IEC 60747-6:2000

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-6
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 6:
Thyristors
Semiconductor devices –
Part 6:
Thyristors
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-6:2000
Numérotation des publications Publication numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.
Editions consolidées Consolidated editions
Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its
CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1
exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
Informations supplémentaires Further information on IEC publications
sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
nibles dans le Catalogue des publications de la CEI available in the IEC Catalogue of publications
(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
également disponibles par l’intermédiaire de: is also available from the following:
• Site web de la CEI (www.iec.ch) • IEC Web Site (www.iec.ch)
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
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(www.iec.ch/catlg-f.htm) vous permet de faire des (www.iec.ch/catlg-e.htm) enables you to search
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comprenant des recherches textuelles, par comité technical committees and date of publication. On-
d’études ou date de publication. Des informations line information is also available on recently
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nouvelles publications, les publications rempla- publications, as well as corrigenda.
cées ou retirées, ainsi que sur les corrigenda.
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• IEC Just Published
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Tél: +41 22 919 02 11
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Fax: +41 22 919 03 00
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NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-6
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 6:
Thyristors
Semiconductor devices –
Part 6:
Thyristors
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– 2 – 60747-6 © CEI:2000
SOMMAIRE
Pages
AVANT-PROPOS. 20
INTRODUCTION . 22
Articles
1 Domaine d'application . 24
2 Références normatives . 24
3 Termes et définitions. 24
3.1 Types de thyristors . 26
3.2 Termes de base définissant la caractéristique courant-tension statique
des thyristors triodes . 30
3.3 Termes de base définissant la caractéristique courant-tension statique
des thyristors diodes. 34
3.4 Détails des caractéristiques tension-courant statiques d’un thyristor triode
et diode (voir figures 1 et 2) . 34
3.5 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques; tensions principales. 38
3.6 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques; courants principaux . 44
3.7 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques;
tensions et courants de gâchette . 50
3.8 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques;
puissances, énergies et pertes . 56
3.9 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques;
temps de recouvrement et autres caractéristiques . 64
4 Symboles littéraux. 80
4.1 Généralités . 80
4.2 Indices généraux supplémentaires. 80
4.3 Liste de symboles littéraux. 82
4.3.1 Tensions principales, tensions anode-cathode . 82
4.3.2 Courants principaux, courants d'anode, courants de cathode . 84
4.3.3 Tensions de gâchette . 86
4.3.4 Courants de gâchette . 86
4.3.5 Grandeurs de temps. 86
4.3.6 Grandeurs diverses . 88
4.3.7 Dissipations de puissance . 88
5 Valeurs limites et caractéristiques essentielles pour les thyristors triodes bloqués et
conducteurs en inverse . 88
5.1 Conditions thermiques . 88
5.1.1 Températures recommandées. 90
5.1.2 Conditions pour les valeurs limites . 90
5.2 Valeurs limites de tension et de courant. 90
5.2.1 Tension inverse de pointe non répétitive (V ). 90
RSM
5.2.2 Tension inverse de pointe répétitive (V ) . 90
RRM
5.2.3 Tension inverse de crête (V ) (s’il y a lieu) . 92
RWM
5.2.4 Tension inverse continue (V
) (s’il y a lieu) . 92
R
5.2.5 Tension de pointe non répétitive à l’état bloqué (V ) . 92
DSM
60747-6 © IEC:2000 – 3 –
CONTENTS
Page
FOREWORD.21
INTRODUCTION.23
Clause
1 Scope.25
2 Normative references.25
3 Terms and definitions .25
3.1 Types of thyristors .27
3.2 Basic terms defining the static voltage-current characteristics of triode
thyristors .31
3.3 Basic terms defining the static voltage-current characteristics of diode
thyristors .35
3.4 Particulars of the static voltage-current characteristics of triode and diode
thyristors (see figures 1 and 2).35
3.5 Terms related to ratings and characteristics; principal voltages .39
3.6 Terms related to ratings and characteristics; principal currents.45
3.7 Terms related to ratings and characteristics; gate voltages and currents .51
3.8 Terms related to ratings and characteristics; powers, energies and losses .57
3.9 Terms related to ratings and characteristics; recovery times and other
characteristics .65
4 Letter symbols .81
4.1 General .81
4.2 Additional general subscripts .81
4.3 List of letter symbols.83
4.3.1 Principal voltages, anode-cathode voltages .83
4.3.2 Principal currents, anode currents, cathode currents .85
4.3.3 Gate voltages .87
4.3.4 Gate currents.87
4.3.5 Time quantities .87
4.3.6 Sundry quantities .89
4.3.7 Power loss.89
5 Essential ratings and characteristics for reverse-blocking and reverse-conducting
triode thyristors.89
5.1 Thermal conditions .89
5.1.1 Recommended temperatures .91
5.1.2 Rating conditions .91
5.2 Voltage and current ratings (limiting values).91
5.2.1 Non-repetitive peak reverse voltage (V ).91
RSM
5.2.2 Repetitive peak reverse voltage (V ).91
RRM
5.2.3 Crest (peak) working reverse voltage (V ) (where appropriate).93
RWM
5.2.4 Continuous (direct) reverse voltage (V ) (where appropriate) .93
R
5.2.5 Non-repetitive peak off-state voltage (V ) .93
DSM
– 4 – 60747-6 © CEI:2000
Articles Pages
5.2.6 Tension de pointe répétitive à l’état bloqué (V ). 92
DRM
5.2.7 Tension de crête à l’état bloqué (V ) (s’il y a lieu) . 92
DWM
5.2.8 Tension continue à l’état bloqué (V ) (s’il y a lieu) . 92
D
5.2.9 Tension directe de pointe de gâchette (anode positive par
...