IEC 62276:2012

IEC 62276 ®
Edition 2.0 2012-10
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
colour
inside
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications –
Specifications and measuring methods

Tranches monocristallines pour applications utilisant des dispositifs à ondes
acoustiques de surface (OAS) – Spécifications et méthodes de mesure

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Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications –

Specifications and measuring methods

Tranches monocristallines pour applications utilisant des dispositifs à ondes

acoustiques de surface (OAS) – Spécifications et méthodes de mesure

INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
PRICE CODE
INTERNATIONALE
CODE PRIX X
ICS 31.140 ISBN 978-2-83220-433-7

– 2 – 62276 © IEC:2012
CONTENTS
FO R EW O RD . 5
INT R O D UCT IO N . 7
1 Sc op e . 8
2 Normative references . 8
3 Terms and definitions . 8
3.1 Single crystals for SAW wafer . 8
3.2 Terms and definitions related to LN and LT crystals . 9
3.3 Terms and definitions related to all crystals . 9
3.4 Flatness . 10
3.5 Definitions of appearance defects. 13
3.6 Other terms and definitions . 13
4 Requirements . 15
4.1 Material specification . 15
4.1.1 Synthetic quartz crystal . 15
4.1.2 LN . 15
4.1.3 LT. 15
4.1.4 LBO, LGS . 15
4.2 Wafer specifications . 15
4.2.1 General . 15
4.2.2 Diameters and tolerances . 15
4.2.3 Thickness and tolerance . 15
4.2.4 Orientation flat . 16
4.2.5 Secondary flat . 16
4.2.6 Back surface roughness . 16
4.2.7 Warp . 16
4.2.8 TV5 or TTV . 16
4.2.9 Front (propagation) surface finish . 17
4.2.10 Front surface defects . 17
4.2.11 Surface orientation tolerance . 18
4.2.12 Inclusions . 18
4.2.13 Etch channel density and position of seed for quartz wafer . 18
4.2.14 Bevel . 18
4.2.15 Curie temperature and tolerance . 18
4.2.16 Lattice constant . 18
4.2.17 Bulk resistivity (conductivity) for reduced LN and LT . 18
5 Sampling plan . 19
5.1 Sampling . 19
5.2 Sampling frequency . 19
5.3 Inspection of whole population . 19
6 Test methods . 19
6.1 Diameter . 19
6.2 T hic k nes s . 19
6.3 Dimension of OF . 19
6.4 Orientation of OF . 20
6.5 TV5 . 20
6.6 Warp . 20

62276 © IEC:2012 – 3 –
6.7 TTV . 20
6.8 Front surface defects. 20
6.9 Inclusio ns . 20
6.10 Back surface roughness . 20
6.11 Orientation . 20
6.12 Curie temperature . 20
6.13 Lattice constant . 20
6.14 Bulk resistivity . 20
7 Identification, labelling, packaging, delivery condition . 21
7.1 Packaging . 21
7.2 Labelling and identification . 21
7.3 Delivery condition . 21
8 Measurement of Curie temperature . 21
8.1 General . 21
8.2 DTA method . 21
8.3 Dielectric constant method . 22
9 Measurement of lattice constant (Bond method) . 23
10 Measurement of face angle by X-ray . 24
10.1 Measurement principle . 24
10.2 Measurement method . 25
10.3 Measuring surface orientation of wafer . 25
10.4 Measuring OF flat orientation . 25
10.5 Typical wafer orientations and reference planes . 25
11 Measurement of bulk resistivity . 26
11.1 Resistance measurement of a wafer . 26
11.2 E l ec tr od e . 26
11.3 Bulk resistivity . 27
12 Visual inspections . 27
12.1
...