IEC 60749-22:2002

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-22
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2002-09
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 22:
Robustesse des contacts soudés
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 22:
Bond strength
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60749-22:2002
Numérotation des publications Publication numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.
Editions consolidées Consolidated editions
Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its
CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1
exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
Informations supplémentaires Further information on IEC publications
sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
nibles dans le Catalogue des publications de la CEI available in the IEC Catalogue of publications
(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
également disponibles par l’intermédiaire de: is also available from the following:
• Site web de la CEI (www.iec.ch) • IEC Web Site (www.iec.ch)
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
Le catalogue en ligne sur le site web de la CEI The on-line catalogue on the IEC web site
(http://www.iec.ch/searchpub/cur_fut.htm) vous permet (http://www.iec.ch/searchpub/cur_fut.htm) enables
de faire des recherches en utilisant de nombreux you to search by a variety of criteria including text
critères, comprenant des recherches textuelles, par searches, technical committees and date of
comité d’études ou date de publication. Des publication. On-line information is also available
informations en ligne sont également disponibles sur on recently issued publications, withdrawn and
les nouvelles publications, les publications rempla- replaced publications, as well as corrigenda.
cées ou retirées, ainsi que sur les corrigenda.
• IEC Just Published • IEC Just Published
Ce résumé des dernières publications parues This summary of recently issued publications
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est aussi disponible par courrier électronique. is also available by email. Please contact the
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NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-22
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2002-09
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 22:
Robustesse des contacts soudés
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 22:
Bond strength
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– 2 – 60749-22 © CEI:2002
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS . 4
INTRODUCTION .8
1 Domaine d'application et objet.10
1.1 Description générale de l’essai .10
1.2 Description de l’appareillage d’essai (pour toutes les méthodes) .10
2 Méthodes A et B (voir également l’annexe A) .10
2.1 Domaine d’application .10
2.2 Description générale de l’essai .12
3 Méthode C.14
3.1 Domaine d’application .14
3.2 Méthode C: Décollage de contact soudé.14
4 Méthode D.14
4.1 Domaine d’application .14
4.2 Méthode D: Essai du contact soudé au cisaillement (applicable aux
dispositifs à surépaisseurs ou «flip chip»).16
5 Méthodes E et F .16
5.1 Domaine d’application .16
5.2 Méthode E: Essai d’arrachement par poussée .16
5.3 Méthode F: Essai d’arrachement par traction.18
5.4 Critères de défauts pour les deux méthodes E et F.18
5.5 Force à appliquer (pour les deux méthodes) .18
6 Méthode G: Essai de cisaillement du point de soudure fil («wire ball») .18
6.1 Domaine d’application .18
6.2 Description générale.20
6.3 Termes et définitions .20
6.4 Equipement et matériel.26
6.5 Procédure.28
6.6 Limites d’acceptabilité de l’essai.30
7 Renseignements que doit fournir la spécification particulière .34
Annexe A (normative) Guide .38

60749-22 © IEC:2002 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD . 5
INTRODUCTION .9
1 Scope and object .11
1.1 General description of the test .11
1.2 Description of the test apparatus (for all methods) .11
2 Methods A and B (see also annex A) .11
2.1 Scope .11
2.2 General description of the test .13
3 Method C.15
3.1 Scope .15
3.2 Method C: Bond peel .15
4 Method D.15
4.1 Scope .15
4.2 Method D: Bond shear (applied to flip chip) .17
5 Methods E and F .17
5.1 Scope .17
5.2 Method E: Push-off test .17
5.3 Method F: Pull-off test .19
5.4 Failure criteria for both methods E and F: .19
5.5 Force to be applied (both methods) .19
6 Method G: Wire ball shear test.19
6.1 Scope .19
6.2 General description .21
6.3 Terms and definitions .21
6.4 Equipment and material .27
6.5 Procedure.29
6.6 Acceptable test limits.31
7 Information to be given in the relevant specification.35
Annex A (normative) Guidance.39

– 4 – 60749-22 © CEI:2002
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
____________
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –
MÉTHODES D'ESSAIS MÉCANIQUES ET CLIMATIQUES –
Partie 22: Robustesse des contacts soudés
AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation
composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a
pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les
domaines de l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes
internationales. Leur élaboration est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national
intéressé par le sujet traité peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non
gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement
avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les
deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, spécifications techniques, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les
Comités nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette derniè
...