voir CEI 60749-27). Les méthodes d’essai HBM et MM produisent des résultats
similaires mais non identiques. Sauf indication contraire, la présente méthode d’essai doit
être retenue.
2 Références normatives
Les documents de référence suivants sont indispensables pour l’application du présent
document. Pour les références datées, seule l’édition citée s’applique. Pour les références
non datées, la dernière édition du document de référence s’applique (y compris les éventuels
amendements.
CEI 60749-27, Dispositifs à semiconducteurs – Méthodes d’essais mécaniques et climatiques –
Partie 27: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) – Modèle de machine (MM)
3 Appareillage
Cette méthode d’essai nécessite l’équipement suivant.

3.1 Simulateur DES et support du dispositif d'essai DUT
L’appareillage doit comprendre un simulateur d’impulsions DES et un support de dispositif
d'essai (DUT) correspondant au circuit de la Figure 1. Le simulateur doit être capable de
fournir des impulsions avec les caractéristiques exigées par la Figure 2 et la Figure 3.
3.2 Oscilloscope
La combinaison oscilloscope et amplificateur doit avoir une largeur de bande non récurrente
minimale de 350 MHz et une vitesse d’écriture visuelle de 4 cm/ns au minimum.
3.3 Sonde de courant
La sonde (transformateur et câble d’une longueur nominale de 1 m) doit avoir une largeur de
bande de 1 GHz, des caractéristiques minimales de courant de 12 A de capacité de courant
d’impulsion de crête et un temps de montée inférieur à 1 ns.

60749-26  IEC:2003 – 11 –
SEMICONDUCTOR DEVICES –
MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS –

Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing –

Human body model (HBM)
1 Scope and object
This part of IEC 60749 establishes a standard procedure for testing and classifying
semiconductor devices according to their susceptibility to damage or degradation by exposure
to a defined human body model (HBM) electrostatic discharge (ESD). The objective is to
provide reliable, repeatable HBM ESD test results so that accurate classifications can be
performed.
This test method is applicable to all semiconductor devices and is classified as destructive.
ESD testing shall be selected from this test method or the machine model (MM) test method
(see IEC 60749-27). The HBM and MM test methods produce similar but not identical results.
Unless otherwise specified this test method shall be selected.
2 Normative references
The following referenced documents are indispensable for the application of this document.
For dated references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition
of the referenced document (including any amendments) applies.
IEC 60749-27, Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 27:
Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing – Machine model (MM)
3 Apparatus
This test method requires the following equipment.
3.1 ESD simulator and DUT socket
The apparatus shall include an ESD pulse simulator and a device under test (DUT) socket
equivalent to the circuit of Figure 1. The simulator shall be capable of supplying pulses with

the characteristics required by Figure 2 and Figure 3.
3.2 Oscilloscope
The oscilloscope and amplifier combination shall have a 350 MHz minimum single-shot
bandwidth and a visual writing speed of 4 cm/ns minimum.
3.3 Current probe
The probe (transformer and cable with a nominal length of 1 m) shall have a 1 GHz
bandwidth, a minimum current rating of 12 A peak pulse-current capability and a rise time of
less than 1 ns.
– 12 – 60749-26  CEI:2003
3.4 Charges d’évaluation
Un fil en cuivre étamé de diamètre égal à 0,5 mm ± 20 % est recommandé pour l’essai de

vérification de la forme d’onde courte. Il convient que la longueur de connexion soit aussi

courte que possible en pratique pour couvrir la distance entre les deux broches les plus

éloignées dans le support en passant par la sonde de courant. Les extrémités de la

connexion peuvent être mises à la terre en un point où un espace est nécessaire pour réaliser

le contact sur des broches de support à pas fins.

Une résistance à faible inductance de 500 Ω avec une tolérance relative de ± 1 %, 4 000 V,

doit être utilisée pour la vérification initiale et le ré-étalonnage périodique du système.

