SIST-TS CLC/TS 61836:2009
(Main)Solar photovoltaic energy systems - Terms, definitions and symbols
Solar photovoltaic energy systems - Terms, definitions and symbols
This Technical Specification deals with the terms and symbols from national and international solar photovoltaic standards and relevant documents used within the field of solar photovoltaic (PV) energy systems. It includes the terms and symbols compiled from the published IEC technical committee 82 standards, previously published as technical report IEC 61836:1997. The focus of this Technical Specification is "what do the words mean" and not "under what conditions do the terms apply".
Photovoltaische Solarenergiesysteme - Begriffe, Definitionen und Symbole
Systèmes de conversion photovoltaïque de l'énergie solaire - Termes, définitions et symboles
Sončni fotonapetostni sistemi - Izrazi, definicije in simboli (IEC/TS 61836:2007)
Ta tehnična specifikacija obravnava izraze in simbole iz nacionalnih in mednarodnih sončnih
fotonapetostnih standardov in povezanih dokumentov, uporabljenih na področju fotonapetostnih (PV)
sistemov. Zajema izraze in simbole v objavljenih standardih tehničnega komiteja IEC/TC 82, prej
objavljenih v tehničnem poročilu IEC TR 61836:1997.
Poudarek te tehnične specifikacije je "kaj pomenijo besede" in ne "pod kakšnimi pogoji veljajo izrazi".
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
SLOVENSKI STANDARD
01-september-2009
1DGRPHãþD
SIST-TP IEC TR 61836:2005
6RQþQLIRWRQDSHWRVWQLVLVWHPL,]UD]LGHILQLFLMHLQVLPEROL ,(&76
Solar photovoltaic energy systems - Terms, definitions and symbols
Photovoltaische Solarenergiesysteme - Begriffe, Definitionen und Symbole
Systèmes de conversion photovoltaïque de l'énergie solaire - Termes, définitions et
symboles
Ta slovenski standard je istoveten z: CLC/TS 61836:2009
ICS:
27.160 6RQþQDHQHUJLMD Solar energy engineering
2003-01.Slovenski inštitut za standardizacijo. Razmnoževanje celote ali delov tega standarda ni dovoljeno.
TECHNICAL SPECIFICATION
CLC/TS 61836
SPÉCIFICATION TECHNIQUE
May 2009
TECHNISCHE SPEZIFIKATION
ICS 27.160
English version
Solar photovoltaic energy systems -
Terms, definitions and symbols
(IEC/TS 61836:2007)
Systèmes de conversion photovoltaïque Photovoltaische Solarenergiesysteme -
de l'énergie solaire - Begriffe, Definitionen und Symbole
Termes, définitions et symboles (IEC/TS 61836:2007)
(CEI/TS 61836:2007)
This Technical Specification was approved by CENELEC on 2009-01-23.
CENELEC members are required to announce the existence of this TS in the same way as for an EN and to make
the TS available promptly at national level in an appropriate form. It is permissible to keep conflicting national
standards in force.
CENELEC members are the national electrotechnical committees of Austria, Belgium, Bulgaria, Cyprus, the Czech
Republic, Denmark, Estonia, Finland, France, Germany, Greece, Hungary, Iceland, Ireland, Italy, Latvia, Lithuania,
Luxembourg, Malta, the Netherlands, Norway, Poland, Portugal, Romania, Slovakia, Slovenia, Spain, Sweden,
Switzerland and the United Kingdom.
CENELEC
European Committee for Electrotechnical Standardization
Comité Européen de Normalisation Electrotechnique
Europäisches Komitee für Elektrotechnische Normung
Central Secretariat: avenue Marnix 17, B - 1000 Brussels
© 2009 CENELEC - All rights of exploitation in any form and by any means reserved worldwide for CENELEC members.
Ref. No. CLC/TS 61836:2009 E
Foreword
The text of the Technical Specification IEC/TS 61836:2007, prepared by IEC TC 82, Solar photovoltaic energy
systems was submitted to the vote in accordance with the Internal Regulations, Part 2, Subclause 11.3.3.3 and
was approved by CENELEC as CLC/TS 61836 on 2009-01-23.
The following date was fixed:
– latest date by which the existence of the CLC/TS
has to be announced at national level (doa) 2009-07-23
Annex ZA has been added by CENELEC.
_________________
- 3 - CLC/TS 61836:2009
Endorsement notice
The text of the Technical Specification IEC/TS 61836:2007 was approved by CENELEC as a Technical
Specification without any modification.
In the official version, for Bibliography, the following notes have to be added for the standards indicated:
IEC 60891 + A1 NOTE Harmonized as EN 60891:1994 (not modified).
IEC 60904-1 NOTE Harmonized as EN 60904-1:2006 (not modified).
IEC 60904-2 NOTE Harmonized as EN 60904-2:2007 (not modified).
IEC 60904-5 NOTE Harmonized as EN 60904-5:1995 (not modified).
IEC 60904-7 NOTE Harmonized as EN 60904-7:1998, which is superseded by EN 60904-7:2009 based on
IEC 60904-7:2008 (not modified).
IEC 60904-8 NOTE Harmonized as EN 60904-8:1998 (not modified).
IEC 60904-9 NOTE IEC 60904-9:1995 is superseded by IEC 60904-9:2007, which is harmonized as
EN 60904-9:2007 (not modified).
IEC 60904-10 NOTE Harmonized as EN 60904-10:1998 (not modified).
IEC 61215 NOTE Harmonized as EN 61215:2005 (not modified).
IEC 61646 NOTE Harmonized as EN 61646:1997, which is superseded by EN 61646:2008 based on
IEC 61646:2008 (not modified).
IEC 61730-1 NOTE Harmonized as EN 61730-1:2007 (modified).
IEC 61730-2 NOTE Harmonized as EN 61730-2:2007 (modified).
IEC 61683 NOTE Harmonized as EN 61683:2000 (not modified).
IEC 61702 NOTE Harmonized as EN 61702:1999 (not modified).
IEC 61725 NOTE Harmonized as EN 61725:1997 (not modified).
IEC 62093 NOTE Harmonized as EN 62093:2005 (not modified).
IEC 61173 NOTE Harmonized as EN 61173:1994 (not modified).
IEC 61194 NOTE Harmonized as EN 61194:1995 (modified).
IEC 61277 NOTE Harmonized as EN 61277:1998 (not modified).
IEC 61724 NOTE Harmonized as EN 61724:1998 (not modified).
IEC 62124 NOTE Harmonized as EN 62124:2005 (not modified).
IEC 61345 NOTE Harmonized as EN 61345:1998 (not modified).
IEC 61701 NOTE Harmonized as EN 61701:1999 (not modified).
IEC 61721 NOTE Harmonized as EN 61721:1999 (not modified).
IEC 62108 NOTE Harmonized as EN 62108:2008 (not modified).
_________________
Annex ZA
(normative)
Normative references to international publications
with their corresponding European publications
The following referenced documents are indispensable for the application of this document. For dated
references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition of the referenced
document (including any amendments) applies.
NOTE When an international publication has been modified by common modifications, indicated by (mod), the relevant EN/HD
applies.
Publication Year Title EN/HD Year
1)
IEC 60904-3 1989 Photovoltaic devices - EN 60904-3 1993
Part 3: Measurement principles for terrestrial
photovoltaic (PV) solar devices with reference
spectral irradiance data
1)
EN 60904-3 is superseded by EN 60904-3:2008, which is based on IEC 60904-3:2008.
IEC/TS 61836
Edition 2.0 2007-12
TECHNICAL
SPECIFICATION
Solar photovoltaic energy systems – Terms, definitions and symbols
INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
PRICE CODE
XC
ICS 27.160 ISBN 2-8318-9506-5
– 2 – TS 61836 © IEC:2007(E)
CONTENTS
FOREWORD.3
INTRODUCTION.5
1 Scope and object.6
2 Normative references .6
3 Glossary of terms and symbols for solar photovoltaic energy systems .6
3.1 Solar photovoltaic cells and modules.6
3.2 Solar photovoltaic systems components .16
3.3 Solar photovoltaic systems.21
3.4 Solar photovoltaic system and component performance parameters .32
3.5 Measurement devices.50
3.6 Environmental parameters.51
3.7 Quality and testing .59
3.8 Concentrator photovoltaics.64
3.9 Project management .66
3.10 Miscellaneous .67
4 Acronyms and abbreviations.67
Bibliography.70
Index of terms and symbols .72
TS 61836 © IEC:2007(E) – 3 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION
____________
SOLAR PHOTOVOLTAIC ENERGY SYSTEMS –
TERMS, DEFINITIONS AND SYMBOLS
FOREWORD
1) The International Electrotechnical Commission (IEC) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, IEC publishes International Standards, Technical Specifications,
Technical Reports, Publicly Available Specifications (PAS) and Guides (hereafter referred to as “IEC
Publication(s)”). Their preparation is entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested
in the subject dealt with may participate in this preparatory work. International, governmental and non-
governmental organizations liaising with the IEC also participate in this preparation. IEC collaborates closely
with the International Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by
agreement between the two organizations.
2) The formal decisions or agreements of IEC on technical matters express, as nearly as possible, an international
consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation from all
interested IEC National Committees.
3) IEC Publications have the form of recommendations for international use and are accepted by IEC National
Committees in that sense. While all reasonable efforts are made to ensure that the technical content of IEC
Publications is accurate, IEC cannot be held responsible for the way in which they are used or for any
misinterpretation by any end user.
4) In order to promote international uniformity, IEC National Committees undertake to apply IEC Publications
transparently to the maximum extent possible in their national and regional publications. Any divergence
between any IEC Publication and the corresponding national or regional publication shall be clearly indicated in
the latter.
5) IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with an IEC Publication.
6) All users should ensure that they have the latest edition of this publication.
7) No liability shall attach to IEC or its directors, employees, servants or agents including individual experts and
members of its technical committees and IEC National Committees for any personal injury, property damage or
other damage of any nature whatsoever, whether direct or indirect, or for costs (including legal fees) and
expenses arising out of the publication, use of, or reliance upon, this IEC Publication or any other IEC
Publications.
8) Attention is drawn to the Normative references cited in this publication. Use of the referenced publications is
indispensable for the correct application of this publication.
9) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this IEC Publication may be the subject of
patent rights. IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
The main task of IEC technical committees is to prepare International Standards. In
exceptional circumstances, a technical committee may propose the publication of a technical
specification when
• the required support cannot be obtained for the publication of an International Standard,
despite repeated efforts, or
• The subject is still under technical development or where, for any other reason, there is
the future but no immediate possibility of an agreement on an International Standard.
Technical specifications are subject to review within three years of publication to decide
whether they can be transformed into International Standards.
IEC 61836, which is a technical specification, has been prepared IEC technical committee 82:
Solar photovoltaic energy systems.
This second edition cancels and replaces the first edition published in 1997. This edition
constitutes a technical revision.
– 4 – TS 61836 © IEC:2007(E)
This edition included the following significant technical changes with respect to the previous
edition:
1) The number of terms has increased. Abbreviations have been included.