3.5 Etalonnage
Tous les appareils utilisés pour l’évaluation du testeur doivent être étalonnés selon un
système d’étalonnage documenté et offrant toute traçabilité, et conformément aux recomman-
dations du fabricant.
R4
R1
1 MΩ-10 MΩ
1 500 Ω
S1
Borne A
Générateur S2
C1
Support
R2
d’impulsions
Court-circuit
100 pF
DUT
500 Ω
à haute
R3
tension
1 kΩ-10 MΩ
Borne B
IEC  2443/03
Les performances de tout simulateur sont influencées par sa capacitance et son inductance parasites.
Il faut prendre des précautions dans la conception du testeur pour éviter les transitoires de recharge et les
impulsions multiples.
R2, utilisé pour la qualification initiale de l’équipement et pour la requalification comme spécifié en 4.1, doit être
une résistance à faible inductance, 4 000 V, 500 Ω avec une tolérance relative de ±1 %.
La superposition d’adaptateurs de support DUT (montage sur boîtier) est seulement autorisée si les formes
d’ondes peuvent être vérifiées quant à leur conformité avec le Tableau 1.
L’inversion des bornes A et B pour obtenir une double polarité n’est pas autorisée.

S2 doit être fermé au moins 10 ms après la période d’impulsions pour s’assurer que le support du DUT n’est pas
laissé dans un état chargé.
R1, 1 500 Ω avec une tolérance relative de ±1 %.
C1, 100 pF avec une tolérance relative de ±10 % (capacité efficace).
Afin de limiter le courant de charge pour des raisons de sécurité, il est recommandé qu’une résistance R3 de
valeur 1 MΩ à 10 MΩ soit ajoutée au circuit entre le générateur d’impulsions à haute tension et l’interrupteur S1.
Figure 1 – Circuit type équivalent DES HBM

60749-26  IEC:2003 – 13 –
3.4 Evaluation loads
A tinned copper wire of diameter 0,5 mm ± 20 % is recommended for the short waveform

verification test. The lead length should be as short as practicable to span the distance

between the two farthest pins in the socket while passing through the current probe. The ends

of the wire may be ground to a point where clearance is needed to make contact on fine-pitch

socket pins.
A 500 Ω with a relative tolerance of ±1 %, 4 000 V, low-inductance resistor shall be used for

initial system checkout and periodic system recalibration.

3.5 Calibration
All apparatus used for tester evaluation shall be calibrated according to a documented,
traceable calibration system and in accordance with manufacturer’s recommendations.
R4
R1
1 MΩ-10 MΩ
1 500 Ω
S1
Terminal A
S2
C1
High-voltage
DUT
R2
Short
pulse 100 pF
socket
500 Ω
generator
R3
1 kΩ-10 MΩ
Terminal B
IEC  2443/03
The performance of any simulator is influenced by its parasitic capacitance and inductance.
Precautions must be taken in tester design to avoid recharge transients and multiple pulses.
R2, used for initial equipment qualification and requalification as specified in 4.1, shall be a low inductance,
4 000 V, 500 Ω resistance with a relative tolerance of ±1 %.
Stacking of DUT socket adaptors (piggybacking) is allowed only if the waveforms can be verified to meet the
specification in Table 1.
Reversal of terminals A and B to achieve dual polarity is not permitted.
S2 shall be closed at least 10 ms after the pulse delivery period to ensure the DUT socket is not left in a charged
state.
R1, 1 500 Ω with a relative tolerance of ±1 %.

C1, 100 pF with a relative tolerance of ±10 % (effective capacitance).
In order to limit charge current for safety purposes, it is recommended that a resistor R3 of value 1 MΩ to 10 MΩ is
added to the circuit between the high-voltage pulse generator and the switch S1.
Figure 1 – Typical equivalent HBM ESD circuit

– 14 – 60749-26  CEI:2003
I
R
I
ps
90 %
10 %
Temps
t (5 ns/division)
r
IEC  2444/03
Figure 2a – Temps de montée d’impulsion, t
r
I
ps
36,8 %
t
d
Temps (100 ns/division)
IEC  2445/03
Figure 2b – Temps de décroissance d’impulsion, t
d
Légende
I courant de dépassement
R
I I pour court-circuit
ps crête
Figure 2 – Formes d’ondes de courant à travers un fil de court-circuitage
Courant  A
Courant  A
60749-26  IEC:2003 – 15 –
I
R
I
ps
90 %
10 %
Time
t (5 ns/division)
r
IEC  2444/03
Figure 2a – Pulse rise time, t
r
I
ps
36,8 %
t
d Time (100 ns/division)
IEC  2445/03
Figure 2b – Pulse decay time, t
d
Key
I ringing current
R
I I for short
ps peak
Figure 2 – Current waveforms through a shorting wire
Current  A
Current  A
– 16 – 60749-26  CEI:2003
I
pr
90 %
10 %
t
Temps (5 ns/division)
rr
IEC  2446/03
Figure 3a −−−− Temps de montée d’impulsion, t
rr
I
pr
36,8 %
t
dr
(30 ns/division)
Temps
IEC  2447/03
Figure 3b −− Temps de décroissance d’impulsion, t
−−
dr
Légende
I I pour 500 Ω
pr crête
Figure 3 – Formes d’ondes de courant à travers une résistance de 500 ΩΩΩΩ *
* La charge de 500 Ω est utilisée seulement pour la qualification de l’équipement comme spécifié en 4.1.
Courant  A
Courant  A
60749-26  IEC:2003 – 17 –
I
pr
90 %
10 %
t
Time (5 ns/division)
rr
IEC  2446/03
Figure 3a – Pulse rise time, t
rr
I
pr
36,8 %
t
dr
Time (30 ns/division)
IEC  2447/03
Figure 3b – Pulse decay time, t
dr
Key
I I for 500 Ω
pr peak
Figure 3 – Current waveforms through a 500 ΩΩΩΩ resistor *
* The 500 Ω load is used only during equipment qualification as specified in 4.1.
Current  A
Current  A
– 18 – 60749-26  CEI:2003
4 Qualification, étalonnage et vérification de la forme d’onde

4.1 Qualification de l’équipement

L’étalonnage de l’équipement doit être réalisé au cours de l’essai d’acceptation initiale. Le ré-

étalonnage est exigé au minimum tous les 12 mois ou à chaque fois que des réparations de

l’équipement peuvent affecter la forme d’onde. Le testeur doit être conforme aux exigences
du Tableau 1 et de la Figure 2 à tous les niveaux de tension, sauf 8 000 V, en utilisant un fil
de court-circuitage et au niveau de 1 000 V et 4 000 V avec une résistance de 500 Ω (voir la
Figure 3). Le niveau de 8000 V est facultatif. Les mesures de la forme d’onde au cours de

l’étalonnage doivent être réalisées en utilisant la broche du cas le plus défavorable sur la

carte de comptage du DUT de broche la plus élevée ou sur la carte de qualification standard
spécifiée en 4.2. (Il convient de vérifier la répétabilité de la machine au cours de l’acceptation
initiale de l’équipement en réalisant au minimum 5 formes d’ondes positives consécutives et 5
négatives à un niveau de tension du Tableau 1.) Les relais à haute tension et les circuits à
haute tension associés doivent faire l’objet d’essais par l’utilisateur des systèmes contrôlés
par ordinateur selon les instructions du fabricant de l’équipement (diagnostic système). Cet
essai vérifiera tout relais ouvert ou court-circuité.
Tableau 1 −− Spécification de la forme d’onde
−−
Temps de Temps de Temps de
I pour
I pour
crête
crête
montée montée descente Courant de
Niveau de tension court-
pour court- pour pour court- dépassement,
b
a
500 ΩΩΩΩ ,
circuit ,
b
circuit, 500 ΩΩΩΩ , circuit, I
R
I
I
pr
ps
t t t
r rr d
V A A nsnsns A
250 0,15-0,19 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % de I
ps
500 0,30-0,37 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % de I
ps
1 000 0,60-0,74 0,37-0,55 2,0-10 5,0-25 130-170 15 % de I
ps
2 000 1,20-1,48 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % de I
ps
4 000 2,40-2,96 1,5-2,2 2,0-10 5,0-25 130-170 15 % de I et I
ps pr
8000 (facultatif) 4,80-5,86 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % de I
ps
a
I est le courant qui traverse R1, c’est-à-dire approximativement V/1500 Ω.
crête
b
La charge de 500 Ω est utilisée seulement pendant la qualification de l’équipement comme spécifié en 4.1.
Formation à la sécurité
Au cours du montage initial de l’équipement, l’inspecteur de la sécurité ou
un représentant de la sécurité compétent doit contrôler l’équipement à son
emplacement de fonctionnement pour s’assurer que celui-ci ne fonctionne
!
pas dans un environnement combustible (dangereux).
De plus, l’ensemble du personnel doit recevoir une formation sur le
fonctionnement et la sécurité électrique avant d’utiliser l’équipement.
4.2 Broche du cas le plus défavorable ou carte de qualification standard
La qualification de l’équipement doit être faite par la mesure du courant de décharge avec la
combinaison de broches du cas le plus défavorable sur la carte DUT, comme spécifié en
4.2.1. Cette méthode doit être utilisée si l’équipement est construit en utilisant un générateur
à décharge simple qui peut être connecté à toutes les broches du socle sur la carte DUT
en commutant les relais.
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4 Qualification, calibration, and waveform verification