2) The terms in Edition 2 are organised into categories and families. Terms contained in
families are cross referenced with an alphabetical listing. A bibliography and an index were
added. The purpose of aggregating terms into families is to allow readers to easily see the
relationships between terms that speak of similar quantities and subjects but that have slight
variations.
The text of this technical specification is based on the following documents:
Enquiry draft Report on voting
82/442/DTS 82/487/RVC
Full information on the voting for the approval of this technical specification can be found in
the report on voting indicated in the above table.
This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 2.
The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged until
the maintenance result date indicated on the IEC web site under "http://webstore.iec.ch" in
the data related to the specific publication. At this date, the publication will be
• transformed into an International standard,
• reconfirmed,
• withdrawn,
• replaced by a revised edition, or
• amended.
A bilingual edition of this document may be issued at a later date.
TS 61836 © IEC:2007(E) – 5 –
INTRODUCTION
Following the development of solar photovoltaic (PV) technology, specific Standards have
been prepared by IEC Technical Committee 82 since 1987. The terms and symbols used in
the PV industry necessitate a systematisation in order to have a consolidated glossary for
experts’ common understanding.
This Glossary lists the terms and symbols that the PV industry commonly uses. It is a living
document that will change as new terms and symbols are added. These have been
harmonized with IEC 60050 and other IEC documents as far as possible. All definitions not
included in this Technical Specification may be found elsewhere in other IEC documents.
NOTE 1 The terms "PV", "photovoltaic" and "solar photovoltaic" can be read and used interchangeably and without
the need for stating each term to show that each are applicable and commonly used by the solar photovoltaic
industry.
NOTE 2 All terms beginning with "solar photovoltaic" and "PV" are listed under their respective "photovoltaic"
names.
NOTE 3 The terms are listed alphabetically in ten categories. Under these categories, some of the terms have
been grouped into families of related meaning in order for the reader to readily see the differences between the
terms.
NOTE 4 This Glossary lists the precise usage of terms. Cross-references are provided to efficiently point the
reader to the location of definitions. For example, a "solar photovoltaic array" may also be referred to as
"photovoltaic array" or "array" when the reference to it is particularly clear. The definition for this term, for
example, occurs under the family heading of "photovoltaic" in the "Solar photovoltaic systems" section.
NOTE 5 The colloquial use of "solar" as the sole adjective of a noun is discouraged. For example, though "solar
array" may be commonly used in non-technical conversations, the precise terms are "solar photovoltaic array",
"photovoltaic array", and "array".
NOTE 6 Unless specifically noted otherwise, the terms "device", "cell", "module", "array", "sub-array", "field",
"component", "system", and "product" refer to items incorporating a photovoltaic device. As a result, each of these
terms can be understood to read as "PV device", "PV cell", "PV module", etc., without having to re-state the term
"PV" each time, though now and then it is useful to re-state "PV".
NOTE 7 The numeric quantities described by many of the terms can be expressed over any convenient unit of time
that the user may wish, such as day, month or year.
NOTE 8 "W " is not a recommended unit for rated power. For example for a 50 W module, the correct terminology
p
is "the rated power is 50 W", and not "the power is 50 W ".
p
NOTE 9 The documents from which these terms originated are shown in square brackets [ ]. Some adaptations
may have occurred.
NOTE 10 This Glossary document recognises the related IEC co-ordinating Technical Committees:
1 Terminology 77 Electromagnetic compatibility
21 Secondary cells and batteries 82 Solar photovoltaic energy systems
22 Power electronic systems and 88 Wind turbines
equipment
47 Semiconductor devices 105 Fuel cell technologies
64 Electrical installations and 106 Methods for the assessment of electric,
protection against electric shock magnetic and electromagnetic fields
associated with human exposure
– 6 – TS 61836 © IEC:2007(E)
SOLAR PHOTOVOLTAIC ENERGY SYSTEMS –
TERMS, DEFINITIONS AND SYMBOLS
1 Scope and object
This Technical Specification deals with the terms and symbols from national and international
solar photovoltaic standards and relevant documents used within the field of solar
photovoltaic (PV) energy systems. It includes the terms and symbols compiled from the
published IEC technical committee 82 standards, previously published as technical report
IEC 61836:1997.
The focus of this Technical Specification is "what do the words mean" and not "under what
conditions do the terms apply".
2 Normative references
The following referenced documents are indispensable for the application of this document.
For dated references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition
of the referenced document (including any amendments) applies.
IEC 60904-3:1989, Photovoltaic devices – Part 3: Measurement principles for terrestrial
photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data
3 Glossary of terms, definitions and symbols for solar photovoltaic energy
systems
3.1 Solar photovoltaic cells and modules
This subclause addresses vocabulary pertaining to photovoltaic materials, photovoltaic cells
and photovoltaic modules. Other photovoltaic components are described in subclause 3.2.
Photovoltaic systems are described in subclause 3.3.
3.1.1 amorphous photovoltaic material
solid-state material in a semi-stable condition with no long-range order in the structural
arrangement of the atoms
3.1.2 amorphous silicon
see "silicon/amorphous", 3.1.58a).
3.1.3 anti-reflective coating
layer formed on the surface of a PV cell to reduce reflective loss
3.1.4 back surface field effect
see "effect/back surface field effect", 3.1.25a)
3.1.5 band gap energy
(Unit: eV)
TS 61836 © IEC:2007(E) – 7 –
amount of energy required to bring an electron from the state of valence electron to the state
of free electron
3.1.6 barrier energy
(Unit: eV)
energy given up by an electron in penetrating the PV cell barrier
NOTE The barrier energy is a measure of the electrostatic potential of the barrier.
3.1.7 bus lines
see "metallisation line/bus bar", 3.1.37a)
3.1.8 bypass diode (on a module level)
diode connected across one or more PV cells in the forward electric current direction to allow
the PV module electric current to bypass cells to prevent hot spot or hot cell damage resulting
from the reverse voltage biasing from the other cells in that module
3.1.9 cell
see "photovoltaic/photovoltaic cell", 3.1.43a).
The following terms are used to describe the structure of PV cells and materials.
a) CIS photovoltaic cell
PV cell fabricated of copper indium diselenide (CuInSe , abbreviation CIS) material as
a main constituent (thin film type)
b) compound semiconductor photovoltaic cell
PV cell made of compound semiconductor, which consists of different chemical
elements, such as GaAs (III-V compounds), CdS/CdTe (II-VI compounds),
CdS/CuInSe , etc.
c) concentrator photovoltaic cell
see "concentrator photovoltaic cell", 3.8.5a)
d) dye-sensitized photovoltaic cell
photoelectrochemical device using dye molecules with two electrodes and an
electrolyte
e) integrated type photovoltaic cell
multiple PV cells connected in series produced on a single substrate that appears like
a single cell
NOTE 1 Integrated type PV cells may include stacked or side-by-side configurations.
f) multijunction photovoltaic cell
see "cell/stacked photovoltaic cell", 3.1.9k)
g) organic photovoltaic cell
PV cell fabricated of organic materials being polymers and/or small molecules (thin film
type)
h) PN junction photovoltaic cell
PV cell using a PN junction
NOTE 2 See also "PN junction", 3.1.34f).
i) Schottky barrier photovoltaic cell
– 8 – TS 61836 © IEC:2007(E)
PV cell using a Schottky junction formed at the metal-semiconductor interface
j) silicon photovoltaic cell
PV cell fabricated of silicon material as a main constituent
k) stacked photovoltaic cell
PV cell consisting of layers of different PV cells having different optical properties in
which incident light is absorbed by each cell layer
l) tandem photovoltaic cell
common name for a stack of two or more PV cells behind each other
m) thin film photovoltaic cell
PV cell made of thin layers of semiconductor material
NOTE 3 See also "silicon/polycrystalline silicon", 3.1.58e).
3.1.10 cell barrier
very thin electric-potential barrier along the interface between the P-type layer and the N-type
layer of a PV cell
NOTE 1 A cell barrier is also known as the "depletion zone".
NOTE 2 An enlectric-potential barrier is a region of high electric field strength opposing the passage of an
electrically charged particle in a direction depending on the sign of the electric charge.
3.1.11 cell junction
see "junction/cell junction", 3.1.34a)
3.1.12 CIS photovoltaic cell
see "cell/CIS photovoltaic cell", 3.1.9a)
3.1.13 compound semiconductor photovoltaic cell
see "cell/compound semiconductor photovoltaic cell", 3.1.9b)
3.1.14 conversion efficiency
(Unit: dimensionless, usually expressed as a percentage, %)
ratio of electric power generated by a PV device per unit area to its incident irradiance as
measured under standard test conditions, STC
NOTE See also "conditions/standard test conditions", 3.4.16e).
3.1.15 crystalline silicon
see "silicon/crystalline silicon", 3.1.58b).
3.1.16 current
For PV devices and related entries, see "photovoltaic/photovoltaic current", 3.1.43b)
NOTE There are many uses for the electrical term "current".
3.1.17 Czochralski process
see "ingot manufacturing process/Czochralski process", 3.1.32a)
TS 61836 © IEC:2007(E) – 9 –
3.1.18 dark current
(Unit: A)
electric current remaining in a PV device when its incident irradiance is zero
3.1.19 device
see "photovoltaic/photovoltaic device", 3.1.43c)
3.1.20 diffusion layer
portion of P-layer or N-layer prepared by a diffusion of dopants to form a PN junction
3.1.21 directional solidification
see "ingot manufacturing process/directional solidification", 3.1.32b)
3.1.22 donor (in photovoltaic cells)
dopant (such as phosphorus in the case of silicon material) that supplies an additional
electron to an otherwise balanced material structure
3.1.23 dopant (in photovoltaic cells)
chemical added in small amounts to a semiconductor material to modify its electrical
properties
NOTE 1 An N-dopant introduces more electrons than are required for the structure of the material
(e.g., phosphorus for silicon material).
NOTE 2 A P-dopant creates electron vacancies in the material structure (e.g., boron for silicon material).
3.1.24 dye-sensitized photovoltaic cell
see "cell/dye-sensitized photovoltaic cell", 3.1.9d)
3.1.25 effect
see "photovoltaic/photovoltaic effect", 3.1.43d).
a) back-surface field effect
effect where the charge carriers generated near the back side of a PV cell are
collected effectively by the inner electric field that is formed by a heavily doped zone
near the rear electrode
b) light-confinement effect
effect where the short-circuit electric current is increased by trapping incident light
inside a PV cell using textured surfaces and structures, etc.
3.1.26 electromagnetic casting
see "ingot manufacturing process/electromagnetic casting", 3.1.32c).
3.1.27 energy gap
(Unit: eV)
– 10 – TS 61836 © IEC:2007(E)
smallest energy difference between two neighbouring allowed bands separated by a forbidden
band
[IEV 111-14-37]
NOTE See also "band gap energy", 3.1.5).
3.1.28 float zone melting
see "ingot manufacturing process/float zone melting", 3.1.32d)
3.1.29 grid lines
see "metallisation line/grid line", 3.1.37b)
3.1.30 heterojunction
see "junction/heterojunction", 3.1.34b)
3.1.31 hot spot
intense localised heating occurring in a PV module when its operating electric current
exceeds the reduced short-circuit current of a shadowed or faulty PV cell or group of cells
within it
NOTE When a hot spot occurs, the affected cell or group of cells is forced into reverse bias and must dissipate
power, which can cause overheating. The voltage bias or damage creates a small, localized shunt path where a
large portion of the PV module current appears.
3.1.32 ingot manufacturing process
process by which an ingot is manufactured
a) Czochralski process
method of growing a perfect large-size single crystal by slowly lifting, under careful
cooling conditions, a rotating seed crystal from a counter-rotating molten silicon bath
NOTE 1 The Czochralski process produces a cylindrical-section silicon ingot, which can be cut into
wafers that are usually round or pseudo-square.
b) directional solidification
method of making large-grain multicrystalline silicon ingots by controlling the cooling
rate of molten silicon that has been placed in a square-section crucible
NOTE 2 Directional solidification produces a square-section silicon ingot that can be cut into wafers that
are square or rectangular.
c) electromagnetic casting
method of making multicrystalline silicon ingots by which a continuously fed square-
sectional open-bottom cold crucible of molten silicon is continuously pulled downward
through an electromagnetic field
NOTE 3 Electromagnetic casting produces a square-section silicon ingot that can be cut into wafers that
are square or rectangular.
d) float zone melting
method of growing and purifying high quality single crystal ingots
3.1.33 integrated type photovoltaic cell
see "cell/integrated type cell", 3.1.9e)
TS 61836 © IEC:2007(E) – 11 –
3.1.34 junction (of semiconductors)
transition layer between semiconducting regions of different electrical properties, or between
a semiconductor and a layer of a different type, being characterized by a potential barrier
impeding the movement of charge carriers from one region to the other
[IEV 521-02-72]
a) cell junction
junction between the P-type semiconductor and N-type semiconductor of a PV cell
NOTE 1 The PV cell junction lies within the cell barrier or depletion zone.
b) heterojunction
PN junction in which the two regions differ in their doping conductivities, and also in
their atomic compositions
c) homojunction
PN junction in which the two regions differ in their doping conductivities, but not in
their atomic compositions
d) Schottky barrier
junction between a metal and a semiconductor in which a transition region, formed at
the surface of the semiconductor, acts as a rectifying barrier
[IEV 521-02-71]
e) PIN junction
junction consisting of an intrinsic semiconductor between a P-type semiconductor and
an N-type semiconductor, intended to reduce the recombination of minority carriers
NOTE 2 A PIN junction is widely used in thin film amorphous silicon PV cells.
f) PN junction
junction between a P-type semiconductor and an N-type semiconductor
3.1.35 light confinement effect
see "effect/light-confinement effect", 3.1.25b)
3.1.36 material
see "photovoltaic/photovoltaic material", 3.1.43e)
3.1.37 metallisation line
metallic conductor on the front or back of a PV cell intended to conduct the electric current
generated by the PV cell
NOTE 1 A metallisation line can be screen-printed, vapour-deposited or extruded (line-written).
The lines are of two types
a) bus bar (of photovoltaic cells)
metallisation line with a cross-section area greater than that of the grid lines,
connected to grid lines and intended to carry their electric current to the wires or
ribbons interconnecting the PV cell with other PV cells
NOTE 2 Interconnect wires are connected to the bus bars by soldering or welding.
b) grid line
metallisation line intended to collect electric current from the surface of the
semiconductor of the PV cell
– 12 – TS 61836 © IEC:2007(E)
3.1.38 microcrystalline silicon
see "silicon/microcrystalline silicon", 3.1.58c).
3.1.39 module
see "photovoltaic/photovoltaic module", 3.1.43f).
3.1.40 multicrystalline silicon
see "silicon/multicrystalline silicon", 3.1.58d).
3.1.41 multijunction photovoltaic cell
see "cell/multijunction photovoltaic cell", 3.1.9f).
3.1.42 organic photovoltaic cell
see "cell, organic photovoltaic cell", 3.1.9g).
3.1.43 photovoltaic, photovoltaics
(Abbreviation: PV)
photovoltaic, adjective
photovoltaics, noun
relating to electrical phenomena caused by the photovoltaic effect
The following terms are commonly used in describing photovoltaic devices. The term
"photovoltaic" is commonly referred to "PV". See also "photovoltaic", 3.2.21 and 3.3.56.
a) photovoltaic cell
most elementary photovoltaic device
NOTE 1 In solar PV energy system applications, another term for "photovoltaic cell" is "solar photovoltaic
cell", colloquially referred to as a "solar cell".
b) photovoltaic current
(Unit: A)
DC electric current generated in a photovoltaic device
NOTE 2 See also "dark current", 3.1.18.
c) photovoltaic device
component that exhibits the photovoltaic effect
NOTE 3 Examples of a photovoltaic device includes a photovoltaic cell, module or array.
d) photovoltaic effect
production of DC voltage by the absorption of photons
NOTE 4 Currently the photovoltaic effect is known to be produced by specifically designed
semiconductors. This results in the direct non-thermal conversion of radiant energy into electrical energy.
e) photovoltaic material
material that exhibits the photovoltaic effect
f) photovoltaic module
complete and environmentally protected assembly of interconnected photovoltaic cells
TS 61836 © IEC:2007(E) – 13 –
NOTE 5 Photovoltaic modules can be assembled into photovoltaic panels and photovoltaic arrays. See "
photovoltaic/photovoltaic panel" (3.3.56e) and "photovoltaic/photovoltaic array" (3.3.56a).
3.1.44 PIN junction
see "junction/PIN junction", 3.1.34e).
3.1.45 PN junction
see "junction/PN junction", 3.1.34f)
3.1.46 PN junction photovoltaic cell
see "cell/PN junction cell", 3.1.9h)
3.1.47 polycrystalline silicon
see "silicon/polycrystalline silicon", 3.1.58e)
3.1.48 power
(Unit: W)
time-based rate of transferring or transforming energy, or of doing work
NOTE Power is commonly but incorrectly used to mean "electricity" or "electrical".
3.1.49 primary reference photovoltaic cell
see "reference photovoltaic cell/primary reference photovoltaic cell", 3.1.50a)
3.1.50 reference photovoltaic cell
specially calibrated PV cell that is used to measure irradiance or to set simulator irradiance
levels to compensate for non-reference spectral irradiance distribution
a) primary reference photovoltaic cell
reference PV cell whose calibration is based on a radiometer or standard detector
conforming to the standard World Radiometric Reference (WRR)
b) secondary reference photovoltaic cell
reference PV cell calibrated in natural or simulated sunlight against a primary
reference cell
3.1.51 reference photovoltaic device
reference PV cell, package of multiple reference cells or a reference module
3.1.52 reference photovoltaic module
specially calibrated PV module that is used to measure irradiance or to set simulator
irradiance levels for measuring the performance of other modules having similar spectral
response, optical characteristics, dimensions, and electrical circuitry
3.1.53 ribbon
thin sheet of crystalline or multicrystalline material produced in a continuous process by
withdrawal from a molten bath of the parent material (usually silicon)
– 14 – TS 61836 © IEC:2007(E)
3.1.54 Schottky barrier photovoltaic cell
see "cell/Schottky barrier photovoltaic cell", 3.1.9i).
3.1.55 Schottky junction
see "junction, Schottky barrier", 3.1.34d)
3.1.56 secondary reference photovoltaic cell
see "reference photovoltaic cell/secondary reference photovoltaic cell", 3.1.50b).
3.1.57 semiconductor material
substance, the conductivity of which, due to charge carriers of both signs, is normally in the
range between that of conductors and insulating media, and in which the density of its charge
carriers can be changed by external means
[IEV 121-12-06] [IEV 521-02-01, modified]
NOTE 1 The term “semiconductor” generally applies where the charge carriers are electrons or holes.
NOTE 2 In order to increase the conductivity, the energy supplied must be greater than the band gap energy.
See also "band gap energy", 3.1.5.
NOTE 3 Certain semiconductors, such as silicon, gallium arsenide, cadmium telluride and copper indium
diselenide compounds, to name a number of materials currently available, are well suited to the PV conversion
process.
3.1.58 silicon
(Symbol: Si)
semi-metallic chemical element, atomic weight of 14, an extensively used semiconductor
material, a common constituent of sand and quartz in the form of an oxide, and commonly
used in PV cells
NOTE 1 Silicon crystallises in a face-centred cubic lattice like a diamond.
NOTE 2 The terms here are applied to materials, wafers, cells, and modules.
a) amorphous silicon
(Symbol: a-Si, a-Si:H)
hydrogenated non-crystalline silicon alloy in a semi-stable condition deposited on a
foreign substrate with a thickness of the order of 1 μm
b) crystalline silicon
(Symbol: c-Si)
general category of silicon materials exhibiting a crystalline structure, i.e., showing
long range ordering of the silicon atoms
c) microcrystalline silicon
(Symbol: μc-Si)
hydrogenated silicon alloy deposited on a foreign substrate with a thickness of the
order of 1 μm presenting grains < 1 μm of crystalline structure
d) multicrystalline silicon
(Symbol: mc-Si)
silicon material that has solidified at such a rate that many large grain single crystals
(called crystallites, and ranging from 1 mm to 10 mm) are formed
TS 61836 © IEC:2007(E) – 15 –
NOTE 3 The atoms of each crystallite are symmetrically arrayed, but the multitude of crystallites is
randomly jumbled.
NOTE 4 Often moulded as a cast ingot or pulled ribbon.
e) polycrystalline silicon
(Symbol: pc-Si)
silicon material deposited on a foreign substrate as a layer with a thickness of 10 μm
to 30 μm and a grain size of 1 μm to 1 mm
NOTE 5 Polycrystalline silicon is known as thin film pc-Si.
NOTE 6 Polycrystalline silicon is also a term used in the feedstock silicon fabrication process.
f) single crystalline silicon
(Symbol: sc-Si)
silicon material characterized by an orderly and periodic arrangement of atoms such
that it has only one crystal orientation: i.e., all of the atoms are symmetrically arrayed
NOTE 7 Single crystalline silicon is known as mono-crystalline and single crystal.
g) solar photovoltaic grade silicon
(Abbreviation: SOG)
feedstock material with a high chemical purity adapted to the growth of crystalline
silicon ingots
3.1.59 silicon photovoltaic cell
see "cell/silicon photovoltaic cell", 3.1.9j).
3.1.60 single crystalline silicon
see "silicon/single crystalline silicon", 3.1.58f).
3.1.61 solar photovoltaic, solar photovoltaics
pertaining to PV devices under the influence of sunlight
NOTE All terms beginning with "solar photovoltaic" are listed under their respective "photovoltaic" names (3.1.43,
3.2.21, and 3.3.56).
3.1.62 stacked photovoltaic cell
see "cell/stacked photovoltaic cell", 3.1.9k).
3.1.63 tandem photovoltaic cell
see "cell/tandem photovoltaic cell", 3.1.9l).
3.1.64 transparent conducting oxide layer
(Abbreviation: TCO for Transparent Conducting Oxide)
transparent conducting oxide used as an electrode in thin-film PV cells deposited on
transparent glass (superstrate configuration)
NOTE See also "transparent electrode", 3.1.67.