4.1 Equipment qualification
Equipment calibration shall be performed during initial acceptance testing. Recalibration is

required at least every 12 months or whenever equipment repairs are made that may affect

the waveform. The tester shall meet the requirements of Table 1 and Figure 2 at all voltage
levels, except 8 000 V, using the shorting wire and at the 1 000 V and 4 000 V level with the
500 Ω resistor (see Figure 3). The 8 000 V level is optional. The waveform measurements
during calibration shall be made using the worst-case pin on the highest pin count DUT board

or the standard qualification board specified in 4.2. (Machine repeatability should be verified

during initial equipment acceptance by performing a minimum of 5 consecutive positive and a
minimum of 5 consecutive negative waveforms at a voltage level in Table 1.) The high-voltage
relays and associated high-voltage circuitry shall be tested by the user of computer-controlled
systems per the equipment manufacturer’s instructions (system diagnostics). This test will
check for any open or short relays.
Table 1 – Waveform specification
Rise time Rise time Decay time
I for I for
peak peak
Voltage level Ringing current
a b b
for short, for short,
short , 500 ΩΩ , for 500 ΩΩΩΩ ,
ΩΩ
I
I R
I t t t
ps
pr r rr d
VA A ns ns ns A
250 0,15-0,19 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % of I
ps
500 0,30-0,37 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % of I
ps
1 000 0,60-0,74 0,37-0,55 2,0-10 5,0-25 130-170 15 % of I
ps
2 000 1,20-1,48 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % of I
ps
4 000 2,40-2,96 1,5-2,2 2,0-10 5,0-25 130-170 15 % of I and I
ps pr
8 000 (optional) 4,80-5,86 n.a. 2,0-10 n.a. 130-170 15 % of I
ps
a
I is the current through R1, that is, approximately V/1 500 Ω.
peak
b
The 500 Ω load is used only during equipment qualification as specified in 4.1.
Safety training
During initial equipment set-up, the safety engineer or applicable safety
representative shall inspect the equipment in its operating location to
ensure that the equipment is not operated in a combustible (hazardous)

! environment.
Additionally, all personnel shall receive system operational training and
electrical safety training prior to using the equipment.
4.2 Worst-case pin or standard qualification board
Equipment qualification shall be made by discharge current measurement with a worst-case
pin combination of DUT board, as specified in 4.2.1. This method shall be used if the
equipment is constructed using a single discharge generator which can be connected to all
pins of the socket on the DUT board by switching of relays.

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Les générateurs à décharges multiples doivent être qualifiés en utilisant la carte de
qualification standard spécifiée en 4.2.2. Cette méthode doit être utilisée si l’équipement est

construit en utilisant une grande quantité de paires de broches de la carte DUT et du circuit

d’essai et si chaque circuit d’essai est connecté à une seule broche de la carte DUT.