3.1.65 textured surface
uneven structure formed on the front surface or back surface of a PV cell to increase the light
absorption by decreasing the surface reflection loss and utilizing light confinement effect
– 16 – TS 61836 © IEC:2007(E)
3.1.66 thin film photovoltaic cell
see "cell/thin film photovoltaic cell", 3.1.9m).
3.1.67 transparent electrode
thin film electrode with high electrical conductivity and high optical transmissivity formed on a
PV cell
3.1.68 wafer
slice of semiconductor material, that forms the mechanical and electrical basis of a crystalline
PV cell
3.2 Solar photovoltaic systems components
This subclause addresses vocabulary pertaining to the components of a photovoltaic system
except photovoltaic modules (see 3.1). Photovoltaic systems are described in subclause 3.3).
3.2.1 array
see "photovoltaic/photovoltaic array", 3.3.56a).
3.2.2 array cable
see "photovoltaic/photovoltaic array cable", 3.2.21a).
3.2.3 array junction box
see "junction box/array junction box", 3.2.16a).
3.2.4 automatic start/stop
function to start and/or stop a power conditioner automatically according to the output of a PV
array
3.2.5 blocking diode
diode connected in series to PV module(s), panel(s), sub-arrays and array(s) to block reverse
electric current into such module(s), panel(s), sub-arrays and array(s)
3.2.6 bypass diode (on a PV system level)
diode connected in parallel across one or more PV modules in the forward electric current
direction to allow the module current to bypass a module to prevent module overheating and
burning resulting from the reverse voltage biasing from the other modules in the PV array
NOTE A bypass diode at a PV system level is also known as a system bypass diode or a bypass device.
3.2.7 commutation (static inverters)
control of a power conditioner’s AC output waveform
The terms of commutation for power conditioners are listed below.
a) line commutation
type of external commutation where the commutating voltage is supplied from the
"line", which normally refers to a utility line
TS 61836 © IEC:2007(E) – 17 –
b) line commutation type
power conditioner operated with line commutation
c) self-commutation
type of commutation where the commutating voltage is supplied by components within
the converter or the electronic switch
d) self-commutation type
power conditioner operated with self-commutation
3.2.8 current control type inverter
see "inverter/current control inverter", 3.2.15a).
3.2.9 current stiff type inverter
see "inverter/current stiff inverter", 3.2.15b).
3.2.10 DC conditioner
PV system component that changes the PV array output voltage into a useable DC voltage
3.2.11 DC main cable
see "photovoltaic/photovoltaic DC main cable", 3.2.21b).
3.2.12 generator junction box
see "junction box/generator junction box", 3.2.16b).
3.2.13 high frequency link type inverter
see "inverter/high frequency link inverter", 3.2.15f).
3.2.14 input voltage operating range
(Unit: V)
input DC voltage range in which the power conditioner operates stably
3.2.15 inverter
electric energy converter that changes direct electric current to single-phase or polyphase
alternating currents
[IEV 151-13-46]
NOTE 1 An inverter is one of a number of components that is included in the term "power conditioner".
a) current control inverter
inverter with an output electric current having a specified sine waveform produced by
pulse-width modulated (PWM) control or other similar control system
b) current stiff inverter
inverter having an essentially smooth DC input electric current
c) grid-connected inverter
inverter that is able to operate in parallel with the distribution or transmission system of
an electrical utility
– 18 – TS 61836 © IEC:2007(E)
NOTE 2 A grid-connected inverter is also known variously as a grid-intertie or a grid-tied inverter.
d) grid-dependent inverter
grid-connected inverter that operates only in grid-dependent mode
e) grid-interactive inverter
grid-connected inverter that is able to operate in both stand-alone and parallel modes
NOTE 3 A grid-interactive inverter initiates a grid-parallel mode of operation.
f) high frequency link inverter
inverter with a high frequency transformer for electrical isolation between the inverter's
input and output circuits
g) module inverter
inverter that is integrated to the output of a single PV module
NOTE 4 A module inverter is usually attached to the rear of a module.
NOTE 5 See also "AC module", 3.3.2.
h) non-islanding inverter
inverter that ceases to energize an electricity distribution system that is out of the
normal operating specifications for voltage and/or frequency
i) stand-alone inverter
inverter that supplies a load not connected to the distribution or transmission system of
an electrical utility
NOTE 6 A stand-alone inverter is also known as a "battery-powered inverter".
j) string inverter
inverter that is designed to operate with a single PV string
NOTE 7 The AC output of a string inverter can be connected in parallel to the output of other string
inverters.
k) transformerless inverter
inverter without any isolation transformer
l) utility frequency link inverter
inverter with a utility frequency transformer for electrical isolation at the inverter output
m) utility interactive inverter
inverter used in parallel with the distribution or transmission system of an electrical
utility to supply common loads and that may deliver electricity to that distribution or
transmission system
n) voltage control inverter
inverter with an output voltage having a specified sine waveform produced by
pulse-width modulated (PWM) control, etc.
o) voltage stiff inverter
inverter having an essentially smooth DC input voltage
3.2.16 junction box
closed or protected enclosure in which circuits are electrically connected
a) array junction box
junction box where PV strings are connected
b) generator junction
...
SLOVENSKA
SIST-TS CLC/TS 61836 TEHNIČNA
september 2009
SPECIFIKACIJA
Sončni fotonapetostni sistemi – Izrazi, definicije in simboli
(IEC/TS 61836:2007)
Solar photovoltaic energy systems – Terms, definitions and symbols (IEC/TS 61836:2007)
Systèmes de conversion photovoltaïque de I'énergie solarie – Termes, dèfinitions et symboles (CEI/TS 61836:2007)
Photovoltaische Solarenergiesysteme – Begriffe, Definitionen und Symbole (IEC/TS 61836:2007)
Referenčna oznaka ICS 27.160 SIST-TS CLC/TS 61836:2009 (sl)
Nadaljevanje na straneh II in od 1 do 88
© 2012-02. Standard je založil in izdal Slovenski inštitut za standardizacijo. Razmnoževanje celote ali delov tega standarda ni dovoljeno.
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
II NACIONALNI UVOD Tehnična specifikacija SIST-TS CLC/TS 61836 (sl), Sončni fotonapetostni sistemi – Izrazi, definicije in simboli (IEC/TS 61836:2007), 2009, ima status slovenske tehnične specifikacije in je enakovredna evropski tehnični specifikaciji CLC/TS 61836, Solar photovoltaic energy systems – Terms, definitions and symbols, 2009.
NACIONALNI PREDGOVOR
Evropsko tehnično specifikacijo CLC/TS 61836:2009 je pripravil evropski tehnični odbor CLC/TC 82 Fotonapetostni energetski sistemi. Slovenska tehnična specifikacija SIST-TS CLC/TS 61836:2009 je prevod evropske tehnične specifikacije CLC/TS 61836:2009. V primeru spora glede besedila slovenskega prevoda v tej tehnični specifikaciji je odločilen izvirni evropski dokument v angleškem jeziku. Slovensko izdajo dokument je pripravil tehnični odbor SIST/TC PVS Fotonapetostni
sistemi. Sončni fotonapetostni sistemi so pogosto označeni s kratico PV-sistem (iz angleškega termina »photovoltaic system«). Izraz sončna elektrarna se v tem dokumentu nanaša na sončno fotovoltaično elektrarno oziroma sončno fotovoltaično proizvodno napravo. Glede na mednarodni sistem enot in uveljavljeno tehniško prakso v Sloveniji se povsod v dokumentu za označevanje napetosti uporablja simbol U in ne V, ki je uporabljen v izvirniku. Namesto pojma učinkovitost pretvorbe se v slovenski tehniški praksi pogosto uporablja termin izkoristek. Pri pretvarjanju iz ene energije v drugo priporočamo uporabo pojem učinkovitost pretvorbe. Odločitev za izdajo tega dokumenta je dne 21. januarja 2010 sprejel SIST/TC PVS Fotonapetostni
sistemi.
OSNOVA ZA IZDAJO STANDARDA – privzem standarda CLC/TS 61836:2009 OPOMBE
– Povsod, kjer se v besedilu standarda uporablja izraz “evropski standard”, v
CENELEC
Avenue Marnix 17
B - 1000 Bruselj
Belgija
This national document is identical with CLC/TS 61836:2009 and is published with the permission of
CENELEC
Avenue Marnix 17
B - 1000 Brussels
Belgium
TEHNIČNA SPECIFIKACIJA CLC/TS 61836 TECHNICAL SPECIFICATION
SPÉCIFICATION TECHNIQUE
TECHNISCHE SPEZIFIKATION
maj 2009 ICS 27.160
Slovenska izdaja Sončni fotonapetostni sistemi – Izrazi, definicije in simboli
(IEC/TS 61836:2007)
Solar photovoltaic energy systems – Terms, definitions and symbols (IEC/TS 61836:2007) Systèmes de conversion photovoltaïque de I'énergie solarie – Termes, dèfinitions et symboles (CEI/TS 61836:2007) Photovoltaische Solarenergiesysteme – Begriffe, Definitionen und Symbole (IEC/TS 61836:2007)
To tehnično specifikacijo je CENELEC sprejel dne 23. januarja 2009.
Člani CENELEC morajo razglasiti obstoj te tehnične specifikacije enako kot za EN ter v ustrezni obliki zagotoviti njeno razpoložljivost na nacionalni ravni. Dovoljeno je, da veljajo tudi nacionalni standardi, ki so s to tehnično specifikacijo v nasprotju.
Člani CENELEC so nacionalni elektrotehniški komiteji Avstrije, Belgije, Bolgarije, Cipra, Češke republike, Danske, Estonije, Finske, Francije, Grčije, Islandije, Irske, Italije, Latvije, Litve, Luksemburga, Madžarske, Malte, Nemčije, Nizozemske, Norveške, Poljske, Portugalske, Romunije, Slovaške, Slovenije, Španije, Švedske, Švice in Združenega kraljestva.
CENELEC Evropski komite za standardizacijo v elektrotehniki European Committee for Electrotechnical Standardisation Europäisches Komitee für Elektrotechnische Normung Comité Européen de Normalisation Electrotechnique
Centralni sekretariat: avenue Marnix 17, B – 1050 Brussels
© 2009 CENELEC. Lastnice avtorskih pravic so vse države članice CENELEC Ref. oznaka CLC/TS 61836:2009 E
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
2 Predgovor
Besedilo tehnične specifikacije IEC/TS 61836:2007, ki ga je pripravil tehnični odbor IEC/TC 82 Sončni fotonapetostni sistemi, je bilo posredovano v glasovanje v skladu z določili Internal Regulations, 2. del, Podtočka 11.3.3.3 in ga je CENELEC dne 23. januarja 2009 sprejel kot CLC/TS 61836.
Določen je bil naslednji datum: – zadnji datum, do katerega mora biti obstoj
CLC/TS objavljen na nacionalni ravni (doa) 2009-07-23
Dodatek ZA je dodal CENELEC.
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
3Razglasitvena objava
Besedilo tehnične specifikacije IEC/TS 61836:2007 je CENELEC sprejel kot tehnično specifikacijo brez sprememb.
V rubriki Literatura v uradni verziji se k standardom dodajo naslednje opombe:
IEC 60891+A1
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 60891:1994 (brez sprememb). IEC 60904-1
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 60904-1:2006 (brez sprememb). IEC 60904-2
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 60904-2:2007 (brez sprememb). IEC 60904-5
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 60904-5:1995 (brez sprememb). IEC 60904-7
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 60904-7:1998, ki je bil nadomeščen z EN 60904-7:2009 z osnovo IEC 60904-7:2008 (brez sprememb). IEC 60904-8
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 60904-8:1998 (brez sprememb). IEC 60904-9
OPOMBA: IEC 60904-9:1995 je nadomeščen z IEC 60904-9:2007, ki je harmoniziran kot EN 60904-9:2007 (brez sprememb). IEC 60904-10
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 60904-10:1998 (brez sprememb). IEC 61215
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61215:2005 (brez sprememb). IEC 61646
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61646:1997, ki je nadomeščen z EN 61646:2008 z osnovo IEC 61646:2008 (brez sprememb). IEC 61730-1
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61730-1:2007 (spremenjen). IEC 61730-2
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61730-2:2007 (spremenjen). IEC 61683
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61683:2000 (brez sprememb). IEC 61702
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61702:1999 (brez sprememb). IEC 61725
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61725:1997 (brez sprememb). IEC 62093
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 62093:2005 (brez sprememb). IEC 61173
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61173:1994 (brez sprememb). IEC 61194
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61194:1995 (spremenjen). IEC 61277
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61277:1998 (brez sprememb). IEC 61724
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61724:1998 (brez sprememb). IEC 62124
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 62124:2005 (brez sprememb). IEC 61345
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61345:1998 (brez sprememb). IEC 61701
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61701:1999 (brez sprememb). IEC 61721
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 61721:1999 (brez sprememb). IEC 62108
OPOMBA:
Harmoniziran kot EN 62108:2008 (brez sprememb).
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
4 Dodatek ZA (normativni)
Normativno sklicevanje na mednarodne publikacije z njihovimi ustreznimi evropskimi publikacijami Za uporabo tega standarda so nujno potrebni spodaj navedeni dokumenti. Pri datiranih dokumentih velja samo navedena izdaja. Pri nedatiranih dokumentih velja najnovejša izdaja dokumenta (vključno z morebitnimi spremembami).
Opomba:
Kadar je bila mednarodna publikacija spremenjena s splošnimi spremembami, označenimi z (mod), se uporablja ustrezni EN/HD.
Publikacija Leto Naslov
EN/HD
Leto
IEC 60904-3
1989 Fotonapetostne naprave – 3. del: Postopki EN 60904-31 1993
merjenja prizemnih fotonapetostnih (PV)
sončnih naprav s podatki
referenčnega spektralnega sevanja
1 EN 60904-3 je nadomeščen z EN 60904-3:2008 z osnovo IEC 60904-3:2008.
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
5VSEBINA Stran Predgovor.6 Uvod.8 1 Področje uporabe.9 2 Zveza s standardi.9 3 Slovar izrazov, definicij in simbolov za sončne fotonapetostne sisteme.9 3.1 Sončne fotonapetostne celice in moduli.9 3.2 Komponente sončnih fotonapetostnih sistemov.19 3.3 Sončni fotonapetostni sistemi.24 3.4 Parametri zmogljivosti sončnih fotonapetostnih sistemov in elementov.36 3.5 Merilne naprave.53 3.6 Okoljski parametri.55 3.7 Kakovost in preskušanje.63 3.8 Koncentratorska fotovoltaika.68 3.9 Vodenje projektov.70 3.10 Razno.71 4 Kratice in okrajšave.72 Literatura.73 Abecedni seznam slovenskih izrazov.77 Abecedni seznam angleških izrazov.83
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
6 MEDNARODNA ELEKTROTEHNIŠKA KOMISIJA
Sončni fotonapetostni sistemi –
Izrazi, definicije in simboli Predgovor 1. IEC (Mednarodna elektrotehniška komisija) je svetovna organizacija za standardizacijo, ki združuje vse nacionalne elektrotehnične komiteje (nacionalni komiteji IEC). Cilj IEC je pospeševati mednarodno sodelovanje v vseh vprašanjih standardizacije s področja elektrotehnike in elektronike. V ta namen poleg drugih aktivnosti izdaja mednarodne standarde, tehnične specifikacije, tehnična poročila, javnosti dostopne specifikacije (PAS) in vodila (poimenovane tudi publikacija(-e) IEC). Za njihovo pripravo so odgovorni tehnični odbori (TC). Vsak nacionalni komite IEC, ki ga zanima obravnavana tema, lahko sodeluje v tem pripravljalnem delu. Prav tako lahko v pripravi sodelujejo mednarodne organizacije ter vladne in nevladne ustanove, ki so povezane z IEC. IEC deluje v tesni povezavi z mednarodno organizacijo za standardizacijo ISO skladno s pogoji, določenimi v soglasju med obema organizacijama. 2. Uradne odločitve ali sporazumi IEC o tehničnih vprašanjih, pripravljeni v tehničnih odborih, kjer so prisotni vsi nacionalni komiteji, ki jih tema zanima, izražajo, kolikor je mogoče, mednarodno soglasje o obravnavani temi. 3. Publikacije IEC imajo obliko priporočil za mednarodno uporabo ter jih kot takšne sprejmejo nacionalni komiteji IEC. Čeprav IEC skuša zagotavljati natančnost tehničnih vsebin v publikacijah IEC, IEC ni odgovoren za način uporabe ali za možne napačne interpretacije končnih uporabnikov. 4. Da bi se pospeševalo mednarodno poenotenje, so nacionalni komiteji IEC v svojih nacionalnih in regionalnih standardih dolžni čim pregledneje uporabljati mednarodne standarde. Vsako odstopanje med standardom IEC in ustreznim nacionalnim ali regionalnim standardom je treba v slednjem jasno označiti. 5. IEC ni določil nobenega postopka v zvezi z označevanjem kot znakom strinjanja in ne prevzema nikakršne odgovornosti za opremo, ki je deklarirana, da ustreza kateri od publikacij IEC. 6. Vsi uporabniki naj bi si zagotovili zadnjo izdajo teh publikacij. 7. IEC ali njegovi direktorji, zaposleni, uslužbenci ali agenti, vključno s samostojnimi strokovnjaki ter člani tehničnih odborov in nacionalnih komitejev IEC, ne prevzemajo nobene odgovornosti za kakršno koli osebno poškodbo, škodo na premoženju ali katero koli drugo škodo kakršne koli vrste, bodisi posredne ali neposredne, ali za stroške (vključno z zakonitim lastništvom) in izdatke, povezane s publikacijo, njeno uporabo ali zanašanjem na to publikacijo IEC ali katero koli drugo publikacijo IEC. 8. Posebno pozornost je treba posvetiti normativnim virom, na katere se sklicuje ta publikacija. Uporaba navedenih publikacij je nujna za pravilno uporabo te publikacije.
9. Opozarjamo na možnost, da bi lahko bil kateri od elementov tega mednarodnega standarda predmet patentnih pravic. IEC ne odgovarja za identifikacijo nobene od teh patentnih pravic. Glavna naloga tehničnih odborov IEC je priprava mednarodnih standardov. V izjemnih okoliščinah lahko tehnični odbor predlaga publikacijo kot tehnično specifikacijo, kadar: – kljub večkratnim poskusom ni mogoče pridobiti zahtevane podpore za izdajo mednarodnega standarda ali
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
7– je tema še predmet tehničnega razvoja ali je zaradi drugih razlogov verjetno, da bo soglasje za mednarodni standard mogoče pridobiti v prihodnosti, ne pa sedaj. Tehnična poročila se pregledujejo na tri leta, da se odloči, ali se lahko preoblikujejo v mednarodni standard.
IEC 61836, ki je tehnična specifikacija, je pripravil tehnični odbor IEC/TC 82 Sončni fotonapetostni energetski sistemi.
Druga izdaja razveljavlja in nadomešča prvo izdajo, ki je bila objavljena leta 1997. Druga izdaja predstavlja tehnično revizijo poročila.
Glede na prvo izdajo vključuje druga izdaja naslednje bistvene tehnične spremembe: 1) število izrazov je naraslo in dodane so kratice izrazov,
2) izrazi v drugi izdaji so organizirani po kategorijah in družinah znotraj kategorij. Izrazi v posameznih družinah se navzkrižno sklicujejo z razvrstitvijo po abecedi. Dodane so reference in seznam izrazov. Povezovanje izrazov v družine je namenjeno prikazu zvez med sorodnimi izrazi, ki govorijo o podobnih veličinah in vsebinah, a izkazujejo majhna odstopanja.
Besedilo te tehnične specifikacije temelji na naslednjih dokumentih: FDIS Poročilo o glasovanju 82/442/DTS 82/487/RVC
Celotna informacija o glasovanju za sprejetje te tehnične specifikacije je na voljo v poročilu o glasovanju, navedenem v gornji preglednici. Ta publikacija je bila pripravljena v skladu z drugim delom Direktiv ISO/IEC. Odbor se je odločil, da bo vsebina te publikacije ostala nespremenjena do datuma, ko bodo znani rezultati pregleda vzdrževanja in ki je objavljen na spletni strani IEC »http://webstore.iec.ch« pod datumom v zvezi s posebnimi publikacijami. S tem datumom bo publikacija: – preoblikovana v mednarodni standard, – ponovno potrjena, – umaknjena, – zamenjana z revidirano izdajo ali – dopolnjena.
Pozneje je lahko objavljena še dvojezična izdaja tega dokumenta.
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
8 Uvod Skladno z razvojem sončnih fotonapetostnih (PV) tehnologij razvija tehnični odbor IEC/TC 82 ustrezne standarde od leta 1987. Izrazje in simboli, ki se uporabljajo v fotovoltaični industriji, kličejo po sistematizaciji, da bi se poenotilo izrazje za splošno razumevanje med strokovnjaki.
Pričujoči slovar obsega izraze in simbole, ki se v fotovoltaični industriji pogosto uporabljajo. To je živ dokument, ki se spreminja z dodajanjem novih izrazov in simbolov. Slednji so bili usklajeni z mednarodnim elektrotehničnim slovarjem IEC 60050 in drugimi dokumenti IEC po najboljših močeh. Vse definicije, ki jih pričujoči tehnični standard ne zajema, je mogoče najti v drugih dokumentih IEC.
OPOMBA 1:
Izrazi »PV«, »fotonapetostni«, »sončni fotonapetostni« se lahko berejo in uporabljajo izmenjujoče in brez potrebe po navajanju, da se vsak od njih navezuje in splošno uporablja v fotovoltaični industriji. OPOMBA 2:
Vsi izrazi, ki se začenjajo s »sončni fotonapetostni« ali »PV«, so navedeni pod njihovimi pripadajočimi »fotonapetostnimi« imeni. OPOMBA 3:
Vsi izrazi so razvrščeni po abecedi v desetih kategorijah. Znotraj kategorij so bili izrazi sorodnega pomena združeni v družine, da bo bralec lažje razločeval vsebinske razlike med izrazi. OPOMBA 4:
Seznam izrazov navaja natančno uporabo izrazov. Navzkrižno sklicevanje je namenjeno učinkovitemu usmerjanju bralca na mesto definicije izraza. Na primer, »sončno fotonapetostno polje« se lahko poimenuje tudi »fotonapetostno polje« ali »polje«, če je sklicevanje nanj v konkretnem primeru nedvoumno. Definicija tega izraza je navedena v okviru družine »fotonapetostni« v podpoglavju »3.3 Sončni fotonapetostni sistemi«.