4.2.1 Broche du cas le plus défavorable

La combinaison de broches du cas le plus défavorable pour chaque support et pour chaque

carte DUT doit être identifiée et documentée. Il est recommandé que les fabricants

fournissent les données de broches du cas le plus défavorable avec chaque carte DUT. La

combinaison de broches avec la forme d’onde la plus proche des limites (voir Tableau 1) doit

être désignée pour la vérification de la forme d’onde.
La combinaison de broches du cas le plus défavorable doit être identifiée par la procédure
suivante.
a) Pour chaque support d’essai, identifier la broche de support avec le chemin de câblage le
plus court entre le circuit générateur d’impulsions et le support d’essai. Connecter cette
broche à la borne B (où elle restera la broche de référence pendant toute la recherche de
broche du cas le plus défavorable) et connecter une des broches restantes à la borne A.
Fixer un fil de court-circuitage entre ces broches avec la sonde de courant autour du fil de
court-circuitage, aussi près de la borne B que cela est possible en pratique.
b) Appliquer au moins une impulsion positive de 4 000 V et une impulsion négative de
4 000 V et vérifier que la forme d’onde satisfait aux exigences définies au Tableau 1 à la
fois pour les impulsions positives et négatives.
c) Répéter les étapes a) et b) jusqu’à ce que toutes les broches de support soient évaluées.
d) Déterminer la paire de broches du cas le plus défavorable (dans les limites et le plus près
possible des valeurs minimale et maximale de paramètre comme spécifié au Tableau 1)
pour être utilisée pour la vérification future des formes d’ondes.
e) Pour la vérification initiale de carte, connecter une résistance de 500 Ω entre les broches
du cas le plus défavorable précédemment identifiées avec le fil de court-circuitage de
l’étape d). Appliquer une impulsion positive et négative de 4 000 V et vérifier que la forme
d’onde remplit les exigences définies au Tableau 1.
NOTE Comme alternative à la recherche de la broche du cas le plus défavorable, la paire de broches de
référence peut être identifiée pour chaque support d’essai de chaque fixation d’essai. La combinaison de broches
de référence doit être identifiée en déterminant la broche de support avec le chemin de câblage le plus court entre
le circuit générateur d’impulsions et le support d’essai. Connecter cette broche à la borne B, puis connecter la
broche de support avec le chemin de câblage le plus long du circuit de génération d’impulsions au support d’essai
à la borne A (normalement fournie par le fabricant). Fixer un fil de court-circuitage entre ces broches et la sonde
de courant autour du fil de court-circuitage. Suivre la procédure de l’étape b). Pour la vérification initiale de carte,
connecter une résistance de 500 Ω entre les broches de référence. Appliquer une impulsion positive et négative de
4 000 V et vérifier que la forme d’onde satisfait aux exigences définies au Tableau 1.

4.2.2 Carte de qualification standard
La carte de qualification standard doit satisfaire aux exigences suivantes.
a) La dimension de la carte de qualification standard doit avoir la même dimension que celle
utilisée pour le DUT.
b) La longueur spécifique des fils internes de la carte de qualification standard, entre
l’équipement et les broches utilisées pour la connexion avec les charges d’évaluation, doit
être spécifiée dans le document d’approvisionnement applicable
c) La longueur totale de chaque paire de circuit dans toutes les cartes DUT doit être
inférieure ou égale à la longueur des paires de fils internes dans la carte de qualification
standard et de la charge d’évaluation spécifiées en 3.4.

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Multiple discharge generators shall be qualified using the standard qualification board
specified in 4.2.2. This method shall be used if the equipment is constructed using a large

number of pairs of pins of the DUT board and test circuit and each test circuit is connected to

only a single pin of the DUT board.

4.2.1 Worst-case pin
The worst-case pin combination for each socket and DUT board shall be identified and

documented. It is recommended that the manufacturers supply the worst-case pin data with

each DUT board. The pin combination with the waveform closest to the limits (see Table 1)

shall be designated for waveform verification.

The worst-case pin combination shall be identified by the following procedure.
a) For each test socket, identify the socket pin with the shortest wiring path from the pulse
generating circuit to the test socket. Connect this pin to Terminal B (where it will remain
the referenced pin throughout the worst-case pin search) and connect one of the
remaining pins to Terminal A. Attach a shorting wire between these pins with the current
probe around the shorting wire, as close to Terminal B as practicable.
b) Apply at least one positive 4 000 V pulse and at least one negative 4 000 V pulse and
verify that the waveform meets the requirements defined in Table 1 for both positive a
...