OPOMBA 5:
Pri vsakdanji rabi se uporaba zgolj pridevnika »sončni« odsvetuje. Na primer, čeprav se izraz »sončno polje« pogosto uporablja v netehničnih pogovorih, pa je natančen izraz bodisi »sončno fotonapetostno polje« ali "fotonapetostno polje« ali »polje«. OPOMBA 6:
Razen če ni posebej izpostavljeno, se izrazi »naprava«, »celica«, »modul«, »polje«, »podpolje«, »komponenta«, »sistem« in »proizvod« nanašajo na predmete, ki vsebujejo fotonapetostne naprave. Kot rezultat se lahko vsak od navedenih izrazov razume kot »fotonapetostna naprava«, »fotonapetostna celica« itd., brez zahteve po uporabi pridevnika »fotonapetostni«, čeprav je občasno priporočljivo ponoviti pridevnik »fotonapetostni«. OPOMBA 7:
Številske vrednosti, opisane v številnih izrazih, se lahko izrazijo v kateri koli ustrezni enoti časa, ki jo uporabnik želi ali pričakuje, npr. v dnevih, mesecih ali letih. OPOMBA 8:
Oznaka »Wp« ni priporočena enota za nazivno moč. Na primer, za 50-vatne module je pravilno navajanje »z nazivno močjo 50 W« in ne »z močjo 50 Wp«. OPOMBA 9:
Dokumenti, iz katerih izrazi izvirajo, so navedeni pri izrazih v oglatem oklepaju [ ]. Ne izključujemo nekaj manjših modifikacij. OPOMBA 10:
Pričujoči dokument strokovnega izrazja upošteva koordinacijske tehnične odbore IEC:
IEC/TC 1 Terminologija IEC/TC 77 Elektromagnetna združljivost IEC/TC 21 Akumulatorske baterije IEC/TC
82 Fotonapetostni sistemi IEC/TC 22 Močnostni elektronski sistemi in oprema IEC/TC
88 Vetrne turbine IEC/TC 47 Polprevodniški elementi IEC/TC 105 Tehnologije gorivnih celic IEC/TC 64 Električne inštalacije in zaščita pred električnim udarom IEC/TC Metode za vrednotenje izpostavljenosti človeka pred električnimi, magnetnimi in elektromagnetnimi polji
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
9Sončni fotonapetostni sistemi – Izrazi, definicije in simboli 1 Področje uporabe Ta tehnična specifikacija obravnava izraze in simbole iz nacionalnih in mednarodnih sončnih fotonapetostnih standardov in povezanih dokumentov, uporabljenih na področju fotonapetostnih (PV) sistemov. Zajema izraze in simbole v objavljenih standardih tehničnega komiteja IEC/TC 82, prej objavljenih v tehničnem poročilu IEC TR 61836:1997. Poudarek te tehnične specifikacije je "kaj pomenijo besede" in ne "pod kakšnimi pogoji veljajo izrazi". 2 Zveza s standardi Za uporabo tega standarda so nujno potrebni spodaj navedeni dokumenti. Pri datiranih dokumentih velja samo navedena izdaja. Pri nedatiranih dokumentih velja najnovejša izdaja dokumenta (vključno z morebitnimi spremembami).
IEC 60904-3:1989 Fotonapetostne naprave – 3. del: Postopki merjenja prizemnih fotonapetostnih (PV) sončnih naprav s podatki referenčnega spektralnega sevanja
3 Slovar izrazov, definicij in simbolov za sončne fotonapetostne sisteme 3.1 Sončne fotonapetostne celice in moduli V tej točki je podano izrazje, ki zadeva fotonapetostne materiale, fotonapetostne celice in fotonapetostne module. Druge fotonapetostne komponente so opisane v točki 3.2. Fotonapetostni sistemi so opisani v točki 3.3. 3.1.1 amorfni fotonapetostni material trdna snov v delno stabilnem stanju brez daljših ureditev v atomski strukturi 3.1.2 amorfni silicij glej "silicij/amorfni silicij", 3.1.58.a). 3.1.3 protiodbojna plast plast, nanesena na površino fotonapetostne celice za zmanjšanje odbojnostnih izgub 3.1.4 učinek električnega polja na zadnji površini glej "učinek/učinek električnega polja na zadnji površini", 3.1.25.a)
3.1.5 energijska reža (enota: eV) količina energije, potrebne za prenos elektrona iz vezanega stanja v valenčnem pasu v prosto stanje v prevodnem pasu
3.1.6 pragovna energija (enota: eV) energija, ki jo odda elektron, ko prečka prag celice
OPOMBA: Pragovna energija je merilo elektrostatičnega potenciala praga.
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
103.1.7 metalizacijska proga glej "metalizacijska proga/zbiralna proga", 3.1.37.a)
3.1.8 obvodna dioda (na ravni modula) dioda, priključena preko ene ali več fotonapetostnih celic v smeri električnega fototoka, ki dovoljuje, da električni tok fotonapetostnega modula obide celice in s tem prepreči vroče točke ali poškodbo vročih celic, ki nastanejo zaradi zaporne napetosti, ustvarjene iz ostalih celic v tem modulu
3.1.9 celica glej "fotonapetostni/fotonapetostna celica", 3.1.43.a)
Naslednji izrazi se uporabljajo za opis strukture celic in fotonapetostnih materialov. a) fotonapetostna celica CIS fotonapetostna celica, proizvedena iz baker-indijevega diselenida (CuInSe2, kratica CIS) kot glavne sestavine (tankoplastni tip) b) fotonapetostna celica iz polprevodne spojine fotonapetostna celica, narejena iz polprevodnikov, ki so spojine različnih kemičnih elementov, kot so GaAs (spojine III–V), CdS/CdTe (spojine II–VI), CdS/CuInSe2 itn. c) koncentratorska fotonapetostna celica glej "koncentratorska fotonapetostna celica", 3.8.5.a) d) elektrokemijska fotonapetostna celica fotoelektrokemijska naprava, ki uporablja molekule barvila, dve elektrodi in elektrolit e) integrirana fotonapetostna celica
fotonapetostna celica, ki združuje več zaporedno vezanih fotonapetostnih celic, izdelanih na enem substratu, ki so videti kot ena celica OPOMBA 1: Integrirane fotonapetostne celice so lahko sestavljene kot skladovnica druga nad drugo ali druga ob drugi f) večspojna fotonapetostna celica glej "kaskadna fotonapetostna celica", 3.1.9.k) g) organska fotonapetostna celica fotonapetostna celica, izdelana iz organskih materialov, ki so polimeri in/ali majhne molekule (tankoplastni tip) h) fotonapetostna celica s PN-spojem fotonapetostna celica, ki uporablja PN-spoj
OPOMBA 2: Glej tudi " PN-spoj ", 3.1.34.f). i) Schottkyjeva fotonapetostna celica fotonapetostna celica, ki uporablja Schottkyjev spoj (spoj kovine in polprevodnika) j) silicijeva fotonapetostna celica fotonapetostna celica, izdelana iz silicijevega materiala kot glavne sestavine k) kaskadna fotonapetostna celica fotonapetostna celica, sestavljena iz več celic s plastmi različnih optičnih lastnosti, v kateri se vpadna svetloba absorbira v vsaki plasti drugače
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
11l) tandemska fotonapetostna celica običajen izraz za kaskado dveh ali več fotonapetostnih celic druge nad drugo m) tankoplastna fotonapetostna celica fotonapetostna celica iz tankih plasti polprevodniškega materiala OPOMBA 3: Glej tudi "silicij/polikristalni silicij", 3.1.58.e).
3.1.10 prag celice zelo ozek potencialni prag na spoju med P- in N-tipom plasti v fotonapetostni celici
OPOMBA 1: Prag celice je znan tudi kot "osiromašeno območje".
OPOMBA 2: Potencialni prag je območje velike jakosti električnega polja, ki deluje s silo na prehod nosilcev električnega naboja v smeri, ki je odvisna od predznaka električnega naboja.
3.1.11 spoj celice glej "spoj/spoj celice", 3.1.34.a)
3.1.12 fotonapetostna celica CIS glej "celica/fotonapetostna celica CIS", 3.1.9.a)
3.1.13 fotonapetostna celica iz polprevodne spojine glej "celica/fotonapetostna celica iz polprevodne spojine", 3.1.9.b)
3.1.14 učinkovitost pretvorbe (enota: ni enote, ponavadi izražena kot odstotek, %) razmerje med generirano električno močjo na enoto površine fotonapetostne naprave in vpadno gostoto sevanja, merjeno pri standardnih preskusnih pogojih (STC)
OPOMBA: Glej tudi "pogoji/standardni preskusni pogoji", 3.4.16.e).
3.1.15 kristalni silicij glej "silicij/kristalni silicij", 3.1.58.b)
3.1.16 tok za fotonapetostne naprave in povezane izraze glej "fotonapetostni/fotonapetostni tok", 3.1.43.b)
OPOMBA: Električni pojem "tok" ima veliko pomenov.
3.1.17 postopek po Czochralskem
glej "postopek izdelave ingota/postopek po Czochralskem", 3.1.32.a)
3.1.18 temni tok (enota: A) električni tok, ki teče skozi fotonapetostno napravo, ko je vpadno sevanje enako nič
3.1.19 naprava glej "fotonapetostni/fotonapetostna naprava", 3.1.43.c)
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
123.1.20 difuzijska plast del P- ali N-plasti, pripravljen z difuzijo primesi za oblikovanje PN-spoja
3.1.21 usmerjeno strjevanje glej "postopek izdelave ingota/usmerjeno strjevanje", 3.1.32.b)
3.1.22 donor (v fotonapetostnih celicah) primes (kot fosfor v silicijevem materialu), ki prispeva dodaten prosti elektron za sicer uravnoteženo strukturo materiala
3.1.23 primes snov, dodana v majhnih količinah polprevodniškemu materialu za spremembo njegovih električnih lastnosti
OPOMBA 1: Primes tipa N (donor) vnese več elektronov, kot je potrebnih za strukturo materiala (npr. fosfor v silicijevem materialu).
OPOMBA 2: Primes tipa P (akceptor) ustvarja praznine (vrzeli) v strukturi materiala (npr. bor v silicijevem materialu).
3.1.24 elektrokemijska fotonapetostna celica glej "celica/elektrokemijska fotonapetostna celica", 3.1.9.d)
3.1.25 učinek glej "fotonapetostni/fotonapetostni pojav", 3.1.43.d) a) učinek električnega polja na zadnji površini učinek, pri katerem so nosilci naboja, generirani blizu zadnje strani fotonapetostne celice, učinkovito zbrani s pomočjo vgrajenega električnega polja, ki nastane zaradi močno dopiranega območja blizu zadnje elektrode b) učinek ujetja svetlobe učinek, kjer je kratkostični električni tok povečan z ujetjem vpadne svetlobe znotraj fotonapetostne celice s pomočjo teksturiranih površin, struktur itn.
3.1.26 elektromagnetno vlivanje glej "postopek izdelave ingota/elektromagnetno vlivanje", 3.1.32.c)
3.1.27 energijska reža (enota: eV) najmanjša energijska razlika med valenčnim in prevodnim energijskim pasom, ki ju ločuje prepovedani pas [IEV 111-14-37]
OPOMBA
Glej tudi "energijska reža", 3.1.5).
3.1.28 taljenje v lebdeči coni glej "postopek izdelave ingota/taljenje v lebdeči coni", 3.1.32.d)
3.1.29 mrežne proge glej "metalizacijska proga/mrežna proga", 3.1.37.b)
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
133.1.30 heterospoj glej "spoj/heterospoj", 3.1.34.b)
3.1.31 vroča točka močno lokalno segrevanje, do katerega pride v fotonapetostnem modulu, ko njegov delovalni tok preseže zmanjšani kratkostični tok senčene ali okvarjene fotonapetostne celice ali skupine celic v njem
OPOMBA: Ob pojavu vroče točke je prizadeta celica ali skupina celic prisiljena v režim z negativno napetostjo in trošenjem moči, kar povzroča pregrevanje. Negativna napetost ali poškodba naredi majhno, lokalno obvodno pot, kjer teče večji del toka fotonapetostnega modula.
3.1.32 postopek izdelave ingota postopek, s katerim se izdela ingot a) postopek po Czochralskem
metoda za rast popolnega velikega monokristala rotirajočega semena kristala iz nasprotno rotirajoče se kopeli staljenega silicija s počasnim dvigovanjem ter pri natančnih pogojih hlajenja OPOMBA 1: Rezultat postopka po Czochralskem je valjast silicijev ingot, ki ga je mogoče razrezati v okrogle ali kvadratne rezine z zaobljenimi robovi. b) usmerjeno strjevanje metoda za izdelavo velikozrnatega multikristalnega silicijevega ingota z nadziranjem hitrosti hlajenja staljenega silicija, ki se nahaja v talilnem loncu s pravokotnim prerezom OPOMBA 2: Rezultat usmerjenega strjevanja je silicijev ingot s kvadratnim prerezom, ki ga je mogoče razrezati v kvadratne ali pravokotne rezine. c) elektromagnetno vlivanje metoda za izdelavo multikristalnega silicijevega ingota, pri kateri se iz konstantno polnjenega talilnega lonca s pravokotno odprtino na dnu staljeni silicij nepretrgoma vleče skozi s pomočjo elektromagnetnega polja OPOMBA 3: Rezultat elektromagnetnega vlivanja je silicijev ingot s kvadratnim prerezom, ki ga je mogoče razrezati v kvadratne ali pravokotne rezine. d) taljenje v lebdeči coni metoda za rast in čiščenje visoko kakovostnih monokristalnih ingotov
3.1.33 integrirana fotonapetostna celica glej "celica/integrirana fotonapetostna celica", 3.1.9.e)
3.1.34 spoj (polprevodnikov) prehodna plast med polprevodniškimi območji z različnimi električnimi lastnostmi ali med polprevodnikom in drugačne vrste plastjo, ki je okarakterizirana s potencialnim pragom oziroma pregrado, ki otežuje prehod nosilcev naboja iz enega območja v drugega
[IEV 521-02-72] a) spoj celice spoj med P- in N-tipom polprevodnika fotonapetostne celice
OPOMBA 1: Spoj celice se nahaja znotraj praga celice oziroma osiromašenega območja.
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
14b) heterospoj PN-spoj, pri katerem se dve območji razlikujeta v njunih tipih dopiranja in tudi v njuni atomski sestavi c) homospoj PN-spoj, pri katerem se dve območji razlikujeta v njunih tipih dopiranja, ne pa tudi v njuni atomski sestavi d) Schottkyjev spoj
spoj med kovino in polprevodnikom, v katerem prehodno območje, ki nastane na površju polprevodnika, deluje kot usmerjevalna pregrada [IEV 521-02-71] e) PIN-spoj
spoj, sestavljen iz intrinzičnega polprevodnika med P- in N-tipom polprevodnika, namenjen zniževanju rekombinacij manjšinskih nosilcev OPOMBA 2: PIN-spoj se uporablja v tankoplastnih amorfnih silicijevih fotonapetostnih celicah. f) PN-spoj
spoj med P- in N-tipom polprevodnika
3.1.35 učinek ujetja svetlobe glej "učinek/učinek ujetja svetlobe", 3.1.25.b)
3.1.36 material glej "fotonapetostni/fotonapetostni material", 3.1.43.e)
3.1.37 metalizacijska proga kovinski prevodnik na sprednji ali zadnji strani fotonapetostne celice za prevajanje električnega toka, ki ga proizvede fotonapetostna celica
OPOMBA 1: Metalizacijska proga je lahko natisnjena skozi sitotisk masko, naparjena ali ekstrudirana (linijsko napisana).
Proge so naslednjih dveh vrst a) zbiralna proga (fotonapetostnih celic)
metalizacijska proga z večjim prerezom, kot je prerez mrežne proge, povezana na mrežne proge in namenjena prenašanju njihovega električnega toka k žicam ali trakastim vodnikom, ki povezujejo fotonapetostno celico z drugimi fotonapetostnimi celicami
b) mrežna proga
metalizacijska proga, namenjena zbiranju električnega toka s površine polprevodnika fotonapetostne celice
3.1.38 mikrokristalni silicij glej "silicij/mikrokristalni silicij", 3.1.58.c)
3.1.39 modul glej "fotonapetostni/fotonapetostni modul", 3.1.43.f)
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
153.1.40 multikristalni silicij glej "silicij/multikristalni silicij", 3.1.58.d)
3.1.41 večspojna fotonapetostna celica glej "celica/večspojna fotonapetostna celica", 3.1.9.f)
3.1.42 organska fotonapetostna celica glej "celica/organska fotonapetostna celica", 3.1.9.g)
3.1.43 fotonapetostni, fotovoltaika (kratica: PV (ang. photovoltaic)) fotonapetostni, pridevnik fotovoltaika, samostalnik v zvezi z električnim pojavom, povzročenim s fotonapetostnim pojavom
Naslednji izrazi so pogosto uporabljeni pri opisovanju fotonapetostnih naprav. Izraz "fotonapetostni" se pogosto uporablja kot "PV". Glej tudi "fotonapetostni", 3.2.21 in 3.3.56. a) fotonapetostna celica
najbolj elementarna fotonapetostna naprava OPOMBA 1: V aplikacijah sončnih fotonapetostnih sistemov je "sončna fotonapetostna celica" drug izraz za "fotonapetostna celica", pogovorno imenovana tudi "sončna celica". b) fotonapetostni tok (enota: A) enosmerni električni tok, proizveden v fotonapetostni napravi kot posledica vpadne svetlobe OPOMBA 2: Glej tudi "temni tok", 3.1.18. c) fotonapetostna naprava komponenta, ki izkorišča fotonapetostni pojav OPOMBA 3: Primeri fotonapetostnih naprav vključujejo fotonapetostno celico, modul ali polje. d) fotonapetostni pojav generacija enosmerne napetosti z absorpcijo fotonov vpadne svetlobe
OPOMBA 4: Trenutno je znano, da pride do fotonapetostnega pojava pri specifično narejenih polprevodnikih. To se kaže v neposredni pretvorbi vpadne sevalne energije v električno energijo. e) fotonapetostni material material, ki izkazuje fotonapetostni pojav f) fotonapetostni modul zaključen in pred okoljskimi vplivi zaščiten sestav iz medsebojno povezanih fotonapetostnih celic
OPOMBA 5: Fotonapetostni moduli so lahko sestavljeni v fotonapetostne panele in fotonapetostna polja. Glej "fotonapetostni/fotonapetostni panel" (3.3.56.e) in "fotonapetostni/fotonapetostno polje" (3.3.56.a).
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
163.1.44 PIN-spoj
glej "spoj/PIN-spoj", 3.1.34.e)
3.1.45 PN-spoj
glej "spoj/PN-spoj ", 3.1.34.f)
3.1.46 fotonapetostna celica s PN-spojem
glej "celica/fotonapetostna celica s PN-spojem", 3.1.9.h)
3.1.47 polikristalni silicij glej "silicij/polikristalni silicij", 3.1.58.e)
3.1.48 moč (enota: W) časovno osnovana hitrost prenosa ali transformiranja energije ali opravljanja dela
OPOMBA: Moč je pogosto napačno uporabljena za poimenovanje "elektrike" ali "električnega".
3.1.49 primarna referenčna fotonapetostna celica glej "referenčna fotonapetostna celica/primarna referenčna fotonapetostna celica", 3.1.50.a)
3.1.50 referenčna fotonapetostna celica posebno umerjena fotonapetostna celica, ki se uporablja za merjenje sevanja ali za nastavitev nivoja sevanja simulatorja za kompenzacijo nereferenčne porazdelitve sevalnega spektra a) primarna referenčna fotonapetostna celica referenčna fotonapetostna celica, ki je umerjena z radiometrom ali s standardnim detektorjem, skladnim z zahtevami World Radiometric Reference (WRR) b) sekundarna referenčna fotonapetostna celica referenčna fotonapetostna celica, ki je umerjena s primarno referenčno celico ob pomoči naravne ali umetne sončne svetlobe
3.1.51 referenčna fotonapetostna naprava referenčna fotonapetostna celica, sestav več referenčnih celic ali referenčni modul
3.1.52 referenčni fotonapetostni modul posebno umerjen fotonapetostni modul, ki se uporablja za merjenje sevanja ali za nastavitev nivoja sevanja simulatorja za meritev zmogljivosti drugih modulov s podobnim spektralnim odzivom, optičnimi lastnostmi, merami in električnim vezjem
3.1.53 trak
tanka plast kristalnega ali multikristalnega materiala, izdelanega v neprekinjenem procesu z vlečenjem iz kopeli stopljenega osnovnega materiala (ponavadi silicija)
3.1.54 Schottkyjeva fotonapetostna celica glej "celica/Schottkyjeva fotonapetostna celica", 3.1.9.i)
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
173.1.55 Schottkyjev spoj glej "spoj/Schottkyjev spoj", 3.1.34.d)
3.1.56 sekundarna referenčna fotonapetostna celica glej "referenčna fotonapetostna celica/sekundarna referenčna fotonapetostna celica", 3.1.50.b)
3.1.57 polprevodniški material snov, katere prevodnost je zaradi nosilcev naboja obeh predznakov navadno v območju med prevodnikom in izolatorjem in v kateri je gostoto njenega naboja mogoče spremeniti od zunaj
[IEV 121-12-06] [IEV 521-02-01, spremenjen]
OPOMBA 1: Izraz "polprevodnik" se ponavadi nanaša na primere, kjer so nosilci naboja elektroni in vrzeli.
OPOMBA 2: Za povečanje prevodnosti mora biti dovedena energija večja, kot je energijska reža. Glej tudi "energijska reža", 3.1.5.
OPOMBA 3: Nekateri polprevodniki, kot so silicij, galijev arzenid, kadmijev telurid in baker-indijev diselenid, če so navedeni nekateri trenutno dostopni materiali, so zelo primerni za proces pretvorbe PV.
3.1.58 silicij (simbol: Si) metaloidni kemični element z atomsko maso 14, ki se veliko uporablja v polprevodniških materialih, je običajna sestavina peska in kremenjaka v obliki oksida in ponavadi uporabljen v fotonapetostnih celicah
OPOMBA 1: Silicij kristalizira v ploskovno centrirano kubično mrežo, podobno diamantni.
OPOMBA 2: Spodnji izrazi se nanašajo na materiale, rezine, celice in module.
a) amorfni silicij (simbol: a-Si, a-Si:H) hidrogenirana nekristalna silicijeva zlitina v polstabilnem stanju, nanesena na substratu druge snovi z debelino do 1 µm b) kristalni silicij (simbol: c-Si) splošna kategorija za silicijeve materiale, ki kažejo kristalno strukturo, tj. kažejo urejenost silicijevih atomov v dolgih vrstah c) mikrokristalni silicij (simbol: µc-Si) hidrogenirana silicijeva zlitina, nanesena na substratu druge snovi z debelino do 1 µm, ki predstavlja granulacijo kristalne strukture pod 1 µm d) multikristalni silicij (simbol: mc-Si) silicijev material, ki je kristaliziral pri takih pogojih, da so nastali številni velikozrnati kristali (imenovani kristaliti, z velikostjo 1 mm do 10 mm) OPOMBA 3: Atomi vsakega kristalita so simetrično razporejeni, vendar so množice kristalitov naključno razporejene. OPOMBA 4: Pogosto strjen kot ulit ingot ali vlečen trak.
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
18e) polikristalni silicij (simbol: pc-Si) silicijev material, nanesen na substratu druge snovi kot plast z debelino 10 µm do 30 µm in zrnavostjo 1 µm do 1 mm OPOMBA 5: Polikristalni silicij je znan kot tankoplastni pc-Si. OPOMBA 6: Polikristalni silicij je tudi izraz, ki se uporablja za surovino pri izdelavi kristalnega silicija. f) monokristalni silicij (simbol: sc-Si) silicijev material, okarakteriziran z urejeno in periodično ureditvijo atomov, tako da izkazuje samo eno kristalno usmeritev, tj., vsi atomi so simetrično urejeni OPOMBA 7: Monokristalni silicij je znan tudi kot enojno kristalni. g) silicij s kakovostjo solarnega fotonapetostnega razreda (kratica: SOG (ang. solar photovoltaic grade silicon)) surovina z visoko kemijsko čistostjo, prilagojena za rast kristalnih silicijevih ingotov
3.1.59 silicijeva fotonapetostna celica glej "celica/silicijeva fotonapetostna celica", 3.1.9.j)
3.1.60 monokristalni silicij glej "silicij/monokristalni silicij", 3.1.58.f)
3.1.61 sončni fotonapetostni, fotovoltaika nanaša se na fotonapetostne naprave pod vplivom sončne svetlobe
OPOMBA: Vsi izrazi, ki se začnejo s "sončni fotonapetostni" so navedeni pod pripadajočimi "fotonapetostnimi" imeni (3.1.43, 3.2.21 in 3.3.56).
3.1.62 kaskadna fotonapetostna celica glej "celica/kaskadna fotonapetostna celica", 3.1.9.k)
3.1.63 tandemska fotonapetostna celica glej "celica/tandemska fotonapetostna celica", 3.1.9.l)
3.1.64 prosojna prevodna oksidna plast (kratica: TCO (transparent conducting oxide))
prosojen prevoden oksid, uporabljen kot elektroda v tankoplastnih fotonapetostnih celicah, nanesen na prosojnem steklu
OPOMBA: Glej tudi "prosojna elektroda", 3.1.67.
3.1.65 teksturirana površina neenakomerna struktura na sprednji površini ali zadnji površini fotonapetostne celice za povečanje absorpcije svetlobe z zmanjšanjem refleksijskih izgub ob izrabi učinka ujetja svetlobe
3.1.66 tankoplastna fotonapetostna celica glej "celica/tankoplastna fotonapetostna celica", 3.1.9.m)
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
193.1.67 prosojna elektroda tankoplastna elektroda z veliko električno prevodnostjo in veliko optično prepustnostjo na fotonapetostni celici
3.1.68 rezina rezina polprevodniškega materiala, ki predstavlja mehansko in električno osnovo za kristalno fotonapetostno celico
3.2 Komponente sončnih fotonapetostnih sistemov
Ta točka naslavlja izrazje, ki zadeva komponente fotonapetostnega sistema, razen fotonapetostnih modulov (glej 3.1). Fotonapetostni sistemi so opisani v točki 3.3.
3.2.1 polje glej "fotonapetostni/fotonapetostno polje", 3.3.56.a)
3.2.2 kabel polja glej "fotonapetostni/kabel fotonapetostnega polja", 3.2.21.a)
3.2.3 priključna doza polja glej "priključna doza/priključna doza polja", 3.2.16.a)
3.2.4 avtomatični zagon/zaustavitev funkcija, ki avtomatsko zažene in/ali zaustavi pretvornik moči glede na izhod fotonapetostnega polja
3.2.5 blokirna dioda dioda, priključena zaporedno s fotonapetostnim(-i) modulom(-i), panelom(-i), podpoljem(-i) in poljem(-i), ki blokira tok v nasprotni smeri v tak(-e) modul(-e), panel(-e), podpolje(-a) in polje(-a)
3.2.6 obvodna dioda (na ravni fotonapetostnega sistema) dioda, priključena vzporedno preko enega ali več fotonapetostnih modulov v prevodni smeri električnega toka, ki dovoljuje, da električni tok fotonapetostnega modula obide modul in s tem prepreči njegovo pregrevanje in poškodbo zaradi zaporne napetosti, ki izvira iz ostalih modulov v tem fotonapetostnem polju
OPOMBA: Obvodna dioda na sistemski ravni fotonapetostnega sistema je znana tudi kot sistemska premostitvena dioda ali obvodna naprava.
3.2.7 komutacija (statični razsmerniki) krmiljenje izmenične (sinusne) oblike na izmeničnem izhodu pretvornika moči
Spodaj so navedeni izrazi glede komutacije pri pretvornikih moči. a) linijska komutacija vrsta zunanje komutacije, kjer komutacijsko napetost zagotavlja vod (linija), ki se ponavadi nanaša na javno električno omrežje
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
20b) linijska komutirana vrsta pretvornik moči, ki deluje z linijsko komutacijo c) samostojna komutacija vrsta komutacije, pri kateri komutacijsko napetost zagotavljajo komponente znotraj razsmernika ali elektronskega stikala d) samostojno komutirana vrsta pretvornik moči, ki deluje s samostojno komutacijo
3.2.8 razsmernik z regulacijo toka glej "razsmernik/razsmernik z regulacijo toka", 3.2.15.a)
3.2.9 tokovno togi razsmernik glej "razsmernik/tokovno togi razsmernik", 3.2.15.b)
3.2.10 enosmerni pretvornik moči komponenta fotonapetostnega sistema, ki spremeni izhodno napetost fotonapetostnega polja v uporabno enosmerno napetost
3.2.11 glavni kabel enosmernega toka glej "fotonapetostni/glavni fotonapetostni kabel enosmernega toka", 3.2.21.b)
3.2.12 priključna doza generatorja glej "priključna doza/priključna doza generatorja", 3.2.16.b)
3.2.13 razsmernik z visokofrekvenčnim transformatorjem glej "razsmernik/razsmernik z visokofrekvenčnim transformatorjem", 3.2.15.f)
3.2.14 vhodno delovno napetostno območje (enota: V) območje enosmerne vhodne napetosti, pri kateri pretvornik moči deluje stabilno
3.2.15 razsmernik pretvornik električne energije, ki spreminja enosmerni električni tok v enofazni ali večfazni izmenični tok
[IEV 151-13-46]
OPOMBA 1: Razsmernik je ena od komponent, ki je vključena v izraz "pretvornik moči".
a) razsmernik z regulacijo toka razsmernik z izhodnim električnim tokom specifične sinusne oblike, ki je dosežena s pulznoširinsko modulacijo (PWM) ali drugo vrsto regulacije b) tokovno togi razsmernik razsmernik s praktično konstantnim vhodnim enosmernim električnim tokom
SIST-TS CLC/TS 61836 : 2009
21c) omrežni razsmernik razsmernik, ki je sposoben delovati sinhrono z distribucijskim ali prenosnim omrežjem elektrodistribucijskega podjetja OPOMBA 2: Omrežni razsmernik je znan tudi pod imenom omrežno vezani razsmernik. d) omrežno odvisni razsmernik omrežni razsmernik, ki deluje samo v omrežno odvisnem načinu e) omrežno interaktivni razsmernik omrežni razsmernik, ki lahko deluje tako v samostojnem kot tudi v sinhronem načinu OPOMBA 3: Omrežno interaktivni razsmernik sam vzpostavlja sinhronizacijo z omrežjem. f) razsmernik z visokofrekvenčnim transformatorjem razsmernik z visokofrekvenčnim transformatorjem za električno izolacijo med vhodnimi in izhodnimi vezji g) modulni razsmernik razsmernik, ki je integriran z izhodom enega fotonapetostnega modula
OPOMBA 4: Modulni razsmernik je navadno pritrjen na zadnjo stran modula. OPOMBA 5: Glej tudi "izmenični modul", 3.3.2. h) neotočni razsmernik razsmernik, ki preneha napajati električni distribucijski sistem, ko je sistem zunaj obratovalnih pogojev glede napetosti in/ali frekvence i) samostojni razsmernik razsmernik, ki napaja breme, ki ni priključeno na distribucijski ali prenosni sistem elektrodistribucijskega podjetja OPOMBA 6: Samostojni razsmernik je znan tudi kot "baterijsko napajani razsmernik". j) nizni razsmernik
razsmernik, ki je namenjen delovanju z enim fotonapetostnim nizom
OPOMBA 7: Izmenični izhod niznega razsmernika je lahko povezan vzporedno z izhodi drugih niznih razsmernikov. k) razsmernik brez transformatorja razsmernik, ki nima izolacijskega transformatorja l) razsmernik z omrežnim transformatorjem razsmernik s transformatorjem omrežne frekvence za električno izolacijo na izhodu m) distribucijsko interaktivni razsmernik
razsmernik, ki deluje vzporedno z distribucijskim ali prenosnim omrežjem elektrodistribucijskega podjetja za napajanje skupnih bremen in ki lahko pošilja energijo v to distribucijsko ali prenosno omrežje n) razsmernik z regulacijo napetosti razsmernik z izhodno napetostjo specifične sinusne oblike, ki je dosežena s pulznoširinsko modulacijo (PWM) ipd. o) napetostno togi razsmernik razsmernik s pra
...
Questions, Comments and Discussion
Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.
Loading comments...